存儲芯片行業(yè)深度報告：算力拉動，拐點提前

科技Party

（報告出品方/作者：國盛證券，鄭震湘、佘凌星）
一、AI 帶動存力芯片用量快速提升

1.1 AI 帶動算力及存力需求快速提升
ChatGPT 是 OpenAI 開發(fā)的一款聊天機(jī)器人，能夠更高層次理解人類需求并解決復(fù)雜問 題。ChatGPT 基于 Transformer 架構(gòu)算法，可用于處理序列數(shù)據(jù)模型，通過連接真實世 界中大量的語料庫來訓(xùn)練模型，可進(jìn)行語言理解并通過文本輸出，做到與真正人類幾乎 無異的聊天場景進(jìn)行交流。 ChatGPT 應(yīng)用場景廣泛，海外已有龍頭落地成功案例： 1）文字創(chuàng)意的生成：快速生成文章段落結(jié)構(gòu)。 2）客服系統(tǒng)：與客戶更流暢的交流。 3）虛擬人物對話：傳統(tǒng)虛擬人物會設(shè)定對話標(biāo)準(zhǔn)答案，ChatGPT 能夠更自然真實地與人 對話。 4）結(jié)合 Office 軟件：生成文檔、表格、PPT 等。 5）搜索：替代部分搜索需求。 6）咨詢領(lǐng)域：提供值得思考或探索的方向。 ChatGPT 海外已有應(yīng)用方案落地：為 BuzzFeed 提供個性化測試服務(wù)以及為 Amazon 解 決工程師技術(shù)難題等。
ChatGPT 帶動算力需求飆升，存算側(cè)硬件全面增量需求。據(jù) NVIDIA 估算，訓(xùn)練 GPT3，假設(shè)單個機(jī)器的顯存/內(nèi)存容量足夠的前提下，8 張 V100 顯卡訓(xùn)練時長預(yù)計達(dá) 36 年， 1024 張 80GBA100 顯卡完整訓(xùn)練 GPT-3 的時長為 1 個月，算力側(cè)硬件需求全面增長。
ChatGPT4 多模態(tài)演繹，算力需求進(jìn)一步激增。ChatGPT4 為多模態(tài)模型，使用圖像、 視頻等多媒體數(shù)據(jù)進(jìn)行訓(xùn)練，文件大小遠(yuǎn)超文字，進(jìn)一步驅(qū)動算力需求飆升。以 LAION5B 圖文數(shù)據(jù)集為例，其包含 58.5 億個 CLIP 過濾的圖像文本數(shù)據(jù)集，我們認(rèn)為圖像、視 頻類訓(xùn)練數(shù)據(jù)將驅(qū)動算力需求進(jìn)一步飆升。此外，大模型訓(xùn)練需要海量數(shù)據(jù)傳輸，由此 將對以服務(wù)器交換機(jī)為代表的數(shù)據(jù)傳輸設(shè)備產(chǎn)生更多需求，相關(guān)高算力芯片需求量將相 應(yīng)增長。

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高算力時代，Chiplet 助力突破芯片制程瓶頸。在速度方面，采取 3D 封裝技術(shù)的 chiplet 縮短了線路傳輸距離，指令的響應(yīng)速度得到大幅提升，寄生性電容和電感也得以降低， 此外，更多更密集的 I/O 接點數(shù)，電路密度提升將提高功率密度。3D 封裝由于采用更細(xì) 小、更密集的電路，信號傳輸不需要過多的電信號，從而功耗也會相應(yīng)降低。
整體來看，ChatGPT 將從算力側(cè)和數(shù)據(jù)傳輸端全面帶動顯卡及高算力芯片需求，由此將 從算力芯片、應(yīng)用端、存算一體、先進(jìn)封裝、封裝設(shè)備、IC 載板等多個領(lǐng)域帶動硬件市 場增量需求。
1.2 AI 服務(wù)器需求快速增長，有望帶動存儲行業(yè)困境修復(fù)
根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，2021 年全球服務(wù)器出貨量達(dá) 1315 萬臺，同比增長 7.8%， 對應(yīng)全球市場規(guī)模達(dá) 995 億美元。根據(jù) Counterpoint 預(yù)計，2022 年全球服務(wù)器市場規(guī) 模有望達(dá)到 1117 億美元，同比增長 17.0%。預(yù)計云服務(wù)提供商數(shù)據(jù)中心擴(kuò)張增長驅(qū)動 力主要來自于汽車、5G、云游戲和高性能計算。
AI 服務(wù)器滲透率依舊較低，增長空間巨大。根據(jù) TrendForce 數(shù)據(jù)，截止 2022 年全球搭 載 GPGPU 的 AI 服務(wù)器（推理）出貨量占整體服務(wù)器比重約 1%，同時 TrendForce 預(yù)測 2023 年伴隨 AI 相關(guān)應(yīng)用加持，年出貨量增速達(dá)到 8%，2022~2026 年 CAGR 為 10.8%。 根據(jù) TrendForce 數(shù)據(jù)，2022 年全球 AI 服務(wù)器采購中，Microsoft、Google、Meta、AWS 為前四大采購商，合計占比 66.2%。中國地區(qū) ByteDance（字節(jié)跳動）采購比例最高， 達(dá)到 6.2%。

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人工智能已成為解決艱巨業(yè)務(wù)挑戰(zhàn)的首選解決方案。AI 正在為各行各業(yè)的企業(yè)組織開辟 創(chuàng)新之路，從改善客戶服務(wù)、優(yōu)化供應(yīng)鏈、獲取商業(yè)智能，到設(shè)計新產(chǎn)品和服務(wù)等。NVIDIA 作為 AI 基礎(chǔ)架構(gòu)的先行者，NVIDIA DGX 系統(tǒng)可提供更強(qiáng)大、完整的 AI 平臺，將企業(yè) 組織的核心想法付諸實踐。目前 AI 大規(guī)模訓(xùn)練方面，NVIDIA 推出的最新 DGX 系統(tǒng)包括 A100、H100、BasePOD、SuperPOD 四款產(chǎn)品，其中，DGX A100、DGX H100 為英偉達(dá) 當(dāng)前服務(wù)于 AI 領(lǐng)域的服務(wù)器產(chǎn)品。
H100 采用先進(jìn)工藝芯片采用臺積電 4N 工藝+臺積電 CoWoS 2.5D 封裝，有 800 億個晶 體管對比 A100 有 540 億個晶體管，同時搭載了 HBM3 顯存，可實現(xiàn)近 5TB/s 的外部互 聯(lián)帶寬。H100 是首款支持 PCIe 5.0 的 GPU，也是首款采用 HBM3 標(biāo)準(zhǔn)的 GPU，單個 H100 可支持 40Tb/s 的 IO 帶寬，實現(xiàn) 3TB/s 的顯存帶寬。
DGX H100 帶來性能的快速飛躍，通過全新張量處理格式 FP8 實現(xiàn)。其中 FP8 算力是 4PetaFLOPS，F(xiàn)P16 達(dá) 2PetaFLOPS，TF32 算力為 1PetaFLOPS，F(xiàn)P64 和 FP32 算力為 60TeraFLOPS。在 DGX H100 系統(tǒng)中，擁有 8 顆 H100 GPU，整體系統(tǒng)顯存帶寬達(dá) 24TB/s， 硬件上支持系統(tǒng)內(nèi)存 2TB，及支持 2 塊 1.9TB 的 NVMe M.2 硬盤作為操作系統(tǒng)及 8 塊 3.84TB NVMe M.2 硬盤作為內(nèi)部存儲。根據(jù)官網(wǎng)信息，NVIDIA DGX H100 對比上一代產(chǎn) 品具有 6 倍的性能及 2 倍的網(wǎng)絡(luò)速度和高速可擴(kuò)展性，同時英偉達(dá)表示目前新款 DGX H100 已經(jīng)全面投入生產(chǎn)。
國內(nèi)華為的昇騰 Atlas 800（型號 9010）訓(xùn)練服務(wù)器是基于昇騰 910+Intel Cascade Lake 的 AI 訓(xùn)練服務(wù)器，具有高計算密度、高能效比與高網(wǎng)絡(luò)帶寬易拓展、易管理等特點，該 服務(wù)器廣泛應(yīng)用于深度學(xué)習(xí)模型開發(fā)和 AI 訓(xùn)練服務(wù)場景，適用于公有云、互聯(lián)網(wǎng)、運(yùn)營 商等需要大算力的行業(yè)領(lǐng)域。AI 處理器昇騰 910 是一款具有超高算力的 AI 處理器，其 最大功耗為 310W，華為自研的達(dá)芬奇架構(gòu)大大提升了其能效比。八位整數(shù)精度（INT8） 下的性能達(dá)到 640TOPS，16 位浮點數(shù)（FP16）下的性能達(dá)到 320 TFLOPS。
Atlas 800（型號 9010）訓(xùn)練服務(wù)器從配置來看，擁有 8 個昇騰 910 模組，單模組支持HBM2e技術(shù)，且擁有32GB容量及1228GB/s傳輸速度，AI算力達(dá)2.24 PFLOPS FP16/1.76 PFLOPS FP16。本地存儲支持 2 個 2.5 SATA+8 個 2.5 SAS/SATA 或 2 個 2.5 SAS/SATA+6 個 2.5 NVMe。 AI 服務(wù)器帶來存力硬件需求快速擴(kuò)展。根據(jù)美光數(shù)據(jù)測算，人工智能服務(wù)器中 DRAM 內(nèi) 容是普通服務(wù)器的 8 倍，NAND 內(nèi)容將是普通服務(wù)器的 3 倍，而大容量及高速率存儲器 將是算力數(shù)據(jù)迭代運(yùn)算的重要基礎(chǔ)。我們認(rèn)為，人工智能計算量日益增加，對于 AI 服務(wù) 器硬件需求將進(jìn)一步提升。從服務(wù)器硬件配置角度，HBM 技術(shù)將快速在 AI 服務(wù)器中普 及，其價格遠(yuǎn)高于現(xiàn)有基礎(chǔ)服務(wù)器配置，未來 AI 服務(wù)器需求將帶領(lǐng)存儲芯片出現(xiàn)量價齊 升的趨勢。
1.3 海外龍頭減產(chǎn)縮支，國產(chǎn)化存儲產(chǎn)業(yè)鏈或?qū)⒓涌觳季?/strong>
1. 美光科技
公司最新發(fā)布 2023 年 Q2 財報披露。2023 年 Q2 公司總收入約 36.93 億美元，環(huán)比下 降約 9.6%，同比下降約 52.6%，營業(yè)利潤虧損 22.13 億美金。2023 年 Q2 會計期末庫 存約為 81.29 億美元，較上一季度環(huán)比回落 2.75%，有望持續(xù)改善。2023 年 Q2 財年的 非 GAAP 每股虧損為 1.91 美元，低于上一季度的每股虧損 0.04 美元和上一年的每股收 益 2.14 美元，其中 Q2 財政每股收益包括約 1.34 美元的庫存減記損失。 2023 年 Q2 財政的公司分存儲芯片業(yè)務(wù)收入： a. DRAM：收入為 27 億美元，占總收入的 74%。DRAM 收入環(huán)比下降 4%，出貨量在預(yù) 期范圍內(nèi)微增，其中價格下降約 20%。 b. NAND 收入為 8.85 億美元，占總收入的 24％。NAND 收入環(huán)比下降 20％，價格下降 在 20%范圍內(nèi)。

