半導(dǎo)體行業(yè)前景展望

數(shù)碼桃桃

全球半導(dǎo)體行業(yè)的騰籠換鳥－強(qiáng)應(yīng)用搶下弱應(yīng)用產(chǎn)能的持續(xù)性
電動／自駕驅(qū)動車用芯片的典范轉(zhuǎn)移
2021 年全球車廠最大的噩夢就是缺芯減產(chǎn)，在全球疫情趨緩后，因消費(fèi)者 為怕染病減少搭乘搭捷運(yùn)，公交，出租車，但轉(zhuǎn)而采買新車及二手車。全球市場因此從 2020 年三季度開始大幅復(fù)蘇。
新能源電動車及 L2 以上 AD-AS 燃油車的增量又遠(yuǎn)超傳統(tǒng)油車，再加上 NXP 及英飛凌因美國德州奧 斯丁 8“廠因 2021 年初暴風(fēng)雪大停電而停產(chǎn)，日本 Re-n-e-s-as 廠因 2021 年 3 月火災(zāi)而停產(chǎn)。
電動車及 L2 以上 AD-AS 及自駕系統(tǒng)滲透率的提升，更 造成車用 MCU（每增加一臺自駕感測器，雷達(dá)，激光雷達(dá)，毫米波雷達(dá)就 需要一個 MCU），電源管理芯片，電力功率等芯片缺口越來越擴(kuò)大。
因為 結(jié)構(gòu)性缺貨，多家產(chǎn)業(yè)機(jī)構(gòu)如 Bo-s-t-on Co-n-s-u-l-t-i-ng Gr-o-up，IHS Ma-r-k-it， Tr-e-n-d-F-o-r-ce 的研究預(yù)測，1Q22 全球車用 MCU, 模擬，電力功率芯片的交 期仍超過 40 周或三個季度。
估計 2021 年全球有將近 1000 萬輛車的需求 因缺芯停產(chǎn)而無法滿足，這相當(dāng)于貢獻(xiàn) 2022 年超過 10 個點(diǎn)的增長。
我們保守測算全球車廠營收在 2022／2023 年仍有 9％／10%的增長，但 全球車用半導(dǎo)體市場在 2022/2023 年卻有 24%／20% 的同比增長。
這對 2022 年全球半導(dǎo)體增長有 2-3 個點(diǎn)的貢獻(xiàn)。每車芯片價值在 2022/2023 年 有近 10-15%的增長。
每車半導(dǎo)體價值因電動車 (估計 2035 年有 70%滲 透率) 及 AD-AS/自駕車（估計 2035 年有超過 30%滲透率）的滲透率增加 而提升，因先進(jìn)制程芯片成本增加而提升。
因芯片數(shù)量增加而提升（主要 指模擬芯片），我們認(rèn)為未來 15 年，全球車用半導(dǎo)體增長將明顯高于車廠 營收增長平均達(dá) 10-15 個點(diǎn)。
全球車用半導(dǎo)體市場于 2020-2035 年復(fù)合成 長率可能超過 20%（1-3% CA-GR 來自于全球車市出貨量的長大，9-11% CA-GR 來自于每車車用芯片數(shù)目增長，8-10% CA-GR 來自于芯片平均單價 提升）。
我們認(rèn)為未來 15 年重點(diǎn)關(guān)注的強(qiáng)應(yīng)用公司包括英偉達(dá) Or-in 的出租 車自駕芯片系統(tǒng), Te-s-la 的乘用車 FSD/D1 自駕芯片系統(tǒng)，高通，地平線 。
黑芝麻的自駕芯片，Lu-m-e-n-t-um 的激光雷達(dá)光源，Wo-l-f-s-p-e-ed, Ro-hm 及 ST-M-i-c-r-o-e-l-e-c-t-r-o-n-i-cs 的 6”/8“碳化硅解決方案。
人駕到自駕，重點(diǎn)在成本及視覺／AI 芯片技術(shù)：很多產(chǎn)業(yè)專家說未來的自 駕車就像裝了四個輪子的智能手機(jī)，以自駕技術(shù)的難度及半導(dǎo)體配臵而言， 我們不同意這說法。
我們認(rèn)為自駕車像是裝了四個輪子的智能 AI 服務(wù)器 （如果透過遠(yuǎn)端控制軟件來協(xié)作，自駕車隊更像裝了四個輪子的智能集群 系統(tǒng)），Ga-r-t-n-er 在 2019 年四季度預(yù)測在 2023 年，全球有近 74.6 萬自駕車。
目前使用激光雷達(dá)來作為視覺功能的 SAE L4-L5 的自駕車成本要超 過 10 萬美元，昂貴的激光雷達(dá)感測元件價格 5 萬美元以上，所以很難普及 到自用車，像是特斯拉不使用激光雷達(dá)。
但透過 3 顆前臵攝像頭（60， 150，250 公尺視覺距離），1 顆后臵攝像頭（50 公尺視覺距離），4 顆前后 側(cè)邊攝像頭（80-100 公尺視覺距離），12 顆環(huán)繞車身的超音波感測器（感 測距離 8 公尺）。
及一顆前臵雷達(dá)（160 公尺視覺距離）推出的 L3 等級 FSD 自駕駛解決方案，整體額外自駕功能成本應(yīng)該不超過 2 萬美元。
我們 估計于 2035 年全球超過 30%的汽車銷量將具備 L3-L5 的自動駕駛功能， 未來 15 年的復(fù)合增長率達(dá)到 30-35%。
服務(wù)器芯片的迭代加速
我們估計全球服務(wù)器廠商營收在 2022／2023 年有 5%／7%的增長，但全 球服務(wù)器半導(dǎo)體市場在 2022／2023 年卻有 20%／25%的增長。
