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標(biāo)題: 國(guó)產(chǎn)刻蝕機(jī)現(xiàn)狀 [打印本頁]

作者: 毛屌屌 時(shí)間: 2023-4-4 03:48
標(biāo)題: 國(guó)產(chǎn)刻蝕機(jī)現(xiàn)狀
?中微的非美零部件率做得最好，中微和北方華創(chuàng)至少60%以上都能達(dá)到，但還有一些繞不開。有幾個(gè)關(guān)鍵部件是射頻發(fā)生器、ESC（Echuck）和真空壓力表。最先能夠?qū)崿F(xiàn)的應(yīng)該是ESC。

?中微的CCP做得相當(dāng)出色，華創(chuàng)的ICP可圈可點(diǎn)。中微的ICP也發(fā)展得非常迅速，已經(jīng)賣到英特爾關(guān)鍵制程，因?yàn)橛蠧CP的沉淀，所以做起來很快。

?中微切入長(zhǎng)江存儲(chǔ)時(shí)非常重視，在長(zhǎng)存的總腔體數(shù)最高，超過美國(guó)和日本的頭部競(jìng)對(duì)，而且打入臺(tái)積電的5nm非關(guān)鍵層也很不容易，前景比較看好。華創(chuàng)的ICP相對(duì)一般。

?中微在40/45nm邏輯芯片領(lǐng)域已經(jīng)有量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)了，但是28nm需要切換到金屬掩膜的大馬士革工藝，中微還在驗(yàn)證中，沒有達(dá)到完全量產(chǎn)的水平。華創(chuàng)可以做到40/45nm，28nm也沒有。

Q:有報(bào)告估測(cè)14nm制程刻蝕要達(dá)到60多次，相較28nm提升60%，7nm140次，5nm可能會(huì)200次以上。芯片制造不同納米制程對(duì)刻蝕的需求，主要區(qū)別點(diǎn)是什么？

ES:從28nm到14nm，再?gòu)?4nm到7nm，它的蝕刻步驟高，主要是因?yàn)樗腗MP就是minimummetalpitch，變小了之后，由于光刻的限制。光刻比如說7nm以上的制程都還是用到DUV，deepUV，就是KrF、ArF這樣的制程，那它是有限制的，不像EUV。DUV的話，一般我們理論認(rèn)為DUV可能做到38-40nm的MMP，但是你要把它繼續(xù)做小的話，沒辦法。怎么辦？它就doublepatterning，就是來兩次曝光顯影。

這里面又有2種做法。一種叫LELE，叫l(wèi)itho-etch-litho-etch，就做一次photo、顯完一次影etch一次，再做一次顯影再做一次，這叫l(wèi)itho-etch-litho-etch，簡(jiǎn)單來講這樣就double了。當(dāng)然了，不是所有的layer都需要特別小的這種線寬或者是孔徑。所以剛才你提到的比如說從28到14提高了60%，其實(shí)就是前段和后段這種線寬也好、孔徑也好，它要做到小的話，就要用雙倍的這種顯影來做。

還有一種叫SADP，叫self-aligneddoublepatterning，那個(gè)相對(duì)來說現(xiàn)在是比較成熟的技術(shù)。LELE可能14nm用得比較多，LELE后面到了10nm、7nm為什么不用了？是因?yàn)閘itho-etchlitho-etch要錯(cuò)位的。就是這邊顯完影曝開之后這個(gè)地方是留著的，接下來要往下吃的，但是在下一步吃之前，你得再coating一層，把旁邊的位置給它讓開。這樣隨著線寬越來越小，你要錯(cuò)位的層數(shù)越來越多，那就不太好做了，self-aligneddoublepatterning比較好?，F(xiàn)在對(duì)蝕刻制造的要求就是精度要求要高。

現(xiàn)在其實(shí)這種情況，因?yàn)槟阋舱劦搅?4、28這些，那主要就是在logic產(chǎn)品里面會(huì)用到的，像中芯，其他沒了。國(guó)外的我們不談，因?yàn)樗鼈兡苜I到，三星也好、臺(tái)積電也好，或者是哪家也好，它能買到EUV，EUV的就不需要這么麻煩了，因?yàn)樗牟ㄩL(zhǎng)已經(jīng)到了13.5nm，所以一下子就能鋪得很小。

對(duì)于etch，主要的一個(gè)挑戰(zhàn)是什么，或者說相較于28、40、45這種制程，主要就是蝕刻的設(shè)備它要求的精度要高，還有一片wafer的面內(nèi)均勻度要控制得好。因?yàn)槟惚緛砭€寬就小了，你如果是做得小，然后你的均勻度做得不好，或者孔錯(cuò)得不好的話，那這份wafer就沒法要了。所以對(duì)于蝕刻的設(shè)備要求就是要精度高。在advance的一些技術(shù)，我覺得倒也未必?？赡茏?8nm的蝕刻設(shè)備，到14nm或者10nm在做的時(shí)候，它相較于28的generation的這個(gè)機(jī)臺(tái)來講，特別是整個(gè)在產(chǎn)品上有大的更改，沒有，它的要求就是加了一些小的改善的功能，比如說在邊邊能夠調(diào)整gap，或者有一些ALE的功能。就是對(duì)設(shè)備的響應(yīng)速度要求非常高，然后加一些function在里面。臺(tái)數(shù)那就不用講了。你剛才講了14nm就比28nm多了60%的蝕刻的層數(shù)，那蝕刻的設(shè)備要求就從28到14的話，那翻倍還不止了。

所以設(shè)備的要求就是精度要高，臺(tái)數(shù)要求就是臺(tái)數(shù)要多。工序就是一些重復(fù)的工序，就是套娃式的，就是litho-etch-litho-etch，倒也沒有多出一些特別的、新的工序出來，反而是在原來的工序上不停地做一些重復(fù)。價(jià)格方面不好意思，這個(gè)我了解不是很多，大概是這樣。

Q:目前整個(gè)半導(dǎo)體下行周期之下，疊加美國(guó)的設(shè)備出口管制限制，您觀察到國(guó)內(nèi)一些主流的晶圓廠，下半年或者說10月7號(hào)禁令到現(xiàn)在，對(duì)蝕刻設(shè)備的需求情況或者訂單情況有什么變化？

ES:這個(gè)明顯是有下行的趨勢(shì)的，這個(gè)很明顯，從兩個(gè)大塊，邏輯芯片和memory芯片，memory芯片又分3D和DRAM，先說memory。Memory來講，我們國(guó)內(nèi)2家最大的，一個(gè)做3D的，一個(gè)做DRAM的，就是長(zhǎng)存和長(zhǎng)鑫，一個(gè)合肥、一個(gè)武漢。那武漢就不用講了，它直接進(jìn)入黑名單了，它現(xiàn)在2個(gè)廠，一廠和二廠。