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美光科技對于 2023 財年第三季度的 GAAP 收入指引為 37 億±2 億美元，較 2022 財年 第三季度 GAAP 收入的 86.42 億美元同比下降約 57%，環(huán)比有望持平。公司認(rèn)為財務(wù)業(yè) 績已在 2023 年第二財季達(dá)到較低位置，并看好未來幾個季度的財務(wù)業(yè)績快速修復(fù)。在 經(jīng)歷整體市場及公司財務(wù)業(yè)績低迷之后，公司預(yù)計將根據(jù)長期財務(wù)模型恢復(fù)正常的增長 和盈利能力。
2. 三星電子
2023 年 4 月 7 日三星電子發(fā)布 2023 年 Q1 業(yè)績，公司初步報表（未審計）預(yù)計 23Q1 營收 63 萬億韓元，yoy-19%，營業(yè)利潤為 6000 億韓元，同比-95.8%。 2022 全年公司業(yè)績收入 302.23 萬億韓元，yoy+8.1%；毛利率 37.1%，yoy-3.4pcts； 研發(fā)費(fèi)用率 8.2%，yoy+0.2pcts；營業(yè)利潤 43.38 萬億韓元，yoy-16.0%；營業(yè)利潤率 14.4%，yoy-4.1pcts；凈利率 18.4%，yoy+4.1pcts。22Q4 單季度公司業(yè)績收入 70.46 萬億韓元，yoy-8.0%，qoq-8.2%；毛利率 31.0%，yoy-10.3pcts，qoq-6.4pcts；研發(fā)費(fèi) 用率 9.2%，yoy+0.8pcts，qoq+1.0pcts；營業(yè)利潤 4.31 萬億韓元，yoy-68.9%，qoq60.3%；營業(yè)利潤率 6.1%，yoy-12.0pcts，qoq-8.0pcts；凈利率 33.8%，yoy+19.6pcts， qoq+21.6pcts。（凈利率大幅提升主因前期與子公司股息相關(guān)的遞延所得稅負(fù)債減少）
基于 2022 年全年公司分產(chǎn)品業(yè)績： 1）DRAM：22Q4 ASP 下降了 30%，預(yù)計 23Q1 DRAM 市場出現(xiàn)低個位數(shù)下降，公司與 市場保持同步。 2）NAND：22Q4 ASP 下降了 20%，預(yù)計 23Q1 NAND 市場出現(xiàn)中個位數(shù)下降，公司表 現(xiàn)略優(yōu)于市場水平。 3）出貨量：移動端，22Q4 智能手機(jī)出貨量為 5800 萬部，ASP 為 240 美元，平板電腦出貨量為 800 萬部；預(yù)計 23Q1 智能手機(jī)出貨量和 ASP 將上升，但平板電腦出貨量將下 降；電視端，22Q4 液晶電視銷量增長了 15%，預(yù)計 23Q1 銷量將下降 10%~15%。
3.海力士
2022 全年業(yè)績收入 44.65 萬億韓元，yoy+4%；營業(yè)利潤 7.01 萬億韓元，yoy-44%；營 業(yè)利潤率 16%，yoy-13pcts；凈利潤 2.44 萬億韓元，yoy-75%。2022Q4 業(yè)績收入 7.70 萬億韓元，yoy-38%，qoq-38%；營業(yè)虧損 1.70 萬億韓元，上年同期為盈利 4.20 萬億 韓元；營業(yè)利潤率-22%，上季度為 15%，去年同期為 34%；凈虧損 3.52 萬億韓元，上 年同期為凈盈利 3.32 萬億韓元。

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分產(chǎn)品業(yè)績
1）NAND：NAND 產(chǎn)品在 2022Q4 收入為 2.39 萬億韓元，占 2022Q4 公司總收入 31%。 從應(yīng)用上來講，SSD&Mobile 共占 NAND 的應(yīng)用收入的 90%，USB，Card 和其他的應(yīng)用 占剩余的 10%。 2）DRAM：DRAM 產(chǎn)品在 2022Q4 收入為 4.62 萬億韓元，占 2022Q4 公司總收入 60%。 3 ） 從 應(yīng) 用 上 來 講 ， Server 占 DRAM 的 應(yīng) 用 收 入 的 50% ， PC 占 20% ， Graphics,Consumer&Mobile 占應(yīng)用收入的剩下 30%。
4.海外公司資本開支：
1）美光：率先宣布將削減投資計劃。之前美光已大幅削減資本開支，2023 年第二財季 將進(jìn)一步削減 2023 財年資本開支，目前預(yù)計投資約 70 億美元，同比下降 40%，同時芯 片設(shè)備方面的支出削減最多達(dá) 50%，以放緩供應(yīng)增長。 2）三星電子：公司表示由于全球經(jīng)濟(jì)疲軟以及客戶專注于用完庫存而放緩采購，內(nèi)存需 求急劇下降，從而進(jìn)一步影響了行業(yè)定價及公司業(yè)績?；诂F(xiàn)有供給保障，公司將把存 儲芯片的產(chǎn)量降到一個較為平衡的水平。我們認(rèn)為，公司相較之前減產(chǎn)態(tài)度有所改變， 短期內(nèi)或有望削減生產(chǎn)計劃，但長期來看公司也將對基礎(chǔ)設(shè)施及研究進(jìn)行長期投資，以 確保其行業(yè)領(lǐng)先地位。 3）海力士：相比 2022 年海力士由于經(jīng)濟(jì)周期下行、設(shè)備交期等因素及芯片供給過剩， 9 月底開始對設(shè)備商進(jìn)行砍單。據(jù)韓媒 BusinessKorea 報道，公司 2022 年資本支出 19 萬億韓元，2023 年將大幅縮減資本支出 50%。公司預(yù)期 2023 年 H2 整體存儲行業(yè)需求 端或?qū)?fù)蘇，但資本支出削減有助于公司靈活經(jīng)營業(yè)務(wù)。 美光、三星、海力士對于行業(yè)價格及景氣度預(yù)估將在 23 年 H2 恢復(fù)，各家公司減產(chǎn)及縮 減資本開支有利行業(yè)快速觸底反彈。我們認(rèn)為，行業(yè)周期屬性顯著，縮減資本開支是周 期的一部分，可以有效改善供需錯配關(guān)系，優(yōu)化行業(yè)格局和過剩產(chǎn)能，同時推動行業(yè)從 周期底部向上修復(fù)。
5.中國網(wǎng)信網(wǎng)公告對美光公司在華銷售進(jìn)行安全審查
根據(jù) 2023 年 3 月 31 日，中國網(wǎng)信網(wǎng)公告，為保障關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施供應(yīng)鏈安全，防范 產(chǎn)品問題隱患造成網(wǎng)絡(luò)安全風(fēng)險，維護(hù)國家安全，依據(jù)《中華人民共和國國家安全法》 《中華人民共和國網(wǎng)絡(luò)安全法》，網(wǎng)絡(luò)安全審查辦公室按照《網(wǎng)絡(luò)安全審查辦法》，對美 光公司（Micron）在華銷售的產(chǎn)品實施網(wǎng)絡(luò)安全審查。 國產(chǎn)化存儲產(chǎn)業(yè)鏈迎來布局時刻。我們認(rèn)為，隨我國存儲產(chǎn)業(yè)布局逐步完善，國內(nèi)將對 美光及一部分國外公司的依賴度將逐漸降低，國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)鏈公司有望快速崛起。 1）AI 服務(wù)器帶來存力硬件需求上行：根據(jù)美光數(shù)據(jù)測算，人工智能服務(wù)器中 DRAM 內(nèi) 容是普通服務(wù)器的 8 倍，NAND 內(nèi)容將是普通服務(wù)器的 3 倍，而大容量存儲器將是算力 數(shù)據(jù)迭代運(yùn)算的重要基礎(chǔ)。 2）庫存邊際改善，價格修復(fù)在即：美光 2023 年 Q2 會計期末庫存約為 81.29 億美金， 同比下降 2.75%，有望持續(xù)改善。AI 服務(wù)器有望帶動存儲行業(yè)景氣度及需求快速提升， 加速存儲行業(yè)庫存進(jìn)一步清出。根據(jù) TrendForce 數(shù)據(jù)，美光及 SK 海力士在內(nèi)的部分供 應(yīng)商已啟動 DRAM 減產(chǎn)計劃，2023 年第二季度 DRAM 價格跌幅將收窄至 10%到 15%。 3）國產(chǎn)化存儲產(chǎn)業(yè)鏈迎來布局時刻：國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)鏈多元化布局，2023 年有望完成產(chǎn) 品結(jié)構(gòu)快速升級。
二、DRAM：周期輪動，價格底部

2.1 DRAM：強(qiáng)周期屬性，高壟斷格局
DRAM 系存儲器第一大產(chǎn)品，占比全球儲存市場 53%的市場份額。DRAM 屬于易失存儲 器，多用于 cpu 和圖像系統(tǒng)緩存的臨時數(shù)據(jù)存儲，若斷電則存儲數(shù)據(jù)會丟失。DRAM 產(chǎn) 品緩存空間越大則可同時處理和儲存的數(shù)據(jù)也相應(yīng)更多，系電子設(shè)備不可或缺的組成部 分。

