國產刻蝕機現(xiàn)狀

毛屌屌

?中微的非美零部件率做得最好，中微和北方華創(chuàng)至少60%以上都能達到，但還有一些繞不開。有幾個關鍵部件是射頻發(fā)生器、ESC（Echuck）和真空壓力表。最先能夠實現(xiàn)的應該是ESC。

?中微的CCP做得相當出色，華創(chuàng)的ICP可圈可點。中微的ICP也發(fā)展得非常迅速，已經賣到英特爾關鍵制程，因為有CCP的沉淀，所以做起來很快。

?中微切入長江存儲時非常重視，在長存的總腔體數(shù)最高，超過美國和日本的頭部競對，而且打入臺積電的5nm非關鍵層也很不容易，前景比較看好。華創(chuàng)的ICP相對一般。

?中微在40/45nm邏輯芯片領域已經有量產經驗了，但是28nm需要切換到金屬掩膜的大馬士革工藝，中微還在驗證中，沒有達到完全量產的水平。華創(chuàng)可以做到40/45nm，28nm也沒有。

Q:有報告估測14nm制程刻蝕要達到60多次，相較28nm提升60%，7nm140次，5nm可能會200次以上。芯片制造不同納米制程對刻蝕的需求，主要區(qū)別點是什么？

ES:從28nm到14nm，再從14nm到7nm，它的蝕刻步驟高，主要是因為它的MMP就是minimummetalpitch，變小了之后，由于光刻的限制。光刻比如說7nm以上的制程都還是用到DUV，deepUV，就是KrF、ArF這樣的制程，那它是有限制的，不像EUV。DUV的話，一般我們理論認為DUV可能做到38-40nm的MMP，但是你要把它繼續(xù)做小的話，沒辦法。怎么辦？它就doublepatterning，就是來兩次曝光顯影。

這里面又有2種做法。一種叫LELE，叫l(wèi)itho-etch-litho-etch，就做一次photo、顯完一次影etch一次，再做一次顯影再做一次，這叫l(wèi)itho-etch-litho-etch，簡單來講這樣就double了。當然了，不是所有的layer都需要特別小的這種線寬或者是孔徑。所以剛才你提到的比如說從28到14提高了60%，其實就是前段和后段這種線寬也好、孔徑也好，它要做到小的話，就要用雙倍的這種顯影來做。

還有一種叫SADP，叫self-aligneddoublepatterning，那個相對來說現(xiàn)在是比較成熟的技術。LELE可能14nm用得比較多，LELE后面到了10nm、7nm為什么不用了？是因為litho-etchlitho-etch要錯位的。就是這邊顯完影曝開之后這個地方是留著的，接下來要往下吃的，但是在下一步吃之前，你得再coating一層，把旁邊的位置給它讓開。這樣隨著線寬越來越小，你要錯位的層數(shù)越來越多，那就不太好做了，self-aligneddoublepatterning比較好?，F(xiàn)在對蝕刻制造的要求就是精度要求要高。

現(xiàn)在其實這種情況，因為你也談到了14、28這些，那主要就是在logic產品里面會用到的，像中芯，其他沒了。國外的我們不談，因為它們能買到，三星也好、臺積電也好，或者是哪家也好，它能買到EUV，EUV的就不需要這么麻煩了，因為它的波長已經到了13.5nm，所以一下子就能鋪得很小。

對于etch，主要的一個挑戰(zhàn)是什么，或者說相較于28、40、45這種制程，主要就是蝕刻的設備它要求的精度要高，還有一片wafer的面內均勻度要控制得好。因為你本來線寬就小了，你如果是做得小，然后你的均勻度做得不好，或者孔錯得不好的話，那這份wafer就沒法要了。所以對于蝕刻的設備要求就是要精度高。在advance的一些技術，我覺得倒也未必?？赡茏?8nm的蝕刻設備，到14nm或者10nm在做的時候，它相較于28的generation的這個機臺來講，特別是整個在產品上有大的更改，沒有，它的要求就是加了一些小的改善的功能，比如說在邊邊能夠調整gap，或者有一些ALE的功能。就是對設備的響應速度要求非常高，然后加一些function在里面。臺數(shù)那就不用講了。你剛才講了14nm就比28nm多了60%的蝕刻的層數(shù)，那蝕刻的設備要求就從28到14的話，那翻倍還不止了。

所以設備的要求就是精度要高，臺數(shù)要求就是臺數(shù)要多。工序就是一些重復的工序，就是套娃式的，就是litho-etch-litho-etch，倒也沒有多出一些特別的、新的工序出來，反而是在原來的工序上不停地做一些重復。價格方面不好意思，這個我了解不是很多，大概是這樣。

Q:目前整個半導體下行周期之下，疊加美國的設備出口管制限制，您觀察到國內一些主流的晶圓廠，下半年或者說10月7號禁令到現(xiàn)在，對蝕刻設備的需求情況或者訂單情況有什么變化？