一廠其實(shí)已經(jīng)有部分產(chǎn)能可以，它一廠主要是量產(chǎn)128層的3DNAND，有很少的一部分產(chǎn)能可以run232層的。二廠已經(jīng)建好了，但是正好趕到了美國(guó)的政策，二廠的機(jī)臺(tái)movein了一點(diǎn)了，整個(gè)廠的5-10%，很少，突然就停滯了，一宣布之后像美系的那些大廠，直接第二天就全部都撤掉了。Even在很久以前，比如說在制裁之前下的那些訂單PO什么的，這些美國(guó)大廠直接就退給它們，就說政府要求，我也沒辦法，雖然我很想做你的生意。所以它現(xiàn)在處于一個(gè)基本停滯的狀態(tài)，二廠。

一廠能夠生產(chǎn)，但是遇到的問題是它進(jìn)入黑名單，128以及128以上的這些制程都是不能run的，理論上來講。也就是存在一個(gè)設(shè)備它已有了，但設(shè)備它是消耗品，它得不停地更換parts，就是機(jī)臺(tái)不能賣了，對(duì)不起，parts也是同樣不能賣的，所以它就面臨著parts緊缺的問題。雖然每個(gè)fab廠都有一個(gè)所謂的安全庫存，但是安全庫存那是針對(duì)于行情好的時(shí)候，安全庫存3個(gè)月、5個(gè)月沒問題，但是就算YMTC有一些預(yù)料或者怎么樣，安全庫存?zhèn)鋫€(gè)一年，現(xiàn)在基本上也快停滯了。所以它一方面要調(diào)整好，對(duì)于這些管制的parts來講，它怎么尋找替代品。

第二，從國(guó)際上來講，現(xiàn)在DRAM也好或者3D也好，庫存量非常高。因?yàn)橐咔橐詠?，大家看到好像PC、手機(jī)，尤其是線上的教學(xué)或者是線上的會(huì)議之類的，使得PC的需求非常高，大家都拼命囤，就不停地在生產(chǎn)?，F(xiàn)在庫存已經(jīng)高位了，不知道你們有沒有看到像三星、海力士都已經(jīng)下調(diào)了產(chǎn)品的價(jià)錢了，這樣的話國(guó)內(nèi)就更難了。它們庫存又高，再一降價(jià)，國(guó)內(nèi)看到這種情況，它本來也有庫存，價(jià)錢又被人家逼了，可能它就會(huì)減產(chǎn)。DRAM也是一樣的，長(zhǎng)鑫在中國(guó)來說算是老大，但是DRAM它也就到D19這個(gè)generation，其實(shí)量產(chǎn)也就Fab1，基本上不到10萬片。庫存可能相對(duì)于國(guó)際大廠來講，美光、海力士、三星、Toshiba來講，可能稍微少一點(diǎn)。但是它后面要謹(jǐn)慎了，G1對(duì)于它這個(gè)廠來講，其實(shí)只是一個(gè)趟趟水的制程，它不盈利的，之前我聽到的說法是，長(zhǎng)鑫的這個(gè)廠基本上能做到10萬片的話，將將收支能平衡這樣一個(gè)情況。

那現(xiàn)在大家也都在降價(jià)，它怎么辦呢？它是繼續(xù)生產(chǎn)降價(jià)賣還是怎么樣，降價(jià)賣肯定就面臨虧損。G3這個(gè)generation之前在1月份之前是說被美國(guó)也禁掉了，就是美國(guó)之前對(duì)DRAM的要求是18和18以下的制程，美國(guó)的設(shè)備是不允許賣設(shè)備的。但是好像近期它們得到的消息，因?yàn)榉N種原因美國(guó)是放開了它所謂的D17可以量產(chǎn)，但是它D17良率不好，還沒有客戶，所以也比較慘。

國(guó)際上來講也是，像DRAM的話，DRAM是最糟糕的，3D好像還好一點(diǎn)，DRAM最大的就是海力士、三星和美光，它們庫存又是在高位，現(xiàn)在各家都在裁員，減少支出，然后降價(jià)。所以現(xiàn)在來看，我們目前或者說大家的共識(shí)是至少要看到今年的Q3，可能再根據(jù)實(shí)際情況，因?yàn)楝F(xiàn)在形勢(shì)也多變，不好說，看看會(huì)是什么樣情況。對(duì)于蝕刻設(shè)備來講，現(xiàn)在的訂單量明顯是減少的，包括在美國(guó)去年頒了這個(gè)禁令之后，像Lam也好，美國(guó)的2個(gè)廠商也好，它們直接宣布2023年的revenue將近砍掉25-30%，revenue少就說明它賣得少，預(yù)測(cè)大概是這樣。

Q:關(guān)于邏輯芯片受到的影響，中芯國(guó)際請(qǐng)您再看一下？

ES:我個(gè)人認(rèn)為或者說其他家認(rèn)為，中芯影響不是很大。為什么？因?yàn)橹行酒鋵?shí)早在2018年美國(guó)第一次做這個(gè)禁令的時(shí)候，那個(gè)時(shí)候影響是最大的。那它通過4年的自救，中芯現(xiàn)在說白了它7nm是能夠產(chǎn)的，只不過因?yàn)樗鼪]有EUV，沒有極紫外光的光刻機(jī)，它用DUV，就剛才我一開始跟你提到的這個(gè)。它用doublepatterning的方式，就是多重曝光的方式，用DUV的方式做成曝光，能夠達(dá)到線寬縮小，但是這個(gè)不好的一點(diǎn)就是它的cost會(huì)非常高。你別看EUV光刻機(jī)價(jià)錢很高，但是中芯現(xiàn)在用DUV，一道layer，就是一個(gè)loop，比如說AA也好，或者fin這個(gè)loop也好。打個(gè)比方它可能做10次才能達(dá)到它們理想的線寬，但是可能EUV只要做2次就夠了，所以這里面就5倍的一個(gè)差，cost會(huì)比較高。

當(dāng)然了，雖然我們了解下來7nm其實(shí)是有一些良率或者之類的，但是具體有沒有客戶，因?yàn)樯婕暗胶苊舾械脑掝}，它們也沒給我們透露，但是陸陸續(xù)續(xù)有一些小的miniline在跑了。其實(shí)14已經(jīng)在正式量產(chǎn)了，說白了中芯，對(duì)它們來講能夠國(guó)產(chǎn)替代的基本上國(guó)產(chǎn)替代了，沒有國(guó)產(chǎn)替代的，它們以前買的一些設(shè)備其實(shí)也是能夠生產(chǎn)的，那中芯對(duì)logic來講影響不是很大。