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復(fù)盤 DRAM 歷史周期變化情況，市場波動劇烈，周期屬性較強(qiáng)。在過去 30 年中，DRAM 市場經(jīng)歷過若干輪的驚人增長和毀滅性崩潰。2021年DRAM行業(yè)迎來42%的高速增長， 而根據(jù) IC Insight 預(yù)計，2022 年 DRAM 行業(yè)增速轉(zhuǎn)而下降 18%。
波動上升，市場規(guī)模呈增長趨勢。DRAM 系千億美金大市場，下游覆蓋消費(fèi)、PC、服務(wù)器等眾多領(lǐng)域，行業(yè)規(guī)模在周期輪動中不斷上升。根據(jù) IC Insight，2011 年全球 DRAM 市場規(guī)模為 296 億美金，而 2022 年全球 DRAM 市場規(guī)模將達(dá) 758 億美金，CAGR 達(dá) 8.9%。
DRAM 下游應(yīng)用主要在智能手機(jī)、PC 以及服務(wù)器三大領(lǐng)域，美國和中國系前兩大市場。 2021 年 DRAM 第一大應(yīng)用領(lǐng)域智能手機(jī)占比 39%，第二大應(yīng)用領(lǐng)域服務(wù)器占比 34%， PC 端整體出貨量同比 2020 年增長 14.8%，但受核心配件價格高漲和辦公需求萎縮的影 響，整體占比下降，僅為 13%。從區(qū)域分布看，美國和中國系 DRAM 前兩大市場，2019 年合計份額超 70%。
強(qiáng)周期屬性大浪淘沙，集中度不斷提升。在經(jīng)歷“需求提出-供不應(yīng)求-價格上漲-產(chǎn)能擴(kuò) 張-供給過剩-價格下跌-重新洗牌”的多輪周期往復(fù)后，當(dāng)前全球 DRAM 廠商形成了以三 星電子（韓國）、SK 海力士(韓國)和美光(美國)三大巨頭壟斷的局面。2021 年全球市場 份額中，三星、海力士、美光合計份額占比達(dá) 94%。

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DDR 技術(shù)不斷演進(jìn)，行業(yè)對于產(chǎn)品性能、內(nèi)存容量和功耗的追求也越來越高，標(biāo)準(zhǔn)工作 電壓越來越低，芯片容量越來越大，同時 IO 速率也越來越高。從最早的 128Mbps 的 DDR 發(fā)展到了如今的 6400Mbps 的 DDR5，每一代 DDR 產(chǎn)品的發(fā)布都伴隨著數(shù)據(jù)傳輸速率的 翻倍增長。
DRAM 產(chǎn)品中，DDR4 系當(dāng)前主流，DDR5 接力入場。DRAM 產(chǎn)品有明顯的新產(chǎn)品逐步 取代老產(chǎn)品的趨勢，老款 DRAM 逐步轉(zhuǎn)為利基型 DRAM 直至停產(chǎn)淘汰。第一代 DDR 產(chǎn) 品已停產(chǎn)，DDR2 在 2010 年占比高達(dá) 30%，而到了 2020 年僅占 1%，應(yīng)用于利基市場。 當(dāng)前 DRAM 市場 DDR4 系主流，2020 年占比達(dá) 78%左右。根據(jù) Yole，兩代內(nèi)存之間的 過渡時間大約只需要兩年，這意味著到 2023 年，DDR5 內(nèi)存的市場份額將高于 DDR4。 而到 2026 年，DDR4 份額或?qū)⒔抵?5%以下。
2.2 行業(yè)寒冬，周期視角下的底部
2.2.1 供需端：需求短期等待修復(fù)，DRAM 廠商難逃行業(yè)寒冬
2022 年供需位元差加大，供大于求困局未破。根據(jù) TrendForce，2023 年 DRAM 市場需 求位元長大率為 8.3%，系近年來首次低于 10%，遠(yuǎn)低于供給位元長大的 14.1%。因此 2023 年的 DRAM 市場在供過于求的情勢或愈演愈烈，供大于求仍是當(dāng)前困局。
下游需求疲軟，DRAM 市場規(guī)模連續(xù)多季度萎縮。2022 年疲弱的經(jīng)濟(jì)狀況和高通脹率 降低了全球范圍內(nèi)個人電腦、智能手機(jī)和其他消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求，DRAM 需求也因此 下降。預(yù)計 2022 年下半年 DRAM 銷售額將下降-40%至 293 億美元，而 2022 年上半年 銷售額達(dá) 490 億美元。同時，根據(jù) CFM 閃存市場，三季度存儲市場規(guī)模環(huán)比大跌 29.72% 至 177.64 億美元，創(chuàng) 10 個季度新低，預(yù)計 2022 年 Q4 市場規(guī)模將進(jìn)一步環(huán)比下跌。

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2022 年 Q4 多廠商業(yè)績下行，行業(yè)平均下跌達(dá) 30%。 三星：2022 年 Q4，DRAM 銷售收入達(dá) 54.05 億美元，環(huán)比減少 23.6%，市場份額為 44.5%。DRAM Bit 出貨量環(huán)比高個位數(shù)增長，ASP 環(huán)比下跌超 30%。 SK 海力士：2022 年 Q4，DRAM 收入達(dá) 34.07 億美元，環(huán)比減少 35.3%，DRAM 出貨量 環(huán)比持平，ASP 下跌超 30%。 美光：2022 年 Q4，DRAM 收入為 28.29 億美元，環(huán)比下跌 41.2%，DRAM Bit 出貨量環(huán) 比下降約 25%，DRAM ASP 環(huán)比減少 20%以上。 南亞科技：2022 年 Q4，DRAM 收入環(huán)比減少 30.3%至 2.53 億美元。 華邦電子:2022 年 Q4，DRAM 收入環(huán)比減少 29.8%至 1.06 億美元。
2.2.2 價格端：高水位庫存+低需求市場，降價持續(xù)
庫存端，以美光各季庫存進(jìn)行追蹤，自 2021 年 Q1 開始，公司庫存逐步進(jìn)入下降通道， 至 2021 年 Q4 達(dá)到底部。自此開始，受下游需求疲軟影響，公司庫存水位逐步增加，至 2023Q1，公司庫存水位已達(dá)近三年最高點，為 81.29 億美元，環(huán)比 2022 年 Q4 增幅超 18%。高庫存水位下，各廠商去庫存壓力迫在眉睫，同時疊加需求疲軟，直接導(dǎo)致 DRAM 市場產(chǎn)品價格大幅下跌。
供需對峙下，存儲廠商唯有降價。根據(jù) Trendforce，2023 年 Q1 下游各領(lǐng)域產(chǎn)品價格均 有超過 10%的下降。目前來看，PC 制造商仍有 9 至 13 周的 DRAM 庫存等待消化，但移 動設(shè)備領(lǐng)域的庫存水平相對健康，不過定價仍預(yù)計要下降 10-15%。由于消費(fèi)者對 DRAM 的需求低迷，供應(yīng)商將銷售的目光投向了服務(wù)器方面，然而這卻導(dǎo)致服務(wù)器 DRAM 庫存 的大量堆積。
現(xiàn)貨價：我們以 DDR3 4Gb 512Mx8 1600MHz 產(chǎn)品為例，現(xiàn)貨價格已至上一輪周期底部， 利基市場主要面向存儲速度性能不太高的市場，上一輪 DDR3 周期價格上行系三星、海 力士等龍頭廠商為準(zhǔn)備利潤更高的 DDR5 生產(chǎn)，逐步淘汰 DDR3 產(chǎn)能，導(dǎo)致 DDR3 短期 內(nèi)供需失衡所致。同樣，在本輪的 DDR3 價格下行周期中，三星放緩 line13 的 DDR3 產(chǎn) 能轉(zhuǎn)換至 CIS，也給供給端帶來更多壓力。本輪底部區(qū)間，在行業(yè)面臨寒冬，下游需求疲 軟，供給過剩的背景下，價格反彈壓力較大。

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三、NAND Flash:市場有望快速修復(fù)

NAND Flash 作為非易失性存儲，被廣泛應(yīng)用在下游設(shè)備資料儲存的應(yīng)用領(lǐng)域。NAND Flash 從特性來看斷電后不會丟失儲存信息特征，在生產(chǎn)過程中主流產(chǎn)品已具備規(guī)模化、 標(biāo)準(zhǔn)化的能力，同時容量大、價格較低，現(xiàn)階段作為主流的儲存介質(zhì)，被廣泛的應(yīng)用于 智能手機(jī)領(lǐng)域、筆電領(lǐng)域、服務(wù)器領(lǐng)域及汽車領(lǐng)域等。 從微觀結(jié)構(gòu)基本構(gòu)成來看，NAND Flash 的結(jié)構(gòu)從小到大分別為
cell-line-page-blockplane-die。例如三星型號為 K9K8G08U0A 的 Nand Flash，其內(nèi)部有兩個 K9F4G08U0A 的 chip，chip#1 和 chip#2，每個 K9F4G08U0A 的 chip 包含了 2 個 Plane，每個 Plane 是 2Gb bit，所以 K9F4G08U0A 的大小是 2Gb×2 = 4Gb = 512MB，因此，K9K8G08U0A 內(nèi)部有 2 個 K9F4G08U0A，或者說 4 個 Plane，總大小是×256MB＝1GB。
通過下游領(lǐng)域劃分，其最終儲存介質(zhì)的出貨形態(tài)劃分以 eMMC/UFS（主要應(yīng)用在移動設(shè) 備）、SSD（主要應(yīng)用在服務(wù)器和 PC）產(chǎn)品為主，及 SD/閃存盤（移動儲存 SD 卡及 U 盤） 為輔的產(chǎn)品設(shè)備中。在移動設(shè)備領(lǐng)域，相較于 eMMC 的封裝形式，UFS 封裝的閃存有著更高的寫入速度，更好的性能。智能手機(jī)端從 eMMC 發(fā)展現(xiàn)階段 UFS3.1 規(guī)格儲存，讀 寫速度進(jìn)一步提升，遠(yuǎn)超于 eMMC 幾倍的速率。SSD 產(chǎn)品則依據(jù)下游應(yīng)用場景對容量和 速度的要求部分，分為消費(fèi)級、數(shù)據(jù)中心級和企業(yè)級固態(tài)硬盤。
根據(jù)閃存市場 CFM 數(shù)據(jù)，2021 年 NAND Flash 市場容量達(dá)到 5700 億 GB，預(yù)計 2022 年 將增長 30%，達(dá)到 7410 億 GB。其中，2021 年 NAND Flash 主要以應(yīng)用于 mobile 市場 的 UFS、eMMC、eMCP 和 uMCP 產(chǎn)品為主的嵌入式存儲產(chǎn)品，和應(yīng)用于 PC 等消費(fèi)類渠 道市場的 cSSD、以及應(yīng)用于服務(wù)器市場的 eSSD 產(chǎn)品為主，占比分別為 39%、25%和 22%。根據(jù) Trendforce 的數(shù)據(jù)統(tǒng)計，未來到 2023 年，智能手機(jī)板塊的需求將小幅度上 漲，而服務(wù)器的需求將大幅上漲，與此形成對應(yīng)的則是在 PC 端的需求小幅下降。