ES:這個明顯是有下行的趨勢的，這個很明顯，從兩個大塊，邏輯芯片和memory芯片，memory芯片又分3D和DRAM，先說memory。Memory來講，我們國內2家最大的，一個做3D的，一個做DRAM的，就是長存和長鑫，一個合肥、一個武漢。那武漢就不用講了，它直接進入黑名單了，它現(xiàn)在2個廠，一廠和二廠。

一廠其實已經有部分產能可以，它一廠主要是量產128層的3DNAND，有很少的一部分產能可以run232層的。二廠已經建好了，但是正好趕到了美國的政策，二廠的機臺movein了一點了，整個廠的5-10%，很少，突然就停滯了，一宣布之后像美系的那些大廠，直接第二天就全部都撤掉了。Even在很久以前，比如說在制裁之前下的那些訂單PO什么的，這些美國大廠直接就退給它們，就說政府要求，我也沒辦法，雖然我很想做你的生意。所以它現(xiàn)在處于一個基本停滯的狀態(tài)，二廠。

一廠能夠生產，但是遇到的問題是它進入黑名單，128以及128以上的這些制程都是不能run的，理論上來講。也就是存在一個設備它已有了，但設備它是消耗品，它得不停地更換parts，就是機臺不能賣了，對不起，parts也是同樣不能賣的，所以它就面臨著parts緊缺的問題。雖然每個fab廠都有一個所謂的安全庫存，但是安全庫存那是針對于行情好的時候，安全庫存3個月、5個月沒問題，但是就算YMTC有一些預料或者怎么樣，安全庫存?zhèn)鋫€一年，現(xiàn)在基本上也快停滯了。所以它一方面要調整好，對于這些管制的parts來講，它怎么尋找替代品。

第二，從國際上來講，現(xiàn)在DRAM也好或者3D也好，庫存量非常高。因為疫情以來，大家看到好像PC、手機，尤其是線上的教學或者是線上的會議之類的，使得PC的需求非常高，大家都拼命囤，就不停地在生產。現(xiàn)在庫存已經高位了，不知道你們有沒有看到像三星、海力士都已經下調了產品的價錢了，這樣的話國內就更難了。它們庫存又高，再一降價，國內看到這種情況，它本來也有庫存，價錢又被人家逼了，可能它就會減產。DRAM也是一樣的，長鑫在中國來說算是老大，但是DRAM它也就到D19這個generation，其實量產也就Fab1，基本上不到10萬片。庫存可能相對于國際大廠來講，美光、海力士、三星、Toshiba來講，可能稍微少一點。但是它后面要謹慎了，G1對于它這個廠來講，其實只是一個趟趟水的制程，它不盈利的，之前我聽到的說法是，長鑫的這個廠基本上能做到10萬片的話，將將收支能平衡這樣一個情況。

那現(xiàn)在大家也都在降價，它怎么辦呢？它是繼續(xù)生產降價賣還是怎么樣，降價賣肯定就面臨虧損。G3這個generation之前在1月份之前是說被美國也禁掉了，就是美國之前對DRAM的要求是18和18以下的制程，美國的設備是不允許賣設備的。但是好像近期它們得到的消息，因為種種原因美國是放開了它所謂的D17可以量產，但是它D17良率不好，還沒有客戶，所以也比較慘。

國際上來講也是，像DRAM的話，DRAM是最糟糕的，3D好像還好一點，DRAM最大的就是海力士、三星和美光，它們庫存又是在高位，現(xiàn)在各家都在裁員，減少支出，然后降價。所以現(xiàn)在來看，我們目前或者說大家的共識是至少要看到今年的Q3，可能再根據(jù)實際情況，因為現(xiàn)在形勢也多變，不好說，看看會是什么樣情況。對于蝕刻設備來講，現(xiàn)在的訂單量明顯是減少的，包括在美國去年頒了這個禁令之后，像Lam也好，美國的2個廠商也好，它們直接宣布2023年的revenue將近砍掉25-30%，revenue少就說明它賣得少，預測大概是這樣。

Q:關于邏輯芯片受到的影響，中芯國際請您再看一下？

ES:我個人認為或者說其他家認為，中芯影響不是很大。為什么？因為中芯其實早在2018年美國第一次做這個禁令的時候，那個時候影響是最大的。那它通過4年的自救，中芯現(xiàn)在說白了它7nm是能夠產的，只不過因為它沒有EUV，沒有極紫外光的光刻機，它用DUV，就剛才我一開始跟你提到的這個。它用doublepatterning的方式，就是多重曝光的方式，用DUV的方式做成曝光，能夠達到線寬縮小，但是這個不好的一點就是它的cost會非常高。你別看EUV光刻機價錢很高，但是中芯現(xiàn)在用DUV，一道layer，就是一個loop，比如說AA也好，或者fin這個loop也好。打個比方它可能做10次才能達到它們理想的線寬，但是可能EUV只要做2次就夠了，所以這里面就5倍的一個差，cost會比較高。

當然了，雖然我們了解下來7nm其實是有一些良率或者之類的，但是具體有沒有客戶，因為涉及到很敏感的話題，它們也沒給我們透露，但是陸陸續(xù)續(xù)有一些小的miniline在跑了。其實14已經在正式量產了，說白了中芯，對它們來講能夠國產替代的基本上國產替代了，沒有國產替代的，它們以前買的一些設備其實也是能夠生產的，那中芯對logic來講影響不是很大。