中芯因?yàn)閿傋雍艽?，整個(gè)的8寸也有MegaFab上海的，然后12寸的也是上海的八廠，還有newfab在做28和14，14小量產(chǎn)，28是主流，北京的話40、45，天津的是8寸，深圳的8寸、12寸都有，那都是lowend的。Highend的這些制程主要是上海八廠和新fab在量產(chǎn)。華力來講的話，五廠和六廠是，在金科路這邊的這個(gè)廠其實(shí)也是lowend制程，沒有量產(chǎn)28，只是40、45和55CIS，康橋的廠是六廠，二廠、三廠現(xiàn)在建好了，但是后面怎么弄還不清楚。六廠主要量產(chǎn)的是28。14的話，不知道你們有沒有聽說，14之前其實(shí)也做了七七八八，因?yàn)檎麄€(gè)基本上也是copy的中芯的制程，14基本上做得也差不多了。但是因?yàn)槊绹?guó)的制裁之后，其實(shí)設(shè)備還是賣不進(jìn)來，所以它們暫停了14，所以華力主要以28為主。對(duì)中芯我覺得影響不大，而且現(xiàn)在中芯在臨港的泥城，然后在北京以及在天津都宣布了擴(kuò)建，而且是去年它們會(huì)上是說今年的資本基本上不會(huì)削減，還是按計(jì)劃投資，之前它們的說法是這些廠都是12寸，主要是為了用來擴(kuò)產(chǎn)28nm。因?yàn)?8nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)，根據(jù)一些專家或者臺(tái)積電以前那些說法，臺(tái)積電你別看它，現(xiàn)在28占了它的營(yíng)收還有將近超過10%，所以28技術(shù)節(jié)點(diǎn)停留的時(shí)間會(huì)很長(zhǎng)，而且它很成熟。然后28它又不算比較low的制程，好多的不管是哪個(gè)方面，汽車芯片也好，汽車芯片對(duì)于28相對(duì)來說已經(jīng)是很高端了，其他的一些中低端的手機(jī)、PC，可能都需要28這個(gè)制程，所以它停留時(shí)間會(huì)很長(zhǎng)。大概是這樣。

Q:目前長(zhǎng)存直接被列入最嚴(yán)的實(shí)體清單，長(zhǎng)存目前任何美國(guó)設(shè)備或者美國(guó)技術(shù)都無法買到？

ES:沒錯(cuò)，現(xiàn)在確定的是official的這些美國(guó)的頭部商家確實(shí)是買不到了。但是我是有聽說，因?yàn)槲以谀沁呉瞫upport過，也認(rèn)識(shí)很多人，現(xiàn)在這個(gè)也很敏感。它們第一尋找國(guó)產(chǎn)替代，當(dāng)然這個(gè)路很長(zhǎng)，但是現(xiàn)在已經(jīng)把這個(gè)提高為最高等級(jí)了，它們內(nèi)部成立了一個(gè)國(guó)產(chǎn)替代的委員會(huì)小組，專門做這個(gè)事情。目前它線上能生產(chǎn)，但是就像我跟你講的，設(shè)備已經(jīng)有了，但是零部件是一個(gè)大問題，因?yàn)榱悴考钠?，壞了，或者是有些是一次性換掉的。之前我是聽說10月7號(hào)頒布這個(gè)禁令之后，它們就開始行動(dòng)了。它們有些什么辦法？第一，從韓國(guó)、日本那邊找替代品，日本那邊可能主要是做替代品，韓國(guó)那邊主要是二手零部件，它可以曲線的有一些方法維持一陣子。一廠暫時(shí)還沒有停滯，還在做生產(chǎn)，不然的話。長(zhǎng)存裁員你們也知道了，一部分是為了縮減成本，另外一方面它現(xiàn)在產(chǎn)量方面來講也有所收窄。但還是在生產(chǎn)，有生產(chǎn)就有消耗，所以零部件現(xiàn)在對(duì)它們非常重要。

Q:所以相較于長(zhǎng)存，長(zhǎng)鑫、中芯、華力就只限于高端制程的美國(guó)設(shè)備無法進(jìn)口？

ES:你理解得沒錯(cuò)。

Q:在這樣的情況之下，10月7號(hào)美國(guó)直接頒布了美國(guó)技術(shù)的出口限制禁令，1月左右，日本、荷蘭又跟進(jìn)說可能在設(shè)備方面也會(huì)有出口的限制。在這段期間之內(nèi)，您觀察到日本、韓國(guó)包括歐洲的設(shè)備和零組件廠商，10月7號(hào)之后對(duì)于中國(guó)的出口都有什么樣的變化？

ES:怎么講呢？美國(guó)這邊就是想拉攏日本、荷蘭，這個(gè)是正常的，1月底基本上達(dá)成協(xié)議了，得到的消息是肯定日本會(huì)跟進(jìn)。荷蘭那邊我就不是很清楚了，但是肯定也會(huì)跟進(jìn)，具體光刻機(jī)那邊什么時(shí)候限制不是很清楚。但是光刻機(jī)有一個(gè)不太好的消息是，據(jù)說連DUV，就是深紫外光的設(shè)備都會(huì)禁，這個(gè)現(xiàn)在還沒有確切消息，而且具體什么時(shí)候不知道。日本這邊比較明朗，我們也大概清楚。日本基本同意美國(guó)的一起加入，具體的限制措施基本上會(huì)follow美國(guó)的這一套，就是logic的話是14及14以下，memory這邊3D是128以及128以上，DRAM也是D18以下。但是日本要通過修改法律的形式來達(dá)到限制出口，這里面修改法律需要時(shí)間，內(nèi)部來講是可能大概2-3個(gè)月的時(shí)間，那可能會(huì)在3月或者4月，或者再晚一點(diǎn)，可能5月會(huì)正式announce。目前來講，尤其是日系頭部廠商來講，還是能夠出貨給任何一家的，包括長(zhǎng)存。

Q:所以可以理解為10月7號(hào)之后，長(zhǎng)存、長(zhǎng)鑫、中芯加大了和日系或者是其他的非美的供應(yīng)商的合作強(qiáng)度，或者是拉貨的力度？