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3.1 NAND Flash 市場規(guī)模持續(xù)增長
根據(jù)中金企信統(tǒng)計數(shù)據(jù)，NAND Flash2020 年市場規(guī)模為 534.1 億美元，預(yù)計到 2025 年， 全球 NAND Flash 市場規(guī)模講達(dá)到 931.9 億美元，2021 年至 2025 年，CAGR 增速 7.4%。 隨著 PC 及智能手機(jī)平均儲存容量的上升，及工業(yè)設(shè)備、傳感器、汽車系統(tǒng)和醫(yī)療系統(tǒng)等 設(shè)備中，人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)對海量數(shù)據(jù)處理需求增長，基于 NAND Flash 的儲存趨勢也 將繼續(xù)發(fā)展。
NAND Flash 技術(shù)一直基于二維平面的 NAND 技術(shù)，也就是我們說的 2D NAND 閃存。2D 在平面上對晶體管尺寸進(jìn)行微縮，從而獲得更高的存儲密度，但晶體管尺寸微縮遇到物 理極限，現(xiàn)已面臨瓶頸，達(dá)到發(fā)展極限。為了在維持性能的情況下實現(xiàn)容量提升，3D NAND 成為發(fā)展主流。根據(jù) International business strategies 數(shù)據(jù)顯示，2019 年，3D NAND 的滲透率為 72.6％，已遠(yuǎn)超 2D NAND，且未來仍將持續(xù)提高，預(yù)計 2025 年 3D NAND 將占閃存總市場的 97.5％。
3.2 等待下游需求恢復(fù)，價格欲將企穩(wěn)修復(fù)
3.2.1 供需端:產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)一步集中，供需逐漸修復(fù)
NAND Flash 寡頭地位逐步增強(qiáng)，根據(jù) Trendforce 數(shù)據(jù)顯示，CR6 包括三星、鎧俠、西部 數(shù)據(jù)、美光、英特爾、海力士總體市場規(guī)模占比約 99%，其中三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)三 家行業(yè)龍頭，約占比 70%的市場份額，在市場上有較大的影響力。
根據(jù) Trendforce 數(shù)據(jù)的預(yù)測，預(yù)計受益于下游新增需求的快速發(fā)展，NAND Flash 的需 求量也會有增長趨勢。從行業(yè)供給格局來看，三星依舊占領(lǐng)較大的市場份額，但還未形 成絕對的寡頭地位，且國內(nèi)公司長江儲存也將持續(xù)發(fā)展，有望進(jìn)一步提升市場份額。

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位于四日市最先進(jìn)制程晶圓廠 Fab7 完工。此 Fab7 晶圓廠第一期的總投資約為 1 萬億日 元(約合人民幣 487.97 億元)，具備生產(chǎn)第六代 162 層 NAND Flash 閃存和未來更先進(jìn) 3D NAND Flash 閃存的能力，計劃于 2023 年初開始出貨 162 層 NAND Flash 閃存。頭部廠 商已正逐步覆蓋 3D NAND 236 及 256 層甚至更高疊層工藝制程，持續(xù)技術(shù)迭代更新。
NAND Flash 需求端受到全球人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)對海量數(shù)據(jù)處理，其市場規(guī)模正快速增 長。而 NAND Flash 主要覆蓋的下游應(yīng)用設(shè)備為手機(jī)、服務(wù)器、PC 及車載工控等，我們 認(rèn)為，手機(jī)及 3C 產(chǎn)品的儲存容量和硬盤搭載率提升將推動 NAND Flash 需求量持續(xù)增 高。對于服務(wù)器設(shè)備，云端儲存及處理數(shù)據(jù)場景越發(fā)增長，服務(wù)器需求量及單設(shè)備搭載 量同樣推動 NAND Flash 市場的需求量提升。除此傳統(tǒng)需求領(lǐng)域外，隨著車載智能化的 逐步提升，車載 NAND Flash 市場也有望迎來高速增長。
1)手機(jī)及傳統(tǒng) 3C 產(chǎn)品，NAND 單機(jī)搭載量提升
近十年，智能手機(jī)作為成熟市場，每年全球手機(jī)出貨維持在 11 至 13 億部左右，保持穩(wěn) 定波動。而隨手機(jī)智能化水平越發(fā)提升，其攝影攝像功能、高清顯示功能及各類多功能 軟件所消耗的儲存空間持續(xù)增長，用戶對于手機(jī)的儲存空間越發(fā)增加。智能手機(jī)市場對 應(yīng) Flash 市場的增長邏輯，主要來源于單機(jī)搭載量的持續(xù)提升。
根據(jù) Counterpoint 數(shù)據(jù)顯示，2020 年智能手機(jī) NAND 閃存平均容量首次突破 100GB 大 關(guān)。在 iOS 和 Android 手機(jī)中有所不同。在 iOS 手機(jī)中，2020 年第四季度的平均 NAND 容量達(dá)到 140.9GB，而同期 Android 手機(jī)的平均容量為 95.7GB。Android 手機(jī)的平均容 量在過去幾年中一直在快速增長。2020 年 iOS 和 Android 手機(jī)的平均容量分別增長了 5.6%和 20.5%。同時根據(jù) Trendforce 數(shù)據(jù)顯示，預(yù)估 2023 年智能手機(jī) NAND Flash 單 機(jī)搭載容量年長大仍能維持 22.1%。我們認(rèn)為，iPhone 產(chǎn)品組合仍全線往更高容量 1TB 靠攏；Android 高端機(jī)種也跟進(jìn)將 512GB 做為標(biāo)準(zhǔn)配備，中低端機(jī)儲存空間則隨硬件規(guī) 格持續(xù)升級而提高，因此整體平均容量仍有增長空間。
全球 PC 市場（包括筆電、桌面 PC、工作站等）在 2020-2021 年期間迎來強(qiáng)換機(jī)周期且 居家辦公刺激需求端提前消費(fèi)，根據(jù) IDC 數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2021 年全球 PC 出貨量達(dá) 3.46 億臺。2022 年需求迎來疲軟態(tài)勢，根據(jù) IDC 數(shù)據(jù)預(yù)測，2022 年整體出貨量將下滑至 2.93 億臺，同比降低 15.2%。 另外，由于消費(fèi)市場需求減緩，教育市場也獲基本滿足，及因經(jīng)濟(jì)狀況弱化同樣使商用 市場需求遭到擠壓。根據(jù) IDC 數(shù)據(jù)預(yù)測，預(yù)計 2023 年全球 PC 市場將進(jìn)一步萎縮。PC 加上平板電腦的整體市場預(yù)估 2023 年下降 2.6%，預(yù)計在 2024 年恢復(fù)長大。

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根據(jù) IDC 數(shù)據(jù)，由于 2020-2021 年受到居家辦公的提前消費(fèi)影響，平板電腦（包括二合 一的可拆卸式平板在內(nèi)）市場在 2020/2021 年出貨量達(dá)到 1.65/1.69 億部，同比增長 13.8%/2.4%。但隨 2022 年消費(fèi)逐步疲軟，根據(jù) IDC 數(shù)據(jù)，2022 年全球出貨量同比下 滑 3.6%至 1.63 億臺。
PC 及移動平板電腦作為存量市場，整體年度出貨量波動不大，基本維持億部的出貨量。 近些年隨電腦固態(tài)硬盤替代傳統(tǒng)硬盤趨勢及單機(jī)儲存量提升，其中SSD搭載率有所提升。 據(jù)中國閃存市場 ChinaFlashMarket 數(shù)據(jù)，預(yù)計到 2018 年 SSD 240GB 價格與 1TB HDD 同價的，在筆記本電腦上的搭載率將達(dá)到 52%。到 2019 年 SSD 480GB 價格與 1TB HDD 同價的時候，在筆記本電腦上的搭載率將達(dá)到 65%以上。另外，消費(fèi)類 SSD 在零售渠道 市場每個月也有 200 萬片硬盤升級 SSD 的出貨量。
據(jù)中國閃存市場數(shù)據(jù)顯示，2020 年筆記本市場 SSD 的搭載率已經(jīng)高達(dá) 80%，且 512GB SSD 出貨量大幅增加。其中價位更加低廉的中低端市場是其長大驅(qū)動力。
2)AI 帶動服務(wù)器及云端數(shù)據(jù)儲存有望快速放量，進(jìn)一步推動 NAND Flash 需求
云計算時代市場的快速增長，云儲存、云計算的數(shù)據(jù)量不斷提高。在數(shù)字化時代的發(fā)展 下，隨工作量的云上遷移和云本地應(yīng)用的加速開發(fā)，在移動互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)不斷迭代升級的 背景下，全球數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)爆發(fā)式增長。根據(jù) IDC 數(shù)據(jù)顯示，全球數(shù)據(jù)儲量由 2016 年的 16ZB 增長至 2021 年的 54ZB，復(fù)合年均增長率為 27.5%，隨著數(shù)字經(jīng)濟(jì)的不斷發(fā)展， 預(yù)計 2022 年全球數(shù)據(jù)儲量將達(dá) 61ZB。
根據(jù) Omdia 數(shù)據(jù)，云數(shù)據(jù)及企業(yè)級數(shù)據(jù)儲存需求將在 2026 年達(dá)到 5255 億每 GB 當(dāng)量， 2021 年至 2026 年，CAGR 將達(dá)到 33.0%。
3)車載 NAND Flash 有望受汽車智能化持續(xù)增長
2022 年全球新能源汽車銷量突破千萬。根據(jù) Clean Technica 數(shù)據(jù)，2022 年全球新能源 汽車銷量突破千萬達(dá) 1009.12 萬輛，占整體汽車市場 14%份額，其中比亞迪以 184.77 萬輛的全年銷售數(shù)據(jù)獲得全球銷量冠軍。根據(jù)中國汽車工業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù)，2023 年 1 月和 2 月我國新能源汽車月度銷量分別為 40.78 萬輛和 52.50 萬輛，由于 1-2 月為汽車銷量傳 統(tǒng)淡季，2023 年 1 月與 2 月銷量與 2022 年 12 月 81.38 萬輛的月銷量相比仍有差距。 后續(xù)隨著汽車電動化進(jìn)程不斷深化，我們認(rèn)為全球范圍內(nèi)新能源汽車銷量將會維持高速 增長態(tài)勢。