中芯因為攤子很大，整個的8寸也有MegaFab上海的，然后12寸的也是上海的八廠，還有newfab在做28和14，14小量產，28是主流，北京的話40、45，天津的是8寸，深圳的8寸、12寸都有，那都是lowend的。Highend的這些制程主要是上海八廠和新fab在量產。華力來講的話，五廠和六廠是，在金科路這邊的這個廠其實也是lowend制程，沒有量產28，只是40、45和55CIS，康橋的廠是六廠，二廠、三廠現(xiàn)在建好了，但是后面怎么弄還不清楚。六廠主要量產的是28。14的話，不知道你們有沒有聽說，14之前其實也做了七七八八，因為整個基本上也是copy的中芯的制程，14基本上做得也差不多了。但是因為美國的制裁之后，其實設備還是賣不進來，所以它們暫停了14，所以華力主要以28為主。對中芯我覺得影響不大，而且現(xiàn)在中芯在臨港的泥城，然后在北京以及在天津都宣布了擴建，而且是去年它們會上是說今年的資本基本上不會削減，還是按計劃投資，之前它們的說法是這些廠都是12寸，主要是為了用來擴產28nm。因為28nm技術節(jié)點，根據(jù)一些專家或者臺積電以前那些說法，臺積電你別看它，現(xiàn)在28占了它的營收還有將近超過10%，所以28技術節(jié)點停留的時間會很長，而且它很成熟。然后28它又不算比較low的制程，好多的不管是哪個方面，汽車芯片也好，汽車芯片對于28相對來說已經是很高端了，其他的一些中低端的手機、PC，可能都需要28這個制程，所以它停留時間會很長。大概是這樣。

Q:目前長存直接被列入最嚴的實體清單，長存目前任何美國設備或者美國技術都無法買到？

ES:沒錯，現(xiàn)在確定的是official的這些美國的頭部商家確實是買不到了。但是我是有聽說，因為我在那邊也support過，也認識很多人，現(xiàn)在這個也很敏感。它們第一尋找國產替代，當然這個路很長，但是現(xiàn)在已經把這個提高為最高等級了，它們內部成立了一個國產替代的委員會小組，專門做這個事情。目前它線上能生產，但是就像我跟你講的，設備已經有了，但是零部件是一個大問題，因為零部件消耗品，壞了，或者是有些是一次性換掉的。之前我是聽說10月7號頒布這個禁令之后，它們就開始行動了。它們有些什么辦法？第一，從韓國、日本那邊找替代品，日本那邊可能主要是做替代品，韓國那邊主要是二手零部件，它可以曲線的有一些方法維持一陣子。一廠暫時還沒有停滯，還在做生產，不然的話。長存裁員你們也知道了，一部分是為了縮減成本，另外一方面它現(xiàn)在產量方面來講也有所收窄。但還是在生產，有生產就有消耗，所以零部件現(xiàn)在對它們非常重要。

Q:所以相較于長存，長鑫、中芯、華力就只限于高端制程的美國設備無法進口？

ES:你理解得沒錯。

Q:在這樣的情況之下，10月7號美國直接頒布了美國技術的出口限制禁令，1月左右，日本、荷蘭又跟進說可能在設備方面也會有出口的限制。在這段期間之內，您觀察到日本、韓國包括歐洲的設備和零組件廠商，10月7號之后對于中國的出口都有什么樣的變化？

ES:怎么講呢？美國這邊就是想拉攏日本、荷蘭，這個是正常的，1月底基本上達成協(xié)議了，得到的消息是肯定日本會跟進。荷蘭那邊我就不是很清楚了，但是肯定也會跟進，具體光刻機那邊什么時候限制不是很清楚。但是光刻機有一個不太好的消息是，據(jù)說連DUV，就是深紫外光的設備都會禁，這個現(xiàn)在還沒有確切消息，而且具體什么時候不知道。日本這邊比較明朗，我們也大概清楚。日本基本同意美國的一起加入，具體的限制措施基本上會follow美國的這一套，就是logic的話是14及14以下，memory這邊3D是128以及128以上，DRAM也是D18以下。但是日本要通過修改法律的形式來達到限制出口，這里面修改法律需要時間，內部來講是可能大概2-3個月的時間，那可能會在3月或者4月，或者再晚一點，可能5月會正式announce。目前來講，尤其是日系頭部廠商來講，還是能夠出貨給任何一家的，包括長存。

Q:所以可以理解為10月7號之后，長存、長鑫、中芯加大了和日系或者是其他的非美的供應商的合作強度，或者是拉貨的力度？

ES:當然。尤其是因為日本是有一些設備，國產設備目前來看可能暫時還不一定完全跟得上它的技術，所以中芯也好、長存也好、長鑫也好，它們可能會囤一部分日本的設備。說法是日本的這個應該是6月，也是像美國10月7號一樣全面禁止，可能還有3-4個月的時間。