ES:當(dāng)然。尤其是因?yàn)槿毡臼怯幸恍┰O(shè)備，國(guó)產(chǎn)設(shè)備目前來看可能暫時(shí)還不一定完全跟得上它的技術(shù)，所以中芯也好、長(zhǎng)存也好、長(zhǎng)鑫也好，它們可能會(huì)囤一部分日本的設(shè)備。說法是日本的這個(gè)應(yīng)該是6月，也是像美國(guó)10月7號(hào)一樣全面禁止，可能還有3-4個(gè)月的時(shí)間。

Q:國(guó)內(nèi)頭部的設(shè)備廠商，比如中微、北方華創(chuàng)、屹唐、拓荊等等，在更先進(jìn)的14nm以上或者128層以上的相關(guān)設(shè)備零組件采購(gòu)方面，是否也會(huì)面臨限制？

ES:是的，你說得對(duì)。零部件雖然我們叫國(guó)產(chǎn)設(shè)備，但是你這個(gè)國(guó)產(chǎn)設(shè)備上非美的parts有多少，這個(gè)就要去想一想。我們了解下來所知道的，因?yàn)檫@行業(yè)圈子也小，中微的設(shè)備的非美的零部件率做得是最好的。它們很早以前，2018年中芯那一次的時(shí)候，它們內(nèi)部就已經(jīng)有共識(shí)是不知道以后美國(guó)會(huì)再來一些更嚴(yán)的還是怎樣的一些東西，不清楚。一旦限制了，如果我這個(gè)tool上、機(jī)臺(tái)上有50%的零部件都來自于美國(guó)、歐洲，那后面一樣一塌糊涂的，所以它們現(xiàn)在做得是最好的。華創(chuàng)那邊其次。但是大家現(xiàn)在都有共識(shí)了，現(xiàn)在基本上非美的兩家至少60%以上都是能達(dá)到的，但是還有一些美國(guó)替代品繞不開的東西，有幾大非常key的parts是繞不開的，可能路就比較長(zhǎng)了。那就涉及到美國(guó)零部件它不供應(yīng)這些parts，如果它真的完全響應(yīng)美國(guó)的號(hào)召，一點(diǎn)都不給供應(yīng)的話，那確實(shí)還是比較麻煩的，對(duì)于國(guó)產(chǎn)設(shè)備來講也是比較麻煩的。零部件里面有幾個(gè)非常關(guān)鍵的東西，我個(gè)人暫時(shí)來看，至少1-2年內(nèi)可能尋求。但是這里面怎么講，我們叫非美，我可以尋求日本的、或者尋求歐洲的、或者尋求韓國(guó)的，這個(gè)是要看國(guó)產(chǎn)設(shè)備是怎么想的。我個(gè)人認(rèn)為它們現(xiàn)在肯定也是這么做的，先是尋求歐洲的能夠替代美國(guó)的，這個(gè)跟美國(guó)的parts的精確率或者品質(zhì)來講應(yīng)該是差不多的，可能有一些瑕疵，其次再是尋求純國(guó)產(chǎn)的替代。

有幾個(gè)關(guān)鍵部件是，射頻發(fā)生器我們叫RFgenerator；第二個(gè)是ESC，我們叫E-chuck，就是wafer傳送到設(shè)備里面去得放在一個(gè)臺(tái)子上，那個(gè)東西叫E-chuck，它是靜電吸附的；還有一個(gè)就是真空壓力表。這里面國(guó)產(chǎn)替代最有可能的或者是最先能夠?qū)崿F(xiàn)的應(yīng)該是ESC，就是放wafer平臺(tái)的這個(gè)東西，難度最大的是真空壓力表。真空壓力表這個(gè)東西是一個(gè)軍用管制品，非常小的一個(gè)parts零部件，但是它是能夠精確控制腔體里面壓力的一個(gè)非常關(guān)鍵的零部件。但在目前來看，這個(gè)是美國(guó)產(chǎn)的，國(guó)產(chǎn)的我們先不提，國(guó)產(chǎn)現(xiàn)在離這個(gè)距離實(shí)在是太遠(yuǎn)了，根本沒辦法精確控制到這種毫托級(jí)別的壓力。比如說一般真空的腔體里面10毫托、20毫托的腔體壓力一定要控制住的，也就是離真空差這么一點(diǎn)點(diǎn)，一直保持，要通過壓力計(jì)來控制?，F(xiàn)在歐洲是有一家替代商的，但是精確度跟現(xiàn)在美國(guó)這家比有一段差距，它能夠精確控制，但是不穩(wěn)定，你過個(gè)2-3天再去看，它這個(gè)零點(diǎn)校正就飄了，這個(gè)是比較討厭的事情。那晶圓這個(gè)東西又很金貴，你不能是說我要長(zhǎng)期地，設(shè)備、fab是24小時(shí)運(yùn)轉(zhuǎn)的，所以這個(gè)東西。其實(shí)華創(chuàng)我是知道它很早以前就尋找真空壓力表的替代了，就尋找的歐洲的這一家。但是它們賣到客戶那邊去的話，客戶抱怨很大，真空壓力表很麻煩，每天都得派人去調(diào)，校正它，目前還沒達(dá)到像美國(guó)這一家的精度。那國(guó)產(chǎn)的路就更長(zhǎng)了，我了解下來，具體哪一家其實(shí)我現(xiàn)在也不好透露，這個(gè)有2家，但是你別說距離美國(guó)的了，距離歐洲那家也是差得非常大。所以這是很要命的一個(gè)東西，就看比如說國(guó)產(chǎn)設(shè)備第一，現(xiàn)在我不知道這個(gè)壓力表賣到比如中微也好、北微也好，它賣到中微、北微的話，現(xiàn)在能不能賣我就不清楚了，是不是以前它們囤過很多也不清楚，至少我個(gè)人覺得它們現(xiàn)在應(yīng)該在囤。上次我有個(gè)朋友跟我講過，已經(jīng)開始囤歐洲這一家的真空壓力表了，這是對(duì)的，總比后面機(jī)臺(tái)賣不出去強(qiáng)，你機(jī)臺(tái)上缺了這個(gè)東西賣不出去的，不能生產(chǎn)的。

像ESC和RFgenerator，國(guó)產(chǎn)的路比較長(zhǎng)，但是至少不會(huì)像真空壓力表拉的差距這么大，我覺得1-2年之內(nèi)有希望能夠做到的。況且像ESC和射頻發(fā)生器，日本做得是比較好的，日本現(xiàn)在也還沒有announce正式的管制范圍，所以它們也可以大批量采購(gòu)，應(yīng)該沒有問題。而且現(xiàn)在像華創(chuàng)包括中微，好多ESC和射頻發(fā)生器已經(jīng)開始采用日本的了，日本的因?yàn)榫ぷ龅眠€是不錯(cuò)的，還有Toto做的ESC，做得還是很不錯(cuò)的。國(guó)產(chǎn)，ESC我覺得差不多了，基本上有一些廠家能夠做到跟日本媲美的水平了。射頻發(fā)生器的話，因?yàn)樗锩嫔婕暗矫}沖，沒有脈沖的話其實(shí)國(guó)產(chǎn)基本上也能做到一定水平了，涉及到脈沖，就比較advance一點(diǎn)，可能還要努努力。大概是這樣。