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根據(jù) IDC 及 IHS 數(shù)據(jù)顯示，車用 DRAM 和 NAND 市場規(guī)模將從 2020 年的 20.4 億和 12.6 億，增長到 2025 年的 85 億美元和 61 億美元，預(yù)計年復(fù)合增長率為 33%和 37%。 車規(guī)級 NAND Flash 需要符合 AEC-Q100 等車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，隨著汽車行業(yè)智能化、網(wǎng)聯(lián)化的 演進(jìn)，與 SOTA（軟件在線升級），MaaS（出行即服務(wù)）得以實現(xiàn)，市場對車載存儲的程 序和處理的數(shù)據(jù)量提出更多的新需求。 車用存儲芯片規(guī)模長大的驅(qū)動因素，主要為三個方面，首先為智能座艙產(chǎn)生巨量數(shù)據(jù)交 互，其次是 ADAS 系統(tǒng)及車載娛樂系統(tǒng)。隨著自動駕駛的普及及自動駕駛等級的提升 （L2~L5），會產(chǎn)生大量的道路和環(huán)境數(shù)據(jù)，用于收集車輛運(yùn)行和周邊環(huán)境數(shù)據(jù)的各類傳 感器也會越來越多，包括攝像頭、毫米波雷達(dá)、激光雷達(dá)等，根據(jù)安全和功能需要對數(shù) 據(jù)進(jìn)行處理和保存，從而產(chǎn)生了大容量 NAND 存儲的需求。英特爾估計，自動駕駛汽車 每天將產(chǎn)生 4000GB 的數(shù)據(jù)量，即再低等級的自動駕駛車輛也需要大量車載數(shù)據(jù)存儲。 根據(jù) Semico Research 數(shù)據(jù)顯示，L1/L2 級別的自動駕駛需要 8GB 的 NAND 容量，而 L3 為 256GB，到 L5 的時候需要 1TB，自動駕駛技術(shù)升級對 NAND 需求呈現(xiàn)指數(shù)級的增長。
3.2.2 價格端：環(huán)比下降收窄，價格將逐步企穩(wěn)
考慮到 NAND Flash 主流產(chǎn)品和利基產(chǎn)品的定位、單價和格局等不盡相同，我們對 NAND Flash 價格分主流產(chǎn)品和利基產(chǎn)品兩大類進(jìn)行跟蹤。 主流價格：現(xiàn)貨價增長后企穩(wěn)，合約價自 2022 年 6 月開始下跌。 現(xiàn)貨價：以 MLC NAND Flash 64Gb（8Gx8）及 MLC NAND Flash 32Gb（4Gx8）為例， 經(jīng)歷 2022 年 4 月漲價后，價格逐步企穩(wěn)跌幅趨緩。截至 2023 年 4 月 7 日，以上兩款 64Gb 和 32Gb 價格分別為 3.85 美金和 2.13 美金。
合約價：以 MLC NAND Flash 128Gb（16Gx8）、MLC NAND Flash 64Gb（8Gx8）及 MLC NAND Flash 32Gb（4Gx8）三款為例，從 2021 年 7 月價格穩(wěn)定后，在 2022 年 6 月開始 出現(xiàn)價格下降，截至 2023 年 2 月 24 日，以上三款合約價分別為 4.14/2.98/2.59 美金。
四、存儲創(chuàng)新技術(shù)適配 AI 快速發(fā)展

4.1 HBM 突破技術(shù)瓶頸，逐漸凸顯應(yīng)用價值
4.1.1 HBM 堆疊技術(shù)進(jìn)一步提高傳輸速率
高帶寬存儲器（英文：High Bandwidth Memory，縮寫 HBM）是三星電子、超微半導(dǎo)體 和 SK 海力士發(fā)起的一種基于 3D 堆棧工藝的高性能 DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的 應(yīng)用場合，用于圖形處理器、網(wǎng)絡(luò)交換及轉(zhuǎn)發(fā)設(shè)備（如路由器、交換器）等。HBM 主要 是通過硅通孔（Through Silicon Via，簡稱“TSV”）技術(shù)進(jìn)行芯片堆疊，以增加吞吐量并 克服單一封裝內(nèi)帶寬的限制，將數(shù)個 DRAM 裸片像樓層一樣垂直堆疊。

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HBM 有兩個核心特征： 1）DRAM 顆粒以 3D 封裝方式垂直擺放。 2）3D DRAM 與 GPU/CPU 通過 interposer 合封，實現(xiàn)直接連接。 這兩個技術(shù)特征，目的是解決傳統(tǒng) DRAM 與 CPU/GPU 通過主板（Motherboard）連接的 信號延遲與電磁干擾。
HBM 對比其他 DRAM 內(nèi)存（如 DDR4 或 GDDR6）相比，擁有較寬內(nèi)存總線。一個 HBM stack 由 4 個 DRAM die（4-Hi）堆疊而成，并擁有 8 個 128 位信道（每個 die 上 2 個）， 總寬度為 1024 位。因此，具有四個 4-Hi HBM stack 的 GPU 將擁有 4096 位寬度的內(nèi)存 總線。相比之下，GDDR 存儲器的總線寬度為 32 位，同樣 16 個信道則只具有 512 位存 儲器接口。HBM 支持每個 package 的容量最多為 4GB。對比第一代 HBM，第二代高帶 寬存儲 HBM2，該標(biāo)準(zhǔn)指定了每個 stack 多達(dá) 8 個 die，將 pin 傳輸速率提高一倍來到 2 GT/s。保留 1024 位寬的存取，HBM2 能夠達(dá)到每個 package 256GB/s 存儲帶寬。HBM2 規(guī)范允許每個 package 容量高達(dá) 8GB，其性能也是超于同期 DRAM 內(nèi)存。
4.1.2 HBM 技術(shù)已迅速發(fā)展，人工智能將帶動技術(shù)快速突破
HBM 技術(shù)已經(jīng)發(fā)展了很長時間。在 2013 年推出的高帶寬內(nèi)存（HBM）是一種高性能 3D 堆疊 SDRAM 架構(gòu)，其數(shù)據(jù)傳輸速率約為 1Gbps。2016 年發(fā)布的 HBM2 繼承了前一代產(chǎn) 品的特點，每個堆疊包含最多 8 個內(nèi)存芯片，并將管腳傳輸速率提升一倍至 2Gbps。 HBM2 實現(xiàn)了每個封裝 256GB/s 的內(nèi)存帶寬（DRAM 堆疊），支持 HBM2 規(guī)格，每個封裝 最大容量可達(dá) 8GB。首款使用高帶寬存儲器的設(shè)備是 AMD Radeon Fury 系列顯示核心。 2013 年 10 月，高帶寬存儲器正式被 JEDEC 采納為業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)，第二代高帶寬存儲器（HBM2） 于 2016 年 1 月被 JEDEC 采納，同時 NVIDIA 在該年發(fā)表的新款旗艦型 Tesla 運(yùn)算加速 卡“Tesla P100”，AMD 的“Radeon RX Vega”系列及 Intel 的“Knight Landing”也采 用了第二代高帶寬存儲器。
2018 年底，JEDEC 宣布推出 HBM2E 規(guī)范，以滿足增長的帶寬和容量需求。當(dāng)傳輸速率 提升至每管腳 3.6Gbps 時，HBM2E 可實現(xiàn)每堆疊 461GB/s 的內(nèi)存帶寬。此外，HBM2E 支持最多 12 個 DRAM 的堆疊，內(nèi)存容量最高可達(dá)每堆疊 24GB。HBM2E 具備實現(xiàn)巨大 內(nèi)存帶寬的能力。連接到一個處理器的四塊 HBM2E 內(nèi)存堆疊將提供超過 1.8TB/s 的帶 寬。通過 3D 堆疊內(nèi)存，可在極小的空間內(nèi)滿足高帶寬和高容量需求。 NVIDIA 最新一代的 SXM4 A100 GPU 采用了 HBM2E 內(nèi)存。從芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖可見，A100 計算核心兩側(cè)共有 6 個 HBM 內(nèi)存放置空間。在 SXM4 A100 GPU 發(fā)布時，NVIDIA 實際 上僅使用了其中 5 個 HBM 內(nèi)存放置空間，提供 40GB HBM2E 內(nèi)存容量，這意味著每個 HBM2E 內(nèi)存上堆疊了 8 個 1GB DRAM Die。對于升級版的 80GB SXM4 A100 GPU，每個 HBM2E 內(nèi)存上則采用了 8 個 2GB DRAM Die 進(jìn)行堆疊。
2022 年三星也發(fā)布器 HBM3 技術(shù)產(chǎn)品，在三星發(fā)布的路線圖中，其單芯片接口寬度可達(dá) 1024bit，接口傳輸速率可達(dá) 6.4Gbps，相比上一代提升 1.8 倍，從而實現(xiàn)單芯片接口帶 寬 819GB/s，如果使用 6 層堆疊可以實現(xiàn) 4.8TB/s 的總帶寬。
我們認(rèn)為 2024-2025 年隨人工智能算力需求進(jìn)一步提升，將快速提高對存儲器件高帶寬 的高傳輸速率要求，2024 年預(yù)計在不考慮高級封裝技術(shù)帶來的高多層堆疊和內(nèi)存寬度提 升下，將實現(xiàn)接口速度高達(dá) 7.2Gbps 的 HBM3p，從而將數(shù)據(jù)傳輸率相比這一代進(jìn)一步提 升 10%，從而將堆疊的總帶寬提升到 5TB/s 以上。我們認(rèn)為，2025 年將看到更多搭載 HBM 下一代技術(shù)的產(chǎn)品服役于人工智能服及高算力設(shè)備中。