Q:國內頭部的設備廠商，比如中微、北方華創(chuàng)、屹唐、拓荊等等，在更先進的14nm以上或者128層以上的相關設備零組件采購方面，是否也會面臨限制？

ES:是的，你說得對。零部件雖然我們叫國產設備，但是你這個國產設備上非美的parts有多少，這個就要去想一想。我們了解下來所知道的，因為這行業(yè)圈子也小，中微的設備的非美的零部件率做得是最好的。它們很早以前，2018年中芯那一次的時候，它們內部就已經有共識是不知道以后美國會再來一些更嚴的還是怎樣的一些東西，不清楚。一旦限制了，如果我這個tool上、機臺上有50%的零部件都來自于美國、歐洲，那后面一樣一塌糊涂的，所以它們現(xiàn)在做得是最好的。華創(chuàng)那邊其次。但是大家現(xiàn)在都有共識了，現(xiàn)在基本上非美的兩家至少60%以上都是能達到的，但是還有一些美國替代品繞不開的東西，有幾大非常key的parts是繞不開的，可能路就比較長了。那就涉及到美國零部件它不供應這些parts，如果它真的完全響應美國的號召，一點都不給供應的話，那確實還是比較麻煩的，對于國產設備來講也是比較麻煩的。零部件里面有幾個非常關鍵的東西，我個人暫時來看，至少1-2年內可能尋求。但是這里面怎么講，我們叫非美，我可以尋求日本的、或者尋求歐洲的、或者尋求韓國的，這個是要看國產設備是怎么想的。我個人認為它們現(xiàn)在肯定也是這么做的，先是尋求歐洲的能夠替代美國的，這個跟美國的parts的精確率或者品質來講應該是差不多的，可能有一些瑕疵，其次再是尋求純國產的替代。

有幾個關鍵部件是，射頻發(fā)生器我們叫RFgenerator；第二個是ESC，我們叫E-chuck，就是wafer傳送到設備里面去得放在一個臺子上，那個東西叫E-chuck，它是靜電吸附的；還有一個就是真空壓力表。這里面國產替代最有可能的或者是最先能夠實現(xiàn)的應該是ESC，就是放wafer平臺的這個東西，難度最大的是真空壓力表。真空壓力表這個東西是一個軍用管制品，非常小的一個parts零部件，但是它是能夠精確控制腔體里面壓力的一個非常關鍵的零部件。但在目前來看，這個是美國產的，國產的我們先不提，國產現(xiàn)在離這個距離實在是太遠了，根本沒辦法精確控制到這種毫托級別的壓力。比如說一般真空的腔體里面10毫托、20毫托的腔體壓力一定要控制住的，也就是離真空差這么一點點，一直保持，要通過壓力計來控制?，F(xiàn)在歐洲是有一家替代商的，但是精確度跟現(xiàn)在美國這家比有一段差距，它能夠精確控制，但是不穩(wěn)定，你過個2-3天再去看，它這個零點校正就飄了，這個是比較討厭的事情。那晶圓這個東西又很金貴，你不能是說我要長期地，設備、fab是24小時運轉的，所以這個東西。其實華創(chuàng)我是知道它很早以前就尋找真空壓力表的替代了，就尋找的歐洲的這一家。但是它們賣到客戶那邊去的話，客戶抱怨很大，真空壓力表很麻煩，每天都得派人去調，校正它，目前還沒達到像美國這一家的精度。那國產的路就更長了，我了解下來，具體哪一家其實我現(xiàn)在也不好透露，這個有2家，但是你別說距離美國的了，距離歐洲那家也是差得非常大。所以這是很要命的一個東西，就看比如說國產設備第一，現(xiàn)在我不知道這個壓力表賣到比如中微也好、北微也好，它賣到中微、北微的話，現(xiàn)在能不能賣我就不清楚了，是不是以前它們囤過很多也不清楚，至少我個人覺得它們現(xiàn)在應該在囤。上次我有個朋友跟我講過，已經開始囤歐洲這一家的真空壓力表了，這是對的，總比后面機臺賣不出去強，你機臺上缺了這個東西賣不出去的，不能生產的。

像ESC和RFgenerator，國產的路比較長，但是至少不會像真空壓力表拉的差距這么大，我覺得1-2年之內有希望能夠做到的。況且像ESC和射頻發(fā)生器，日本做得是比較好的，日本現(xiàn)在也還沒有announce正式的管制范圍，所以它們也可以大批量采購，應該沒有問題。而且現(xiàn)在像華創(chuàng)包括中微，好多ESC和射頻發(fā)生器已經開始采用日本的了，日本的因為精工做得還是不錯的，還有Toto做的ESC，做得還是很不錯的。國產，ESC我覺得差不多了，基本上有一些廠家能夠做到跟日本媲美的水平了。射頻發(fā)生器的話，因為它里面涉及到脈沖，沒有脈沖的話其實國產基本上也能做到一定水平了，涉及到脈沖，就比較advance一點，可能還要努努力。大概是這樣。