Q:美國(guó)的禁令針對(duì)14nm以及更先進(jìn)的制程，拿刻蝕設(shè)備為例，比如說中芯國(guó)際在做28nm的時(shí)候，它的刻蝕設(shè)備機(jī)臺(tái)采購(gòu)Lam、AppliedMaterials，是否28nm制程也受到了影響？28和14可能會(huì)有一些共用的技術(shù)，美國(guó)是直接把這種設(shè)備28nm的也禁掉，還是就允許你28nm但要在后臺(tái)做監(jiān)測(cè)？

ES:這個(gè)就看買家和賣家怎么達(dá)成協(xié)議了。你說得沒錯(cuò)，28nm的好多設(shè)備其實(shí)是可以用來做14nm的。理論上來講，它買設(shè)備有一個(gè)標(biāo)書或者是有一些contract，只要中芯說我是買來用來做28的，Lam也會(huì)說你如果用來做14，可能會(huì)受到美國(guó)政府的追究責(zé)任什么的，那大家official上面agreement一下就沒問題了，設(shè)備是可以正常出的。但是買進(jìn)來之后，就看中芯怎么用了，這個(gè)不太好查的。所以你這個(gè)說法是對(duì)的，就是它買28的機(jī)臺(tái)其實(shí)可以用來做14的，沒錯(cuò)，是的。但是萬一美國(guó)查起來的話。不知道你們有沒有聽說，其實(shí)在美國(guó)10月7號(hào)頒布這個(gè)禁令之后，長(zhǎng)存還沒有進(jìn)入實(shí)體清單，只不過是受到一個(gè)list，就是不安全list，但是還沒有進(jìn)入黑名單。那在它12月底宣布了進(jìn)入黑名單這2個(gè)月之間，美國(guó)是有派人去長(zhǎng)存稽核的，有的。所以這個(gè)東西就看中芯它買了所謂的28的Lam的、Applied、TEL的設(shè)備，它用來生產(chǎn)14nm。如果美國(guó)真的要查，因?yàn)樗I的是美國(guó)的設(shè)備，美國(guó)是有權(quán)去查這種東西，就是有沒有涉軍用或者什么的，那一旦查到了就不太好看，但是我覺得美國(guó)也不至于來實(shí)地查吧。

Q:這種只能通過現(xiàn)場(chǎng)的盡職調(diào)查才有可能是吧？有沒有可能通過一些機(jī)臺(tái)的數(shù)據(jù)直接查明？

ES:機(jī)臺(tái)的數(shù)據(jù)。通過終端產(chǎn)品，比如說中芯已經(jīng)生產(chǎn)出14了，美國(guó)拿去分析這一道制程用沒用Lam的制程、用沒用TEL、用沒用中微，這個(gè)查不到的，必須要到現(xiàn)場(chǎng)去拉機(jī)臺(tái)上的一些數(shù)據(jù)才可以。

Q:如何對(duì)比中微和北方華創(chuàng)目前整體的技術(shù)能力和發(fā)展機(jī)會(huì)？

ES:首先，國(guó)內(nèi)的兩家龍頭就是中微和華創(chuàng)，這兩家在2018年以前可以說井水不犯河水，因?yàn)閮杉易龅漠a(chǎn)品不一樣，一個(gè)叫所謂的ICP電感式耦合，一個(gè)是CCP電容式耦合。電感式耦合主要是用來吃一些單晶硅、多晶硅、金屬這些東西，是用ICP來做的，那北方華創(chuàng)，這個(gè)是它們的專長(zhǎng)，而且一直以來基本上都是做ICP為主的，CCP基本上沒做過。中微主要就是電感式耦合，電感式耦合就是這種接觸窗、接觸孔，我們叫trench，介質(zhì)蝕刻。兩家其實(shí)各做各的，很少有去打擾它。就技術(shù)來講，中微的CCP做得是相當(dāng)出色的，華創(chuàng)的ICP可圈可點(diǎn)。到了2018年以后，中微開始就做ICP了，而且發(fā)展得非常迅速，到去年為止，它的ICP我個(gè)人感覺，我雖然做etch的，我做ICP比較少，但是這個(gè)基本上是通的。中微的ICP做得，這么講，中微有ICP已經(jīng)賣到英特爾去了，而且做的是很關(guān)鍵的制程，很key的layer，而且賣了十幾二十幾臺(tái)，ICP，那華創(chuàng)就沒有賣到英特爾過。中微我聽說是從2016年、2017年就開始做ICP了，它因?yàn)橛蠧CP的沉淀，所以做起來很快。再說華創(chuàng)，華創(chuàng)的ICP，其實(shí)我個(gè)人覺得華創(chuàng)就etch干刻來講做得一般般。因?yàn)槿A創(chuàng)它的攤子鋪得很大，不光是蝕刻，它CVD這些東西做得也還是不錯(cuò)的，它的revenue其實(shí)這幾大塊里面，還有太陽能這些東西，其實(shí)干刻是墊底的，華創(chuàng)里面。它其實(shí)40、45的ICP，像前道的這種activeAA、gatepoly做得也基本上成熟了，北京的像40、45這些基本上都用它的了。但是到了28，后面甚至到了14，它在做這種多晶硅、單晶硅蝕刻的時(shí)候就是一直沒有那么大的突破，尤其是14。14nm它選擇一開始跟中芯做，中芯不要它做的，第一中芯當(dāng)時(shí)14在那個(gè)誰來了之后趕進(jìn)程，不想在國(guó)產(chǎn)上消耗太多時(shí)間。后來華創(chuàng)找的是ICRD，也是同樣進(jìn)入了黑名單的上海集成電路研發(fā)中心，合作。其實(shí)開發(fā)的時(shí)間很久，大概我覺得2-3年時(shí)間，14nm的單晶硅蝕刻才有一些突破，但是切入點(diǎn)已經(jīng)很慢了，在中芯那邊基本上切入不進(jìn)去了，中芯14根本就沒有要華創(chuàng)的設(shè)備。所以華創(chuàng)的ICP我覺得做得很一般。再說華創(chuàng)的CCP。因?yàn)樗吹街形CP做好了之后，中微就開始做ICP，而且做得還不錯(cuò)，它們也眼饞，從2021年開始立項(xiàng)，它們成立了一個(gè)研發(fā)三部，專門做CCP，專門請(qǐng)專家來做的。現(xiàn)在將近不到一年半，前一段時(shí)間我也問過一些朋友，說做CCP基本上還是一些比較低端的。好像整個(gè)平臺(tái)是打好了，但是現(xiàn)在要想打入到廠里面去的話，好像小廠的一些低端的制程打算用它們的CCP做一些東西。