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4.2 存算一體：嵌入計算能力，有效提升數(shù)據(jù)效率
4.2.1 存算一體，后摩爾時代發(fā)展的必然要求
存算一體（Computing in Memory）是在存儲器中嵌入計算能力，以新的運(yùn)算架構(gòu)進(jìn) 行二維和三維矩陣乘法/加法運(yùn)算，即利用存儲器對數(shù)據(jù)進(jìn)行計算，從而避免數(shù)據(jù)搬運(yùn) 產(chǎn)生的“存儲墻”和“功耗墻”，提高數(shù)據(jù)的并行和效率。經(jīng)典馮諾依曼框架下，數(shù)據(jù)的 存儲和計算是分開的，處理器和存儲器之間通過數(shù)據(jù)總線進(jìn)行數(shù)據(jù)交換。在過去二十年， 處理器性能以每年大約 55%的速度提升，內(nèi)存性能的提升速度每年只有 10%左右。結(jié) 果長期下來，不均衡的發(fā)展速度造成了當(dāng)前的存儲速度嚴(yán)重滯后于處理器的計算速度。 因此在存儲器和處理器之間形成了“存儲墻”，嚴(yán)重限制了芯片的整體性能。由于處理器 和存儲器的分離，在處理數(shù)據(jù)的過程中，首先需要將數(shù)據(jù)從存儲器通過總線搬運(yùn)到處理 器，處理完成后，再將數(shù)據(jù)搬運(yùn)回存儲器進(jìn)行存儲。搬運(yùn)時間往往是運(yùn)算時間的成百上 千倍，能效非常低即稱為“功耗墻”。
目前存算技術(shù)按照以下歷史路線順序演進(jìn)： A、查存計算（Processing With Memory）：GPU 中對于復(fù)雜函數(shù)就采用了這種計算 方法，是早已落地多年的技術(shù)。通過在存儲芯片內(nèi)部查表來完成計算操作。這是最早期 的技術(shù)。 B、近存計算（Computing Near Memory）：典型代表是 AMD 的 Zen 系列 CPU。計算 操作由位于存儲區(qū)域外部的獨(dú)立計算芯片/模塊完成。這種架構(gòu)設(shè)計的代際設(shè)計成本較低， 適合傳統(tǒng)架構(gòu)芯片轉(zhuǎn)入。將 HBM 內(nèi)存（包括三星的 HBM-PIM）與計算模組（裸 Die）封 裝在一起的芯片也屬于這一類。近存計算技術(shù)早已成熟，被廣泛應(yīng)用在各類 CPU 和 GPU 上。 C、存內(nèi)計算（Computing In Memory）：典型代表是 Mythic、千芯科技、閃億、知存、 九天睿芯等。計算操作由位于存儲芯片/區(qū)域內(nèi)部的獨(dú)立計算單元完成，存儲和計算可以 是模擬的也可以是數(shù)字的。這種路線一般用于算法固定的場景算法計算。 D、存內(nèi)邏輯（Logic In Memory）：這是較新的存算架構(gòu)，典型代表包括 TSMC（在 2021 ISSCC 發(fā)表）和千芯科技。這種架構(gòu)數(shù)據(jù)傳輸路徑最短，同時能滿足大模型的計算 精度要求。通過在內(nèi)部存儲中添加計算邏輯，直接在內(nèi)部存儲執(zhí)行數(shù)據(jù)計算。
4.2.2 國外龍頭占據(jù)行業(yè)壟斷地位，國內(nèi)廠商積極布局
進(jìn)入互聯(lián)網(wǎng)時代后，全球數(shù)據(jù)產(chǎn)生量快速攀升，數(shù)據(jù)產(chǎn)生量爆發(fā)式增長，特別是在人工 智能、云計算、物聯(lián)網(wǎng)背景的發(fā)展下，根據(jù) IDC 預(yù)計 2025 年數(shù)據(jù)產(chǎn)生量將達(dá)到 175ZB， 市場對數(shù)據(jù)的收集、存儲、處理要求將不斷提高。存算一體芯片必將從端側(cè)小算力市場 逐步擴(kuò)展到整個 AI 芯片領(lǐng)域。未來行業(yè)將會呈現(xiàn)持續(xù)走高的態(tài)勢。量子位智庫預(yù)估 2025 年，國內(nèi)存算一體芯片市場規(guī)模為 125 億元，2030 年為 1136 億人民幣，CAGR 為 55%。

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目前可用于存算一體的成熟存儲器有 NOR FLASH、SRAM、DRAM、RRAM、MRAM、NVRAM 等。SRAM 在速度方面和能效比方面具有優(yōu)勢，特別是在存內(nèi)邏輯技術(shù)發(fā)展起來之后具 有明顯的高能效和高精度特點。DRAM 成本低，容量大，但是速度慢，且需要電力不斷 刷新。適用存算一體的新型存儲器有 PCAM、MRAM、RRAM 和 FRAM 等。其中憶阻器 RRAM 在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)計算中具有特別的優(yōu)勢，是除了 SRAM 存算一體之外的，下一代存算 一體介質(zhì)的主流研究方向。目前 RRAM 距離工藝成熟還需要 2-5 年，材料不穩(wěn)定，但 RRAM 具有高速、結(jié)構(gòu)簡單的優(yōu)點，有希望成為未來發(fā)展最快的新型存儲器。 學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界對存算一體的技術(shù)路徑尚未形成統(tǒng)一的分類，目前主流的劃分方法是依 照計算單元與存儲單元的距離，將其大致分為近存計算（PNM）、存內(nèi)處理（PIM）、存內(nèi) 計算（CIM）。特斯拉、阿里達(dá)摩院、三星等大廠所選擇的便是近存計算（PNM）。 特斯拉：在 Hot Chips 大會上，公司測算 Dojo（AI 訓(xùn)練計算機(jī)）所用的 D1 芯片相比于 統(tǒng)一時間的業(yè)內(nèi)其他芯片，同成本下性能提升 4 倍，同能耗下性能提高 1.3 倍，占用空 間節(jié)省 5 倍。 阿里達(dá)摩院：在 2021 年，發(fā)布采用混合鍵合（Hybrid Bonding）的 3D 堆疊技術(shù)相比傳 統(tǒng) CPU 計算系統(tǒng)。公司測算，相比一時間的存算一體芯片的性能提升 10 倍以上，能效 提升超過 300 倍。 三星：在 2022 年 10 月，基于存內(nèi)處理架構(gòu)，發(fā)布存儲器產(chǎn)品 HBM-PIM（嚴(yán)格意義上是 PNM）。公司測算，與其他沒有 HBM-PIM 芯片的 GPU 加速器相比，HBM-PIM 芯片將 AMD GPU 加速卡的性能提高了一倍，能耗平均降低了約 50%。與僅配備 HBM 的 GPU 加速器 相比，配備 HBM-PIM 的 GPU 加速器一年的能耗降低了約 2100GWh。
知存科技：2022 年 3 月量產(chǎn)的基于 PIM 的 SoC 芯片 WTM2101 正式投入市場，公司認(rèn) 為，對比統(tǒng)一時間產(chǎn)品實現(xiàn) 10 倍以上的能效提升。 億鑄科技：基于 CIM 框架、RRAM 存儲介質(zhì)的研發(fā)“全數(shù)字存算一體”大算力芯片，通 過減少數(shù)據(jù)搬運(yùn)提高運(yùn)算能效比，同時利用數(shù)字存算一體方法保證運(yùn)算精度，適用于云 端 AI 推理和邊緣計算。 智芯科微：于 2022 年底推出業(yè)界首款基于 SRAM CIM 的邊緣側(cè) AI 增強(qiáng)圖像處理器。 特斯拉、三星、阿里巴巴等擁有豐富生態(tài)的大廠以及英特爾，IBM 等傳統(tǒng)的芯片大廠， 幾乎都在布局 PNM；而知存科技、億鑄科技、智芯科等初創(chuàng)公司，在押注 PIM、CIM 等 “存”與“算”更親密的存算一體技術(shù)路線。大廠對存算一體架構(gòu)提出的需求是“實用、 落地快”，而近存計算作為最接近工程落地的技術(shù)，成為大廠們的首選。而中國初創(chuàng)公司 們，由于成立時間較短、技術(shù)儲備薄弱：缺乏先進(jìn) 2.5D 和 3D 封裝產(chǎn)能和技術(shù)，為打破 美國的科技壟斷，中國初創(chuàng)企業(yè)聚焦的是無需考慮先進(jìn)制程技術(shù)的 CIM。
4.3 3D NAND：突破存儲容量限制瓶頸
NAND 從 2D 到 3D 是大勢所趨，可突破存儲容量限制瓶頸。2D NAND 是在平面上對晶 體管尺寸進(jìn)行微縮，從而獲得更高的存儲密度，但晶體管尺寸微縮存在物理極限，發(fā)展 已趨緩。要在維持性能的情況下實現(xiàn)容量提升，3D NAND 成為主流方向。3D NAND 將 解決方案從提高制程工藝轉(zhuǎn)變?yōu)槎鄬佣询B，解決了 2D NAND 在增加容量的同時性能出 現(xiàn)下降的問題，實現(xiàn)容量、速度、能效及可靠性等多方位的提升。

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3D NAND 的層數(shù)一直在發(fā)展。從最早的 24 層、48 層，發(fā)展到現(xiàn)在 238 層甚至 300 層， 在未來甚至?xí)黄?500 層。據(jù) TechPowerup 介紹，SK 海力士最新第 8 代 3D NAND 閃 存，容量為 1Tb（128GB），具有三級單元和超過 20Gb/mm2的位密度（bit density）。該 芯片的頁容量（page size）為 16KB，擁有四個 planes，接口傳輸速率為 2400MT/s，最 高吞吐量為 194MB/s（相比第 7 代 238 層 3D NAND 閃存提高了 18%）。密度的提升將 降低制造過程中每 Tb 的成本，終端消費(fèi)者最終能從性能和容量的提升中受益。
三星已經(jīng)完成了第八代 V-NAND 技術(shù)產(chǎn)品的開發(fā)，堆棧層數(shù)達(dá)到了 236 層，2022 年 11 月已量產(chǎn)。SK 海力士已宣布研發(fā)出了 238 層 NAND 閃存，預(yù)計 2023 年 H1 大規(guī)模量產(chǎn)。 美光 232 層 NAND 已于 2022 年 12 月為消費(fèi)類設(shè)備出貨。國內(nèi)廠商長江存儲也于今年 8 月份發(fā)布了 232 層的 3D NAND 閃存芯片 X3-9070，且于 2022 年 12 月或?qū)?yīng)用于國內(nèi) 部分品牌客戶產(chǎn)品。
在下游應(yīng)用領(lǐng)域中，移動設(shè)備和數(shù)據(jù)中心是 3D NAND 技術(shù)的主要應(yīng)用領(lǐng)域，隨 ChatGPT 等人工智能帶來大數(shù)據(jù)存儲的巨量級需求增加，未來 3D NAND 技術(shù)或?qū)⒖焖偾疫M(jìn)一步 升級。
五、重點公司分析

5.1 兆易創(chuàng)新：業(yè)績高速增長，看平臺化公司如何打造
立足中國覆蓋全球，產(chǎn)品品類不斷擴(kuò)展。兆易創(chuàng)新成立于 2005 年 4 月，是一家立足中 國的全球化芯片設(shè)計公司。公司致力于各類存儲器、控制器及周邊產(chǎn)品的設(shè)計研發(fā)。公 司在上海、合肥、中國香港設(shè)有全資子公司、在深圳設(shè)有分公司，在中國臺灣省設(shè)有辦 事處，并在日韓、美國等地通過產(chǎn)品分銷商為客戶提供本地化服務(wù)。公司產(chǎn)品包括 NOR Flash、NAND Flash、DRAM 以及 MCU 等，廣泛應(yīng)用于移動終端、消費(fèi)電子、個人電腦、 辦公設(shè)備、汽車電子及工業(yè)控制設(shè)備等多個領(lǐng)域。 公司作為 NorFlash 龍頭積極拓展 DRAM 市場，已于 2021 年 6 月成功量產(chǎn)自有品牌 19nmDRAM，未來將朝 17nm 演進(jìn)。公司 2023 年 3 月 1 日公告，與合肥長鑫存儲發(fā)生 采購 DRAM 產(chǎn)品及代工業(yè)務(wù)，22 年與長鑫的實際采購額 8.74 億元（其中自研 2.61 億 元，代銷 6.13 億元），預(yù)計 23H1 與長鑫關(guān)聯(lián)交易金額預(yù)計約為 5.55 億元（其中自研 2.08 億元，代銷 3.47 億元）。 公司營收近年來穩(wěn)步增長，即使在今年芯片行業(yè)寒冬的大背景下，公司前三季度營收依 然維持正增長。更為可貴的是，公司的扣非歸母凈利潤延續(xù) 2021 年遠(yuǎn)高于營收增速的 態(tài)勢，2022 前三季度，公司歸母凈利潤同比增速達(dá) 26.92%。
公司業(yè)績高增的一大原因系常年高投入的研發(fā)支出，帶來了良好的成果轉(zhuǎn)化，并以此建 立深厚的技術(shù)壁壘。利潤率水平來看，公司毛利率水平基本維持在 40%左右，且近兩年 有所上升，2022 年前三季度公司毛利率達(dá) 48%，對應(yīng)凈利潤率達(dá) 31%。