Q:美國的禁令針對14nm以及更先進的制程，拿刻蝕設備為例，比如說中芯國際在做28nm的時候，它的刻蝕設備機臺采購Lam、AppliedMaterials，是否28nm制程也受到了影響？28和14可能會有一些共用的技術，美國是直接把這種設備28nm的也禁掉，還是就允許你28nm但要在后臺做監(jiān)測？

ES:這個就看買家和賣家怎么達成協(xié)議了。你說得沒錯，28nm的好多設備其實是可以用來做14nm的。理論上來講，它買設備有一個標書或者是有一些contract，只要中芯說我是買來用來做28的，Lam也會說你如果用來做14，可能會受到美國政府的追究責任什么的，那大家official上面agreement一下就沒問題了，設備是可以正常出的。但是買進來之后，就看中芯怎么用了，這個不太好查的。所以你這個說法是對的，就是它買28的機臺其實可以用來做14的，沒錯，是的。但是萬一美國查起來的話。不知道你們有沒有聽說，其實在美國10月7號頒布這個禁令之后，長存還沒有進入實體清單，只不過是受到一個list，就是不安全list，但是還沒有進入黑名單。那在它12月底宣布了進入黑名單這2個月之間，美國是有派人去長存稽核的，有的。所以這個東西就看中芯它買了所謂的28的Lam的、Applied、TEL的設備，它用來生產14nm。如果美國真的要查，因為它買的是美國的設備，美國是有權去查這種東西，就是有沒有涉軍用或者什么的，那一旦查到了就不太好看，但是我覺得美國也不至于來實地查吧。

Q:這種只能通過現(xiàn)場的盡職調查才有可能是吧？有沒有可能通過一些機臺的數(shù)據(jù)直接查明？

ES:機臺的數(shù)據(jù)。通過終端產品，比如說中芯已經生產出14了，美國拿去分析這一道制程用沒用Lam的制程、用沒用TEL、用沒用中微，這個查不到的，必須要到現(xiàn)場去拉機臺上的一些數(shù)據(jù)才可以。

Q:如何對比中微和北方華創(chuàng)目前整體的技術能力和發(fā)展機會？

ES:首先，國內的兩家龍頭就是中微和華創(chuàng)，這兩家在2018年以前可以說井水不犯河水，因為兩家做的產品不一樣，一個叫所謂的ICP電感式耦合，一個是CCP電容式耦合。電感式耦合主要是用來吃一些單晶硅、多晶硅、金屬這些東西，是用ICP來做的，那北方華創(chuàng)，這個是它們的專長，而且一直以來基本上都是做ICP為主的，CCP基本上沒做過。中微主要就是電感式耦合，電感式耦合就是這種接觸窗、接觸孔，我們叫trench，介質蝕刻。兩家其實各做各的，很少有去打擾它。就技術來講，中微的CCP做得是相當出色的，華創(chuàng)的ICP可圈可點。到了2018年以后，中微開始就做ICP了，而且發(fā)展得非常迅速，到去年為止，它的ICP我個人感覺，我雖然做etch的，我做ICP比較少，但是這個基本上是通的。中微的ICP做得，這么講，中微有ICP已經賣到英特爾去了，而且做的是很關鍵的制程，很key的layer，而且賣了十幾二十幾臺，ICP，那華創(chuàng)就沒有賣到英特爾過。中微我聽說是從2016年、2017年就開始做ICP了，它因為有CCP的沉淀，所以做起來很快。再說華創(chuàng)，華創(chuàng)的ICP，其實我個人覺得華創(chuàng)就etch干刻來講做得一般般。因為華創(chuàng)它的攤子鋪得很大，不光是蝕刻，它CVD這些東西做得也還是不錯的，它的revenue其實這幾大塊里面，還有太陽能這些東西，其實干刻是墊底的，華創(chuàng)里面。它其實40、45的ICP，像前道的這種activeAA、gatepoly做得也基本上成熟了，北京的像40、45這些基本上都用它的了。但是到了28，后面甚至到了14，它在做這種多晶硅、單晶硅蝕刻的時候就是一直沒有那么大的突破，尤其是14。14nm它選擇一開始跟中芯做，中芯不要它做的，第一中芯當時14在那個誰來了之后趕進程，不想在國產上消耗太多時間。后來華創(chuàng)找的是ICRD，也是同樣進入了黑名單的上海集成電路研發(fā)中心，合作。其實開發(fā)的時間很久，大概我覺得2-3年時間，14nm的單晶硅蝕刻才有一些突破，但是切入點已經很慢了，在中芯那邊基本上切入不進去了，中芯14根本就沒有要華創(chuàng)的設備。所以華創(chuàng)的ICP我覺得做得很一般。再說華創(chuàng)的CCP。因為它看到中微CCP做好了之后，中微就開始做ICP，而且做得還不錯，它們也眼饞，從2021年開始立項，它們成立了一個研發(fā)三部，專門做CCP，專門請專家來做的?，F(xiàn)在將近不到一年半，前一段時間我也問過一些朋友，說做CCP基本上還是一些比較低端的。好像整個平臺是打好了，但是現(xiàn)在要想打入到廠里面去的話，好像小廠的一些低端的制程打算用它們的CCP做一些東西。