所以從現(xiàn)在中微的形勢(shì)來看，我覺得中微蝕刻起家，ICP、CCP現(xiàn)在都做得不錯(cuò)，它現(xiàn)在還做MOCVD、外延這種東西都在做，而且還有LED藍(lán)光這種東西，南昌那邊也成立了一個(gè)生產(chǎn)研發(fā)中心，所以中微我覺得勢(shì)頭還是比較大的。而且號(hào)稱，也不是號(hào)稱，媒體報(bào)道也好，當(dāng)然中微有辟謠，就是說我們的設(shè)備已經(jīng)打入到臺(tái)積電的5nm的工藝。當(dāng)然5nm我們后來覺得這簡(jiǎn)直在吹，那實(shí)際問下來人家并沒有吹，就是它確實(shí)打入了臺(tái)積電的5nm的制程，但是不是keylayer，不是特別關(guān)鍵的工藝，關(guān)鍵工藝基本上還是掌握在頭部廠商里面。但是這也表明了中微的非keylayer，就是中微打入的在gate或者fin那道里面的一個(gè)bulk制程，也就是在剛才一開始提到的litho-etch-litho-etch里面的某一道制程。其實(shí)那個(gè)要求也是很高的，臺(tái)積電的要求一直很高，一般能打入臺(tái)積電這個(gè)的話，其實(shí)很不容易的。它那個(gè)線寬要做得非常小，所以中微在國(guó)內(nèi)里面算龍頭我覺得一點(diǎn)都不為過。而且中微它運(yùn)氣比較好，中微切入點(diǎn)，在2016年、2017年武漢的長(zhǎng)江存儲(chǔ)起來的時(shí)候，宣布要投那個(gè)的時(shí)候。其實(shí)一開始作為我們頭部廠商，那時(shí)候紫光說要在武漢建一條3DNAND線，3個(gè)廠一個(gè)廠10萬片的，包括我們頭部廠商覺得它在吹的，圈國(guó)家錢。

但中微不一樣，不管它是有內(nèi)部消息也好還是怎么樣，它們非常重視的。所以從一開始它們做32層趟趟水的產(chǎn)品制程，它就非常重視，中微，在那深耕了好幾年，現(xiàn)在中微的干刻，你可以看它的年報(bào)，干刻產(chǎn)品的revenue里面，武漢的收入占了1/3到40%的revenue，你想這個(gè)有多夸張。我因?yàn)樵陂L(zhǎng)存那邊做的時(shí)間很長(zhǎng)，基本上長(zhǎng)存一開始建廠的時(shí)候，我們就開始有人過去了，我是最早的。那我們就一點(diǎn)一點(diǎn)看著中微，一步一步蠶食這種國(guó)際大廠的一些layer。你看現(xiàn)在長(zhǎng)存128那個(gè)，就是它現(xiàn)在一廠128量產(chǎn)的那個(gè)，整個(gè)中后段基本上，還有所謂的最后面一道passivation可能現(xiàn)在還不是中微的，其他的全部都是中微的。整個(gè)后段其實(shí)也很吃chamber的，因?yàn)楹蠖问墙饘龠B線，金屬連線就是不停在重復(fù)的，第一層metal、第二層metal、第三層metal，一旦拿下來你好幾層metal就是chamber很厲害的。甚至我們?nèi)ツ暧薪y(tǒng)計(jì)過中微總的腔體數(shù)，現(xiàn)在在武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)一廠里面的設(shè)備的腔體的量，其實(shí)是超過日本頭部公司那個(gè)量的，還沒達(dá)到LamResearch泛林的那個(gè)，Applied就更慘了，Applied在etch這邊基本上已經(jīng)全軍覆沒了。

所以中微在YMTC的marketshare非常好。然后它做的東西并不是我們想的那么low什么的，其實(shí)做出來基本上跟頭部大廠的，因?yàn)橐蝗凰豢赡芰慨a(chǎn)的，量產(chǎn)就是良率要達(dá)到它們YMTC客戶的要求的。你可以看TechInsights的那些東西，我們一看后段到中段整個(gè)全部都是，包括YMTC的Xtacking那個(gè)技術(shù)，它們獨(dú)一無二的那個(gè)專利技術(shù)，兩片waferbonding的，bonding里面wafer連接起來這些東西也都是中微做的。中微在YMTC是弄得很不錯(cuò)的，你看華創(chuàng)marketshare，中微在YMTC的蝕刻里面，它的市占率已經(jīng)超過日本那家公司的marketshare，超過30%了。再看華創(chuàng)，像YMTC這么大的，YMTC其實(shí)在國(guó)內(nèi)內(nèi)存里面，國(guó)內(nèi)就一家，做得真的是很快、很好，不像長(zhǎng)鑫。

北方華創(chuàng)在YMTC的marketshare兩位數(shù)可能還不到，10還不到，做得不好。所以個(gè)人比較下來，國(guó)產(chǎn)設(shè)備前景來看，但是你看華創(chuàng)它純國(guó)企，然后攤子鋪得比較大，將來中微怎么比我也不是很清楚。中微現(xiàn)在我覺得它ICP也做得很不錯(cuò)，如果有突破的話，我覺得將來可期反正，華創(chuàng)它可能蝕刻少一點(diǎn)或者怎么樣，其實(shí)不太影響它的那個(gè)，就看它怎么發(fā)力了。我個(gè)人是這樣認(rèn)為的，前景方面來看我比較看好中微，北微行動(dòng)力方面、執(zhí)行力方面稍微差一點(diǎn)，可能與背景有關(guān)。

Q:YMTC的3DNAND刻蝕機(jī)的邏輯，和中芯國(guó)際的logic刻蝕機(jī)應(yīng)用的邏輯是不是有一定的區(qū)別？這兩塊市場(chǎng)的刻蝕設(shè)備應(yīng)用邏輯有什么區(qū)別？