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公司圍繞智能化時代數(shù)據(jù)的感、存、算、控、聯(lián)五個方面，涵蓋消費(fèi)、汽車、工業(yè)等多 個領(lǐng)域，以存儲器件為切入點，提供核心 IC 器件和相應(yīng)軟件一體化配套。具體來看： 1）產(chǎn)品類別擴(kuò)張：圍繞智能化不斷擴(kuò)張以內(nèi)生發(fā)展（募集資金用于 DRAM 研發(fā)）和外 延并購（收購上海思立微電子）為主，逐步從 NOR Flash、NAND Flash 和 MCU 擴(kuò)展至 DRAM 和 Sensor。 2）平臺化搭建：通過應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)張完善以智能化為核心的產(chǎn)品布局，并實現(xiàn)已有產(chǎn)品 的不斷迭代和工藝制程的持續(xù)升級，驅(qū)動公司平臺體系建設(shè)日趨完善。其中： （a）NOR Flash：工藝平臺從 2018 年的 65nm 逐步實現(xiàn) 55nm 量產(chǎn)，并于 2022 年推 動 45nm 工藝平臺的研發(fā)。同時不斷針對產(chǎn)品性能進(jìn)行打磨，推陳出新。 （b）NAND Flash：工藝制程從 2018 年的 38nm 逐步實現(xiàn) 24nm 量產(chǎn)，并開始進(jìn)行 19nm 的研發(fā)。同時不斷針對車規(guī)市場進(jìn)行開拓布局和研發(fā)。 （c）MCU：產(chǎn)品覆蓋逐步從 55nm 至 40nm 再到 22nm 制程，并針對物聯(lián)網(wǎng)、工控和 汽車領(lǐng)域不斷擴(kuò)張。 （d）DRAM：逐步實現(xiàn)從 19nm DDR4 產(chǎn)品量產(chǎn)至 17nm DDR3 產(chǎn)品研發(fā)。 （e）Sensor：在已有 LCD 較全品類的基礎(chǔ)上進(jìn)行 OLED 相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)，并即將推出 OLED 相關(guān)產(chǎn)品。
5.2 北京君正：收購北京矽成進(jìn)入存儲芯片市場，業(yè)績高速增長、利潤率有 所修復(fù)
老牌 IC 設(shè)計企業(yè)，收購北京矽成進(jìn)軍拓展存儲市場。北京君正于 2005 年成立，是一家 集成電路設(shè)計企業(yè)，擁有全球領(lǐng)先的 32 位嵌入式 CPU 技術(shù)和低功耗技術(shù)。公司主營業(yè) 務(wù)為微處理器芯片、智能視頻芯片等 ASIC 芯片產(chǎn)品及整體解決方案的研發(fā)和銷售，擁 有較強(qiáng)的自主創(chuàng)新能力，且已形成可持續(xù)發(fā)展的梯隊化產(chǎn)品布局，各類芯片產(chǎn)品分別面向不同市場領(lǐng)域。北京君正于 2020 年完成對北京矽成（ISSI）及其下屬子品牌 Lumissil 的收購，擁有其 100%股份。ISSI 存儲部門有高速低功耗 SRAM，低中密度 DRAM， NOR/NAND Flash，嵌入式 Flash pFusion，及 eMMC 等芯片產(chǎn)品。 受益車規(guī)產(chǎn)品放量，公司業(yè)績實現(xiàn)高速增長。2021 年公司營收達(dá) 52.74 億元，同比增長 143.07%，2022 年前三季度公司營收達(dá) 42.19 億元，同比增長 11.23%。2021 年公司扣 非歸母凈利潤達(dá) 8.94 億元，同比增速達(dá) 4265%，2022 年前三季度公司扣非歸母凈利潤 達(dá) 7.17 億元，同比增長 16.83%。
公司研發(fā)投入高速增長，利潤率水平得到修復(fù)。2022 年前三季度公司研發(fā)支出達(dá) 4.64 億元，遠(yuǎn)超 2020 年全年水平，同比 2021 年增長達(dá) 26.78%。公司毛利率始終維持較高 水平，2020 年毛利率下滑系收購子公司存貨增值導(dǎo)致的毛利率下跌，2021 年公司調(diào)整 迅速，毛利率和凈利率水平已基本恢復(fù)至正常水平。2022 年前三季度公司毛利率達(dá) 38.65%，凈利率達(dá) 17.19%。

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5.3 雅克科技：全球前驅(qū)體核心供應(yīng)商，深度受益高性能存儲需求
公司 1 月 19 日發(fā)布 2022 年業(yè)績預(yù)告，歸母凈利潤盈利 5.2-5.9 億元，同比提升 55.34%- 76.25%。公司認(rèn)為，LNG 保溫復(fù)合材料及安裝工程取得較大幅度增長，帶動公司整體業(yè) 績增長和毛利率上升。 公司 2022 年前三季度業(yè)績，營收 31.67 億元，同比提升 17.63%，公司實現(xiàn)歸母凈利潤 4.63 億元，同比上升 18.88%。2022 年 Q3 單季度看，實現(xiàn)營業(yè)收入 11.08 億元，同比 上升 324.67%，實現(xiàn)歸母凈利潤 1.82 億元，同比提升 23.21%。
前驅(qū)體等半導(dǎo)體材料業(yè)務(wù)持續(xù)受益于國產(chǎn)替代。前驅(qū)體主要用于薄膜沉積環(huán)節(jié)，產(chǎn)品價 值量、用量隨制程迭代快速增長。全球領(lǐng)先玩家包括默克、法液空、SKM、DNF 等，公 司市場份額有望穩(wěn)步提升。看業(yè)務(wù)空間，1）高算力芯片搭配 HBM，HBM 對前驅(qū)體需求 及價值量顯著提升；2）海外存儲客戶整體稼動率見底，預(yù)計 2023 年 H2 將有所回升， 同時美光科技被審查進(jìn)一步提升國產(chǎn)份額，利好國產(chǎn)材料供應(yīng)商；3）國內(nèi)存儲廠持續(xù)擴(kuò) 產(chǎn)，公司國內(nèi)前驅(qū)體業(yè)務(wù)隨下游爬坡放量持續(xù)長大。 復(fù)合板材是 LNG 運(yùn)輸船核心材料，競爭格局極佳，進(jìn)入高景氣周期。LNG 船需要在-163℃ 的極低溫下運(yùn)輸液化天然氣，且體積被壓縮超過 600 倍的液化天然氣若在有限空間內(nèi)泄 漏，急劇膨脹會產(chǎn)生物理爆炸。因此，LNG 運(yùn)輸船被人們稱為“沉睡的氫彈”。而復(fù)合板材作為 LNG 運(yùn)輸船核心材料，由金屬薄膜、增強(qiáng)硬質(zhì)閉孔聚氨酯泡沫、特殊配方樹脂制 成，不僅起到保溫隔熱功能，且對 LNG 運(yùn)輸船只的安全性作用關(guān)鍵。LNG 船復(fù)合板材具 有極佳的競爭格局和較長的下游認(rèn)證周期，公司作為國內(nèi)造船廠核心供應(yīng)商，具有全球 領(lǐng)先的深冷復(fù)合材料技術(shù)。我們認(rèn)為此次滬東造船廠訂單有望成為公司 LNG 板材業(yè)務(wù)需 求超預(yù)期的開始。此外，公司復(fù)合材料業(yè)務(wù)產(chǎn)業(yè)鏈的持續(xù)完善，有望使得業(yè)務(wù)盈利能力 提升，板材業(yè)務(wù)進(jìn)入高景氣周期。
5.4 東芯股份：國內(nèi) SLC NAND 龍頭，短期業(yè)績有望快速修復(fù)
公司披露業(yè)績 2022 年年度業(yè)績快報。2022 年公司營收 11.49 億元，同比增長 1.34%。 公司實現(xiàn)歸母凈利潤 1.85 億元，同比下降 29.51%。 單季度看，公司 2022 年 Q3 實現(xiàn)營業(yè)收入 2.34 億元，環(huán)比下降 36.63%，同比下降 29.17%，實現(xiàn)歸母凈利潤 5644 萬元，環(huán)比減少 46.01%，同比下降 36.01%，2022 年 第三季度業(yè)績下滑主要系市場景氣度下降所致。盈利能力方面，2022 年 Q3 單季度毛利 率為 30.27%，整體前三季度毛利率達(dá) 42.23%，同比提升 3.64pct。費(fèi)用方面，公司前 三季度研發(fā)費(fèi)用達(dá)8393萬元，同比增長77.08%，研發(fā)費(fèi)率達(dá)到8.86%，同比提升2.82pct。