所以從現(xiàn)在中微的形勢來看，我覺得中微蝕刻起家，ICP、CCP現(xiàn)在都做得不錯，它現(xiàn)在還做MOCVD、外延這種東西都在做，而且還有LED藍光這種東西，南昌那邊也成立了一個生產研發(fā)中心，所以中微我覺得勢頭還是比較大的。而且號稱，也不是號稱，媒體報道也好，當然中微有辟謠，就是說我們的設備已經打入到臺積電的5nm的工藝。當然5nm我們后來覺得這簡直在吹，那實際問下來人家并沒有吹，就是它確實打入了臺積電的5nm的制程，但是不是keylayer，不是特別關鍵的工藝，關鍵工藝基本上還是掌握在頭部廠商里面。但是這也表明了中微的非keylayer，就是中微打入的在gate或者fin那道里面的一個bulk制程，也就是在剛才一開始提到的litho-etch-litho-etch里面的某一道制程。其實那個要求也是很高的，臺積電的要求一直很高，一般能打入臺積電這個的話，其實很不容易的。它那個線寬要做得非常小，所以中微在國內里面算龍頭我覺得一點都不為過。而且中微它運氣比較好，中微切入點，在2016年、2017年武漢的長江存儲起來的時候，宣布要投那個的時候。其實一開始作為我們頭部廠商，那時候紫光說要在武漢建一條3DNAND線，3個廠一個廠10萬片的，包括我們頭部廠商覺得它在吹的，圈國家錢。

但中微不一樣，不管它是有內部消息也好還是怎么樣，它們非常重視的。所以從一開始它們做32層趟趟水的產品制程，它就非常重視，中微，在那深耕了好幾年，現(xiàn)在中微的干刻，你可以看它的年報，干刻產品的revenue里面，武漢的收入占了1/3到40%的revenue，你想這個有多夸張。我因為在長存那邊做的時間很長，基本上長存一開始建廠的時候，我們就開始有人過去了，我是最早的。那我們就一點一點看著中微，一步一步蠶食這種國際大廠的一些layer。你看現(xiàn)在長存128那個，就是它現(xiàn)在一廠128量產的那個，整個中后段基本上，還有所謂的最后面一道passivation可能現(xiàn)在還不是中微的，其他的全部都是中微的。整個后段其實也很吃chamber的，因為后段是金屬連線，金屬連線就是不停在重復的，第一層metal、第二層metal、第三層metal，一旦拿下來你好幾層metal就是chamber很厲害的。甚至我們去年有統(tǒng)計過中微總的腔體數(shù)，現(xiàn)在在武漢長江存儲一廠里面的設備的腔體的量，其實是超過日本頭部公司那個量的，還沒達到LamResearch泛林的那個，Applied就更慘了，Applied在etch這邊基本上已經全軍覆沒了。

所以中微在YMTC的marketshare非常好。然后它做的東西并不是我們想的那么low什么的，其實做出來基本上跟頭部大廠的，因為要不然它不可能量產的，量產就是良率要達到它們YMTC客戶的要求的。你可以看TechInsights的那些東西，我們一看后段到中段整個全部都是，包括YMTC的Xtacking那個技術，它們獨一無二的那個專利技術，兩片waferbonding的，bonding里面wafer連接起來這些東西也都是中微做的。中微在YMTC是弄得很不錯的，你看華創(chuàng)marketshare，中微在YMTC的蝕刻里面，它的市占率已經超過日本那家公司的marketshare，超過30%了。再看華創(chuàng)，像YMTC這么大的，YMTC其實在國內內存里面，國內就一家，做得真的是很快、很好，不像長鑫。

北方華創(chuàng)在YMTC的marketshare兩位數(shù)可能還不到，10還不到，做得不好。所以個人比較下來，國產設備前景來看，但是你看華創(chuàng)它純國企，然后攤子鋪得比較大，將來中微怎么比我也不是很清楚。中微現(xiàn)在我覺得它ICP也做得很不錯，如果有突破的話，我覺得將來可期反正，華創(chuàng)它可能蝕刻少一點或者怎么樣，其實不太影響它的那個，就看它怎么發(fā)力了。我個人是這樣認為的，前景方面來看我比較看好中微，北微行動力方面、執(zhí)行力方面稍微差一點，可能與背景有關。