ES:有區(qū)別，邏輯和3D來比的話，主要的一個(gè)就是邏輯它需要的是高精密的。中微它最早2004年建廠，后來開始慢慢打入，它是由低端產(chǎn)品開始進(jìn)入市場(chǎng)，所以它便宜，這個(gè)是很多廠商看上的一點(diǎn)。所以便宜只能做一些非常低端的，那大線寬的，對(duì)這種一片wafer面內(nèi)的均勻性或者什么要求不是特別高的，它可以做的。那logic不行的，logic不管是28也好，14就更不用說了，40、45，客戶。你也可以從另外一方面了解到，就是logic一個(gè)wafer做出來的芯片的錢，它賣出來的錢和memory一片賣出的錢完全是不可同日而語的。那logic良率大部分人家要做到，像英特爾以前都要求做到99%的良率的，就是說每一個(gè)chip，哪怕曝完整個(gè)die，最邊緣的部分我也能用得上，這個(gè)要求非常高，所以要求你的精密度要非常高。3D就不一樣了，我個(gè)人理解下來它稍微粗糙一點(diǎn)，它主要是堆疊，3D就是像建樓房一樣，堆疊完了之后，它的尺寸其實(shí)是很大的。比如說你這個(gè)logic14nm它一個(gè)線寬要control到10nm、7nm，所以連1nm你都不能shift，1nmshift你就1/6沒了，所以這個(gè)是不行的。那3D里面不管是孔也好、槽也好，它是很大的，都是幾百納米的這樣一個(gè)尺寸。因?yàn)?DNAND是存儲(chǔ)電子的，叫非易失性存儲(chǔ)，所以它是要存儲(chǔ)電子，它就要存儲(chǔ)得越多越好，存得越多越好它就不可避免地，原來2D的flat的存儲(chǔ)不了那么多，后來就發(fā)明了3D堆疊。堆疊這里面它做的這樣一個(gè)存儲(chǔ)電荷的地方不要太小，反而要大一點(diǎn)，然后把它吃下去，能通就行了，不要有很深的這種孔，不要有太扭曲的現(xiàn)象，它就OK。而且像3D也好、DRAM也好，它的良率要求80以上就可以量產(chǎn)。一般像DRAM合肥長(zhǎng)鑫那條line，只要良率做到85%，我就可以賣錢了，當(dāng)然了這個(gè)錢賣得沒有l(wèi)ogic那么貴。所以它這里面是有要求的。所以對(duì)比下來，3D里面的設(shè)備的generation和logic這邊來比，logic一般比如說都是同種類型要刻一個(gè)蝕刻，一個(gè)槽也好，一個(gè)孔也好，logic里面的設(shè)備的迭代至少要比memory這邊高出1.5代或2代的水平。就是3D這邊的話，它的設(shè)備的需求量是非常多，但是對(duì)于精度方面，精度control或者什么要求是稍微次于logic的。當(dāng)然后面隨著現(xiàn)在像美光已經(jīng)第一家宣布量產(chǎn)232層了，隨著后面300層或者是更高，因?yàn)槿ツ旰Ａκ坎皇穷A(yù)測(cè)3DNAND堆疊技術(shù)可以做到1,000層嘛。隨著技術(shù)越來越難，它對(duì)設(shè)備的要求當(dāng)然不像我講的這種粗糙型的了，它可能也會(huì)要求越來越advance一點(diǎn)。我大概是這么理解。

Q:關(guān)于中微和華創(chuàng)的目前最先進(jìn)能達(dá)到什么樣的技術(shù)等級(jí)？比如中微的CCP和ICP在邏輯這一塊，目前能達(dá)到的技術(shù)水平多少納米，層或者具體的工序是哪一道？

ES:當(dāng)然有了解。Logic這邊，整體國(guó)產(chǎn)設(shè)備都比較落后、都比較差，市占率來講都比較差，可以說到28這個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的話，中微和華創(chuàng)我覺得都差不多。那28這個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)，我說邏輯，邏輯的話華創(chuàng)基本上前面的像AA、poly也是能做，但是沒有量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。可能現(xiàn)在55這個(gè)generation，華創(chuàng)、ICP是能夠有量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)的，不管是中芯或者是，北方中芯，尤其是北京中芯，華創(chuàng)深耕得比較多。剛才講了兩家都在開始做CCP、ICP，但是logic比較例外，還是個(gè)人管個(gè)人的這一攤。Logic里面，華創(chuàng)還是主攻ICP，中微還是主攻CCP，我目前為止還沒有聽說比如中微的ICP有進(jìn)入到logic廠里面的，或者華創(chuàng)的CCP有進(jìn)入到logic廠里面，沒有，因?yàn)閘ogic要求比較高，所以個(gè)人都還是專攻個(gè)人的那一塊。中微在CCP里面做得也不是很好，但是它現(xiàn)在基本上做到40、45這個(gè)generation的話，后段的一些大線寬的槽和孔，中微基本上已經(jīng)能夠有量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)了，尤其是在中芯里面。到28的話，中微和華創(chuàng)我了解下來有一道非常關(guān)鍵的，在logic里面，后段的CCP里面的一個(gè)叫金屬掩膜大馬士革工藝，不知道你有沒有聽說過。這個(gè)其實(shí)是日本頭部廠商那一家公司做得最好，marketshare基本上100%全是它做的。

中微其實(shí)從2014年開始就在中芯那邊做金屬掩膜大馬士革工藝了，但是一直都沒趕上好時(shí)機(jī)。40那個(gè)generation，中微、Lam、日本那個(gè)廠商同時(shí)PK的，但是最后被日本那個(gè)廠商給拿下了，Lam也失敗了，中微也失敗了。后來又面臨一次機(jī)會(huì)是上海中芯要開始量產(chǎn)28和14，有一部分40、45的技術(shù)要transfer到北京去，這個(gè)時(shí)候中微覺得也是個(gè)機(jī)會(huì)，想再去趁這個(gè)transfer的機(jī)會(huì)能不能之前沒打好的一些東西繼續(xù)找北京的人再做一下。后來做的結(jié)果也還是在reliability，我們叫可靠性方面，做得也確實(shí)還是不如它的日本那家做得好，所以又丟了。所以在logic里面，back-end后段的金屬掩膜大馬士革工藝是非常重要的一道工藝。第一，后段全是重復(fù)的，剛才講過了，你一旦一道拿到了，而且邏輯的后段的金屬層數(shù)非常多，一旦拿到了1層，10層全是你的，這個(gè)又很那個(gè)。中微一直在做，但是目前了解下來還沒有一家，不管在哪個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)。金屬掩膜大馬士革工藝是在28這個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)才開始有的，但有一些家像聯(lián)電、還有一些其他的小的fab，其實(shí)從40、45、55這個(gè)generation就開始用這個(gè)工藝了，28是所有廠家都用了。沒有做金屬掩膜大馬士革工藝的時(shí)候，40、45中微還是后段有一些制程，它是分開做的，就是溝槽和通道孔，這兩道是分開做的。那通道孔的話，中微在40、45這個(gè)generation，就還沒有用到大馬士革工藝的時(shí)候，它已經(jīng)是拿到PO了，有量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)了。但是28這個(gè)generation全部都切換到金屬掩膜的大馬士革工藝的時(shí)候，中微目前還正在，可能有的是在客戶的現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證中，還沒有達(dá)到完全量產(chǎn)的水平。