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公司逐步實現(xiàn)產(chǎn)品產(chǎn)品線拓展及技術(shù)創(chuàng)新 1）NAND Flash 方面：公司作為 SLC NAND 領(lǐng)域龍頭企業(yè)，核心技術(shù)優(yōu)勢明顯，實現(xiàn)了 從 1Gb 到 32Gb 系列產(chǎn)品設(shè)計研發(fā)的全覆蓋。公司開發(fā)的車規(guī)產(chǎn)品正在進(jìn)行 AEC-Q100 驗證，同時先進(jìn)制程的 19nm 已完成首輪晶圓流片，處于國際領(lǐng)先地位。 2）NOR Flash 方面：公司自主設(shè)計的 SPI NORFlash 存儲容量覆蓋 2Mb 至 256Mb。支持 多種數(shù)據(jù)傳輸模式，目前公司已經(jīng)為三星電子、LG、傳音控股、歌爾股份等中外知名終 端客戶提供產(chǎn)品。 3）DRAM 方面：公司研發(fā)的 DDR3 具有高帶寬、低延時等特點，在研的 LPDDR4x 進(jìn)度 符合公司預(yù)期，主要針對基帶市場和模塊類客戶。
5.5 深科技：存儲芯片封測領(lǐng)先者，定增加碼產(chǎn)能
存儲芯片封測領(lǐng)先者。在半導(dǎo)體封測業(yè)務(wù)領(lǐng)域，公司主要從事高端存儲芯片的封裝與測 試，產(chǎn)品包括動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）、NAND 型閃存（NAND FLASH）以及嵌入式 存儲芯片，具體有雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器（DDR3、DDR4、DDR5）、低功耗雙倍 速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器（LPDDR3、LPDDR4、LPDDR5）、符合內(nèi)嵌式存儲器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格 的低功耗雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器（eMCP4）等。 定增加碼存儲芯片封測產(chǎn)能。公司定增募資 14.62 億元投向存儲先進(jìn)封測與模組制造項 目。合肥沛頓已通過現(xiàn)有客戶封裝產(chǎn)品大規(guī)模量產(chǎn)審核，計劃下半年進(jìn)一步積極導(dǎo)入新 客戶。公司積極布局高端封測，規(guī)劃建設(shè)凸點（Bumping）項目，目前凈化間施工和首線 設(shè)備采購正同步進(jìn)行。未來，公司將以滿足重點客戶產(chǎn)能需求和加強(qiáng)先進(jìn)封裝技術(shù)研發(fā) 為目標(biāo)，聚焦倒裝工藝（Flip-chip）、POPt 堆疊封裝技術(shù)的研發(fā)、16 層超薄芯片堆疊技 術(shù)的優(yōu)化，致力成為存儲芯片封測標(biāo)桿企業(yè)。
公司披露業(yè)績 2022 年第三季度業(yè)績報告。2022 前三季度公司營收 120 億元，同比下滑 2.08%，公司實現(xiàn)歸母凈利潤 5.75 億元，同比上升 11.32%。單季度看，公司 2022 年 Q3 實現(xiàn)營業(yè)收入 44.6 億元，環(huán)比上升 14.3%，同比上升 3.43%，實現(xiàn)歸母凈利潤 1.2億元，環(huán)比減少 43.66%，同比下降 50.9%。盈利能力方面，2022 年 Q3 單季度毛利率 為 3.31%，整體前三季度毛利率達(dá) 11.24%，同比提升 16.6%。費(fèi)用方面，公司前三季 度研發(fā)費(fèi)用達(dá) 2.25 億元，同比下降 27.4%，研發(fā)費(fèi)率 1.87%，與上一年度基本持平。
5.6 普冉股份：存儲行業(yè)新星，發(fā)力工業(yè)控制和車載領(lǐng)域
存儲行業(yè)新星，兩大產(chǎn)品線齊頭并進(jìn)。公司主要產(chǎn)品包括 NOR Flash 和 EEPROM 兩大類 非易失性存儲器芯片、微控制器芯片以及模擬產(chǎn)品。公司披露 2022 年年度業(yè)績快報。 2022 年公司營收 9.25 億元，同比下滑 16.15%。公司實現(xiàn)歸母凈利潤 0.83 億元，同比 下降 71.44%。業(yè)績下滑主要受市場需求疲軟，產(chǎn)品線出貨量和價格下降影響。 單季度看，公司 2022 年 Q4 實現(xiàn)營業(yè)收入 1.61 億元，同比下降 42.31%，實現(xiàn)歸母凈利 潤-0.55 億元，同比減少 180.49%。費(fèi)用方面，公司 2022 年研發(fā)費(fèi)用達(dá) 1.49 億元，同 比上升 64%。

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持續(xù)拓展品類，發(fā)力工業(yè)控制和車載領(lǐng)域。公司 EEPROM 車載產(chǎn)品完成 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn) 的全面考核，在車身攝像頭、車載中控、娛樂系統(tǒng)等應(yīng)用上實現(xiàn)了海內(nèi)外客戶的批量交 付，汽車電子產(chǎn)品營收占比顯著提升；目前公司超大容量 EEPROM 系列開發(fā)完成，支持 SPI/I2C 接口和最大 4Mb 容量，其中 2Mb 產(chǎn)品批量用于高速寬帶通信和數(shù)據(jù)中心。 公司產(chǎn)品介紹如下： 1）NOR Flash：公司 NOR Flash 產(chǎn)品采用電荷俘獲(SONOS)及浮柵(ETOX)工藝結(jié)構(gòu)，提 供了 512Kbit 到 128Mbit 容量的系列產(chǎn)品，覆蓋 1.65V-3.6V 的操作電壓區(qū)間，具備低功 耗、高可靠性、快速擦除和快速讀取的優(yōu)異性能，下游應(yīng)用領(lǐng)域集中在藍(lán)牙、IOT、TDDI、 AMOLED、工業(yè)控制等相關(guān)市場。目前 NOR Flash 行業(yè)主流工藝制程為 55nm，公司 40nm 工藝制程下 4Mbit 到 128Mbit 容量的全系列產(chǎn)品均已實現(xiàn)量產(chǎn)，處于行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先技術(shù)水 平。 2）EEPROM：公司已形成覆蓋 2Kbit 到 4Mbit 容量的 EEPROM 產(chǎn)品系列，操作電壓覆蓋 1.7V-5.5V，主要采用 130nm 工藝制程，具有高可靠性、面積小、性價比高等優(yōu)勢，可 擦寫次數(shù)可達(dá)到 400 萬次，數(shù)據(jù)保持時間可達(dá) 200 年。公司 EEPROM 產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域集中 在手機(jī)攝像頭模組、工業(yè)控制、汽車電子、家電、計算機(jī)周邊等領(lǐng)域。目前 EEPROM 產(chǎn) 品國內(nèi)行業(yè)主流工藝制程為 130nm，公司 95nm 及以下工藝制程下產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)，領(lǐng) 先于業(yè)界主流工藝制程。
5.7 佰維存儲：存儲芯片小巨人，短期業(yè)績承壓
存儲芯片小巨人，嵌入式存儲為業(yè)務(wù)基石。公司主要從事半導(dǎo)體存儲器的存儲介質(zhì)應(yīng)用 研發(fā)、封裝測試、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品及服務(wù)包括嵌入式存儲、消費(fèi)級存儲、工業(yè)級 存儲及先進(jìn)封測服務(wù)。根據(jù)中國閃存市場調(diào)研數(shù)據(jù)，公司 eMMC 及 UFS 在全球市場占有 率達(dá)到 2.4%，排名全球第 8，國內(nèi)第 2。公司披露 2022 年年度業(yè)績快報。2022 年公司 營收 29.74 億元，同比增長 13.98%。公司實現(xiàn)歸母凈利潤 0.73 億元，同比下降 37.24%。 業(yè)績下滑主要受市場需求疲軟，研發(fā)投入加大影響。 單季度看，公司 2022 年 Q3 實現(xiàn)營業(yè)收入 8.01 億元，同比上升 42.27%，實現(xiàn)歸母凈利 潤 0.27 億元，達(dá)到上一年度 26 倍。盈利能力方面，2022 年 Q3 單季度毛利率為 3.25%， 整體前三季度毛利率達(dá) 14.77%，同比下降 15.84%。費(fèi)用方面，公司前三季度研發(fā)費(fèi)用 達(dá) 0.94 億元，同比下降 12.15%，研發(fā)費(fèi)率 4.28%，較上一年度上升 4.39%。
公司產(chǎn)品可分為如下三類： 1）嵌入式存儲：公司嵌入式存儲產(chǎn)品類型覆蓋了 ePOP、eMCP、eMMC、UFS、BGASSD、 LPDDR、MCP、SPI NAND 等，廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板、智能穿戴、無人機(jī)、智能電視、 筆記本電腦、智能車載、機(jī)頂盒、智能工控、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。其中，車載存儲器產(chǎn)品的 設(shè)計和生產(chǎn)達(dá)到車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，于 2018 年獲得 IATF16949:2016 汽車質(zhì)量管理體系認(rèn)證。 2）消費(fèi)級存儲：公司的消費(fèi)級存儲包括固態(tài)硬盤、內(nèi)存條和移動存儲器產(chǎn)品，主要應(yīng)用 于消費(fèi)電子領(lǐng)域。公司固態(tài)硬盤產(chǎn)品傳輸速率最高可達(dá) 7,400MB/s，處于行業(yè)領(lǐng)先地位； 公司已正式發(fā)布 DDR5 內(nèi)存模組，傳輸速率已達(dá) 5,200Mbps，未來可達(dá) 6,400Mbps。 3）工業(yè)級存儲：包括工規(guī)級 SSD、車載 SSD 及工業(yè)級內(nèi)存模組等，主要面向工業(yè)類細(xì) 分市場，應(yīng)用于 5G 基站、智能汽車、智慧城市、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、高端醫(yī)療設(shè)備、智慧金融 等領(lǐng)域。
5.8 香農(nóng)芯創(chuàng)：AI 服務(wù)器需求增長，帶動內(nèi)存有望提升
公司 1 月 16 日發(fā)布 2022 年業(yè)績預(yù)告，歸母凈利潤盈利 2.6-3.4 億元，同比提升 16.16%- 51.90%。公司 2022 年前三季度業(yè)績，營收 107.67 億元，同比提升 132.20%，公司實 現(xiàn)歸母凈利潤 1.55 億元，同比上升 10.47%。2022 年 Q3 單季度看，實現(xiàn)營業(yè)收入 21.23 億元，同比下降 52.74%，實現(xiàn)歸母凈利潤-0.09 億元，同比降低 111.90%。在國內(nèi)外多 重因素影響下，自 2022 年第三季度存儲器需求放緩、價格下滑。因此第三季度，公司半 導(dǎo)體分銷板塊的收入下降、利潤下滑。 公司作為海外大客戶國內(nèi)分銷廠商，將積極開發(fā)新客戶，鞏固與核心原廠的合作關(guān)系。 公司將在維護(hù)現(xiàn)有客戶、提高客戶黏性的同時，發(fā)揮自身在優(yōu)勢領(lǐng)域的競爭優(yōu)勢和良好 口碑，持續(xù)開發(fā)新客戶，不斷鞏固與核心原廠的合作關(guān)系。同時公司將積極維護(hù)與現(xiàn)有 主要客戶的合作關(guān)系，深度挖掘客戶需求及多維度合作的可能性，提升服務(wù)質(zhì)量，根據(jù) 市場情況適時調(diào)整經(jīng)營策略。
公司認(rèn)為，云計算是典型的重資產(chǎn)行業(yè)，需要持續(xù)、大量的資本投入。目前國內(nèi)主流云 廠商資本支出和市場占有率與全球云服務(wù)巨頭亞馬遜網(wǎng)絡(luò)服務(wù)（AWS）、微軟（Microsoft Azure）、谷歌（Google Cloud）相比仍有較大差距。受益于國家政策支持以及數(shù)據(jù)中心 應(yīng)用場景的不斷豐富，加之?dāng)?shù)字化轉(zhuǎn)型為長期、系統(tǒng)性的趨勢，存儲器采購需求上表現(xiàn) 為剛性及穩(wěn)定的特點，為公司的持續(xù)、穩(wěn)定發(fā)展提供了堅實的基礎(chǔ)。

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（本文僅供參考，不代表我們的任何投資建議。如需使用相關(guān)信息，請參閱報告原文。）
精選報告來源：【未來智庫】。

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