Q:YMTC的3DNAND刻蝕機的邏輯，和中芯國際的logic刻蝕機應用的邏輯是不是有一定的區(qū)別？這兩塊市場的刻蝕設備應用邏輯有什么區(qū)別？

ES:有區(qū)別，邏輯和3D來比的話，主要的一個就是邏輯它需要的是高精密的。中微它最早2004年建廠，后來開始慢慢打入，它是由低端產品開始進入市場，所以它便宜，這個是很多廠商看上的一點。所以便宜只能做一些非常低端的，那大線寬的，對這種一片wafer面內的均勻性或者什么要求不是特別高的，它可以做的。那logic不行的，logic不管是28也好，14就更不用說了，40、45，客戶。你也可以從另外一方面了解到，就是logic一個wafer做出來的芯片的錢，它賣出來的錢和memory一片賣出的錢完全是不可同日而語的。那logic良率大部分人家要做到，像英特爾以前都要求做到99%的良率的，就是說每一個chip，哪怕曝完整個die，最邊緣的部分我也能用得上，這個要求非常高，所以要求你的精密度要非常高。3D就不一樣了，我個人理解下來它稍微粗糙一點，它主要是堆疊，3D就是像建樓房一樣，堆疊完了之后，它的尺寸其實是很大的。比如說你這個logic14nm它一個線寬要control到10nm、7nm，所以連1nm你都不能shift，1nmshift你就1/6沒了，所以這個是不行的。那3D里面不管是孔也好、槽也好，它是很大的，都是幾百納米的這樣一個尺寸。因為3DNAND是存儲電子的，叫非易失性存儲，所以它是要存儲電子，它就要存儲得越多越好，存得越多越好它就不可避免地，原來2D的flat的存儲不了那么多，后來就發(fā)明了3D堆疊。堆疊這里面它做的這樣一個存儲電荷的地方不要太小，反而要大一點，然后把它吃下去，能通就行了，不要有很深的這種孔，不要有太扭曲的現(xiàn)象，它就OK。而且像3D也好、DRAM也好，它的良率要求80以上就可以量產。一般像DRAM合肥長鑫那條line，只要良率做到85%，我就可以賣錢了，當然了這個錢賣得沒有l(wèi)ogic那么貴。所以它這里面是有要求的。所以對比下來，3D里面的設備的generation和logic這邊來比，logic一般比如說都是同種類型要刻一個蝕刻，一個槽也好，一個孔也好，logic里面的設備的迭代至少要比memory這邊高出1.5代或2代的水平。就是3D這邊的話，它的設備的需求量是非常多，但是對于精度方面，精度control或者什么要求是稍微次于logic的。當然后面隨著現(xiàn)在像美光已經第一家宣布量產232層了，隨著后面300層或者是更高，因為去年海力士不是預測3DNAND堆疊技術可以做到1,000層嘛。隨著技術越來越難，它對設備的要求當然不像我講的這種粗糙型的了，它可能也會要求越來越advance一點。我大概是這么理解。

Q:關于中微和華創(chuàng)的目前最先進能達到什么樣的技術等級？比如中微的CCP和ICP在邏輯這一塊，目前能達到的技術水平多少納米，層或者具體的工序是哪一道？

ES:當然有了解。Logic這邊，整體國產設備都比較落后、都比較差，市占率來講都比較差，可以說到28這個技術節(jié)點的話，中微和華創(chuàng)我覺得都差不多。那28這個技術節(jié)點，我說邏輯，邏輯的話華創(chuàng)基本上前面的像AA、poly也是能做，但是沒有量產經驗?？赡墁F(xiàn)在55這個generation，華創(chuàng)、ICP是能夠有量產經驗的，不管是中芯或者是，北方中芯，尤其是北京中芯，華創(chuàng)深耕得比較多。剛才講了兩家都在開始做CCP、ICP，但是logic比較例外，還是個人管個人的這一攤。Logic里面，華創(chuàng)還是主攻ICP，中微還是主攻CCP，我目前為止還沒有聽說比如中微的ICP有進入到logic廠里面的，或者華創(chuàng)的CCP有進入到logic廠里面，沒有，因為logic要求比較高，所以個人都還是專攻個人的那一塊。中微在CCP里面做得也不是很好，但是它現(xiàn)在基本上做到40、45這個generation的話，后段的一些大線寬的槽和孔，中微基本上已經能夠有量產經驗了，尤其是在中芯里面。到28的話，中微和華創(chuàng)我了解下來有一道非常關鍵的，在logic里面，后段的CCP里面的一個叫金屬掩膜大馬士革工藝，不知道你有沒有聽說過。這個其實是日本頭部廠商那一家公司做得最好，marketshare基本上100%全是它做的。

中微其實從2014年開始就在中芯那邊做金屬掩膜大馬士革工藝了，但是一直都沒趕上好時機。40那個generation，中微、Lam、日本那個廠商同時PK的，但是最后被日本那個廠商給拿下了，Lam也失敗了，中微也失敗了。后來又面臨一次機會是上海中芯要開始量產28和14，有一部分40、45的技術要transfer到北京去，這個時候中微覺得也是個機會，想再去趁這個transfer的機會能不能之前沒打好的一些東西繼續(xù)找北京的人再做一下。后來做的結果也還是在reliability，我們叫可靠性方面，做得也確實還是不如它的日本那家做得好，所以又丟了。所以在logic里面，back-end后段的金屬掩膜大馬士革工藝是非常重要的一道工藝。第一，后段全是重復的，剛才講過了，你一旦一道拿到了，而且邏輯的后段的金屬層數(shù)非常多，一旦拿到了1層，10層全是你的，這個又很那個。中微一直在做，但是目前了解下來還沒有一家，不管在哪個技術節(jié)點。金屬掩膜大馬士革工藝是在28這個技術節(jié)點才開始有的，但有一些家像聯(lián)電、還有一些其他的小的fab，其實從40、45、55這個generation就開始用這個工藝了，28是所有廠家都用了。沒有做金屬掩膜大馬士革工藝的時候，40、45中微還是后段有一些制程，它是分開做的，就是溝槽和通道孔，這兩道是分開做的。那通道孔的話，中微在40、45這個generation，就還沒有用到大馬士革工藝的時候，它已經是拿到PO了，有量產經驗了。但是28這個generation全部都切換到金屬掩膜的大馬士革工藝的時候，中微目前還正在，可能有的是在客戶的現(xiàn)場驗證中，還沒有達到完全量產的水平。