華創(chuàng)主要是前道，前道m(xù)arketshare也很少，就是一些單晶硅和多晶硅的蝕刻，它現(xiàn)在我了解下來也就到40、45，中芯可能有小量產(chǎn)，28的也沒有。綜合下來看logic工藝，中微和華創(chuàng)兩家差不多，由于工藝的特殊性，而且40、45、28已經(jīng)是成熟工藝了，除非新開的fab愿意走國(guó)產(chǎn)線路，它們可能才有更多的機(jī)會(huì)。比如說像嘉定的ICRD就是集成電路研發(fā)中心，那條線其實(shí)內(nèi)部來講是華為那條線，它肯定要走全國(guó)產(chǎn)能，可能中微是一個(gè)機(jī)會(huì)。包括其他的現(xiàn)在南方開的、深圳即將要開的一些fab，包括杭州、北京京城這些開的，我覺得國(guó)產(chǎn)設(shè)備后面是有希望。再加上美國(guó)這次的這個(gè)，可能作為fab來講，要堅(jiān)定一下信念，還不知道美國(guó)后面會(huì)做出什么事情呢，對(duì)吧。

Q:中微的ICP發(fā)展比較迅速，中微的ICP打進(jìn)了英特爾的十幾納米或者是20納米的制程？

ES:不，英特爾不是logic，是3D。

Q:中微能打進(jìn)5nm的某一個(gè)非關(guān)鍵制程，那為什么沒有進(jìn)入中芯的14或者28nm那一塊？

ES:這里面就涉及到還是一開始那個(gè)問題，是臺(tái)積電。臺(tái)積電的5nm它是用EUV做的，EUV做的話它直接一步曝光顯影就可以做了。那中芯這邊的14nm還有7nm它是用多重曝光的方式，以前它一直沿用的是其他家做的，那中微再插進(jìn)去的話就比較晚了。中微它走臺(tái)積電這條路線其實(shí)也非常早，它一開始成立之后就在臺(tái)灣設(shè)立分公司了，它在那邊深耕了很久。臺(tái)積電因?yàn)榧夹g(shù)路線也是最前沿的，它切入進(jìn)去之后又一直跟它們保持聯(lián)系，所以臺(tái)積電覺得后面你達(dá)到我的要求了，那我就可以用你，而且價(jià)錢又比其他家便宜，所以用了。那中芯它是后來，你要跟別人家去搶的話其實(shí)很難的，因?yàn)椴煌腸hamber，你要做到相同的工藝，chamber本來design設(shè)計(jì)就不一樣，你強(qiáng)制要求我要做一模一樣的東西出來，其實(shí)是有點(diǎn)強(qiáng)人所難。當(dāng)然了，中芯現(xiàn)在14nm前道的那些非criticallayer，中微我上次聽說已經(jīng)開始驗(yàn)證得差不多了，7nm的話我沒聽說，14nm的話我是知道類似于臺(tái)積電這種noncriticallayer已經(jīng)開始可以做了。

Q:國(guó)內(nèi)的在蝕刻現(xiàn)在主要是拿納米制程來判斷技術(shù)的提升標(biāo)準(zhǔn)，以28和14nm這個(gè)logic為主，實(shí)現(xiàn)設(shè)備全流程國(guó)產(chǎn)替代的可能性還有時(shí)間該如何看呢？

ES:你說刻蝕設(shè)備在14nm這個(gè)generation全國(guó)產(chǎn)化的代替是吧？28的我覺得2-3年全國(guó)產(chǎn)代替是有希望的。28和14我個(gè)人覺得差別比較小，差別不是特別大，頂多就是前段有一些工藝稍微有點(diǎn)差，但是后段如果一旦28能做出來，剛才我講的最重要的大馬士革工藝能做得出來的話，14和28可能也就差個(gè)一年、半年我覺得差不多沒有問題。14和28的話，主要前道有一些工藝華創(chuàng)那邊可能需要做一些突破。28的我覺得會(huì)比較快，如果現(xiàn)在中芯宣布了說28馬上要開始大量鋪開的話，不管是軍備競(jìng)賽也好，還是中國(guó)要尋求從28開始突破，我覺得快的話一年半，能全國(guó)產(chǎn)替代是有希望的。

Q:這種預(yù)估良率能達(dá)到多少？

ES:預(yù)估良率，logic的話，我個(gè)人覺得一年半、2年達(dá)到跟現(xiàn)在美國(guó)產(chǎn)線這種水平了，應(yīng)該是可以。我覺得良率也能達(dá)到目前的水準(zhǔn)，九十幾以上應(yīng)該是問題不大的，我個(gè)人認(rèn)為是有這個(gè)希望的。

Q:您有什么重要的話題或者您覺得有需要補(bǔ)充的地方嗎？

ES:再補(bǔ)充一點(diǎn)。國(guó)產(chǎn)里面還有一個(gè)屹唐你們沒提到，屹唐是買的美國(guó)的Mattson，那干刻里面，以前Mattson又不是那什么，沒什么意義，Mattson不是做蝕刻起家的，它是做干法去光刻膠的。因?yàn)楹髞砜吹轿g刻的好像攤子比較容易賺錢，所以它們就在原來做干刻膠remove的這種腔體里面，隨便搭了一個(gè)干刻的設(shè)備。其實(shí)它現(xiàn)在要走的路，它也是想走ICP，走的路太長(zhǎng)了。曾經(jīng)在YMTC那邊有一些突破，但是后來量產(chǎn)線有一個(gè)不好的事情，它repeat的ability不好，run個(gè)幾片還行，run個(gè)幾千片、上萬片的出了很大的case，導(dǎo)致它的reputation很差，就是報(bào)廢了很多片，現(xiàn)在基本上也不能立足。但是它在退火、在光刻膠的remove方面做得還是不錯(cuò)的。所以干刻方面屹唐要走的路還很遠(yuǎn)。

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