華創(chuàng)主要是前道，前道m(xù)arketshare也很少，就是一些單晶硅和多晶硅的蝕刻，它現(xiàn)在我了解下來也就到40、45，中芯可能有小量產，28的也沒有。綜合下來看logic工藝，中微和華創(chuàng)兩家差不多，由于工藝的特殊性，而且40、45、28已經是成熟工藝了，除非新開的fab愿意走國產線路，它們可能才有更多的機會。比如說像嘉定的ICRD就是集成電路研發(fā)中心，那條線其實內部來講是華為那條線，它肯定要走全國產能，可能中微是一個機會。包括其他的現(xiàn)在南方開的、深圳即將要開的一些fab，包括杭州、北京京城這些開的，我覺得國產設備后面是有希望。再加上美國這次的這個，可能作為fab來講，要堅定一下信念，還不知道美國后面會做出什么事情呢，對吧。

Q:中微的ICP發(fā)展比較迅速，中微的ICP打進了英特爾的十幾納米或者是20納米的制程？

ES:不，英特爾不是logic，是3D。

Q:中微能打進5nm的某一個非關鍵制程，那為什么沒有進入中芯的14或者28nm那一塊？

ES:這里面就涉及到還是一開始那個問題，是臺積電。臺積電的5nm它是用EUV做的，EUV做的話它直接一步曝光顯影就可以做了。那中芯這邊的14nm還有7nm它是用多重曝光的方式，以前它一直沿用的是其他家做的，那中微再插進去的話就比較晚了。中微它走臺積電這條路線其實也非常早，它一開始成立之后就在臺灣設立分公司了，它在那邊深耕了很久。臺積電因為技術路線也是最前沿的，它切入進去之后又一直跟它們保持聯(lián)系，所以臺積電覺得后面你達到我的要求了，那我就可以用你，而且價錢又比其他家便宜，所以用了。那中芯它是后來，你要跟別人家去搶的話其實很難的，因為不同的chamber，你要做到相同的工藝，chamber本來design設計就不一樣，你強制要求我要做一模一樣的東西出來，其實是有點強人所難。當然了，中芯現(xiàn)在14nm前道的那些非criticallayer，中微我上次聽說已經開始驗證得差不多了，7nm的話我沒聽說，14nm的話我是知道類似于臺積電這種noncriticallayer已經開始可以做了。

Q:國內的在蝕刻現(xiàn)在主要是拿納米制程來判斷技術的提升標準，以28和14nm這個logic為主，實現(xiàn)設備全流程國產替代的可能性還有時間該如何看呢？

ES:你說刻蝕設備在14nm這個generation全國產化的代替是吧？28的我覺得2-3年全國產代替是有希望的。28和14我個人覺得差別比較小，差別不是特別大，頂多就是前段有一些工藝稍微有點差，但是后段如果一旦28能做出來，剛才我講的最重要的大馬士革工藝能做得出來的話，14和28可能也就差個一年、半年我覺得差不多沒有問題。14和28的話，主要前道有一些工藝華創(chuàng)那邊可能需要做一些突破。28的我覺得會比較快，如果現(xiàn)在中芯宣布了說28馬上要開始大量鋪開的話，不管是軍備競賽也好，還是中國要尋求從28開始突破，我覺得快的話一年半，能全國產替代是有希望的。

Q:這種預估良率能達到多少？

ES:預估良率，logic的話，我個人覺得一年半、2年達到跟現(xiàn)在美國產線這種水平了，應該是可以。我覺得良率也能達到目前的水準，九十幾以上應該是問題不大的，我個人認為是有這個希望的。

Q:您有什么重要的話題或者您覺得有需要補充的地方嗎？

ES:再補充一點。國產里面還有一個屹唐你們沒提到，屹唐是買的美國的Mattson，那干刻里面，以前Mattson又不是那什么，沒什么意義，Mattson不是做蝕刻起家的，它是做干法去光刻膠的。因為后來看到蝕刻的好像攤子比較容易賺錢，所以它們就在原來做干刻膠remove的這種腔體里面，隨便搭了一個干刻的設備。其實它現(xiàn)在要走的路，它也是想走ICP，走的路太長了。曾經在YMTC那邊有一些突破，但是后來量產線有一個不好的事情，它repeat的ability不好，run個幾片還行，run個幾千片、上萬片的出了很大的case，導致它的reputation很差，就是報廢了很多片，現(xiàn)在基本上也不能立足。但是它在退火、在光刻膠的remove方面做得還是不錯的。所以干刻方面屹唐要走的路還很遠。

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