這對 2022/2023 年半導(dǎo)體增長各有 4－6 個點(diǎn)的貢獻(xiàn)。每臺服務(wù)器芯片價值在 2022 年有超過 12%的增長，主要系 AI 智能服務(wù)器比重的提升對 AI GPU 需求也有提升。
In-t-el 7 及 AMD 5nm 的 CPU 的芯片面積大增估計也對 成本及價格進(jìn)一步提升，PC-IE Gen 5 re-t-i-m-er, 及 DDR5, DDR5 內(nèi)存接口 芯片的采用，都對每臺服務(wù)器芯片有增量，增價效果。
因為 In-t-el, AMD, Nv-i-d-ia 在云端，邊緣運(yùn)算，企業(yè)，政府，運(yùn)營商端的技術(shù)疊代競爭加速， 我們認(rèn)為未來 10 年，全球服務(wù)器半導(dǎo)體增長將明顯高于服務(wù)器廠營收增長 平均達(dá) 10-15 個點(diǎn)。
全球服務(wù)器半導(dǎo)體市場于 2021-2035 年復(fù)合長大率達(dá) 20%（4-5% CA-GR 來自于全球服務(wù)器數(shù)量長大，2-3% CA-GR 來自于每臺 服務(wù)器芯片數(shù)目增長，12-14% CA-GR 來自于芯片平均單價提升）。
根據(jù)美 國半導(dǎo)體設(shè)備龍頭應(yīng)用材料的預(yù)估，從 2020 到 2025 年，全球每臺服務(wù)器 的半導(dǎo)體芯片價值將增加一倍到 5600 美元，相當(dāng)于 20%的 5 年復(fù)合增長 率。
歸因于每臺服務(wù)器的芯片數(shù)量增加，芯片面積變大，良率變差，處理 層數(shù)增加，交貨周期拉長所造成的結(jié)構(gòu)性缺貨。
Tr-e-n-d-F-o-r-ce 的研究預(yù)測， 2022 年 3 月全球服務(wù)器用 FP-GA, 電源管理芯片，高速網(wǎng)絡(luò)芯片，電力功 率芯片的交期仍超過 40 周或三個季度。
In-t-el 7 Sa-p-p-h-i-re Ra-p-i-ds：英特爾于今年三月份小量出貨的新一代服務(wù)器 芯片 In-t-el 7 CPU Sa-p-p-h-i-re Ra-p-i-ds, 雖然是第一次改用 Ch-i-p-l-et 架構(gòu)。
但在 整合四顆 372mm 2 芯片（每顆芯片 (ti-le) 有 14-20 CPU 核心）面積的 ch-i-p-l-e-ts 后，整體 56-80 核心芯片面積估計高達(dá) 1488mm2，是上個世代 Ice la-ke 產(chǎn)品的三倍大左右。
所以定價應(yīng)該會比 Ice La-ke 貴三倍左右, 我們 以為因為核心數(shù)不足，芯片面積過大，良率較差，成本高，ABF 大載板缺 貨（層數(shù)變多，面積變大，良率變差）等因素。
英特爾 2022 年要靠著 Sa-p-p-h-i-re Ra-p-i-ds 收回過去兩年失去的給 AMD 份額，我們覺得還是有難度。
那為何英特爾不改其 CPU 設(shè)計為小芯片架構(gòu)，我們研究認(rèn)為主要系英特爾 的架構(gòu)已經(jīng)有 2，4，8 顆服務(wù)器 CPU So-c-k-et 插槽的主機(jī)版，如果每顆 ch-i-p-l-et 的 CPU 有 8 顆芯片（Ti-le）。
那 8 個 CPU 的服務(wù)器主機(jī)板就會有 64 顆芯片 (Ti-le) 要互相連結(jié)，那 CPU跟 CPU, 芯片跟芯片的溝通都要透過 UPI 通道 (Ul-t-ra Pa-th In-t-e-r-c-o-n-n-e-ct，最高傳輸速度可達(dá) 16GT/s), 那 UPI肯 定會成為 CPU芯片之間溝通的瓶頸。
英特爾整合了兩個 DDR5 的控制芯片到一顆芯片（Ti-le）中，4 顆芯片就是 8 個存儲器通道，如果是 8 顆芯片，每顆芯片太小就無法容納兩個 DDR5 的存儲器通道控制芯片， 這樣也會有瓶頸。
AMD 是把存儲器控制芯片放在中心的 I/O 控制芯片上， 所以每顆 CPU 多加幾顆芯片沒有關(guān)系。AMD 的服務(wù)器架構(gòu)主要用 1，2 顆服務(wù)器 CPU So-c-k-et 插槽的主板。
如果每顆 ch-i-p-l-et 的 CPU有 8 顆 芯片 (Ti-le)， 那 2 個 CPU 的服務(wù)器主機(jī)版就僅有 16 顆芯片要互相連結(jié)， 溝通上就簡單許多。
AI 服務(wù)器拉升英偉達(dá)云端 AI 芯片需求：這幾年因為 Nv-i-d-ia 英偉達(dá)的 GPU 大量被使用在人工智能的云端辨識系統(tǒng)。
從每臺服務(wù)器加兩片高速運(yùn)算 GPU 卡，4 片到 8 片 GPU 卡都有，讓 Nv-i-d-ia 在數(shù)據(jù)中心芯片市場的份額 從 2018－2019 年的不到 10%， 到 2021 年的超過 20%。
全球人工智能服 務(wù)器占比也逐年提升至 2021 年近 10%，但光就 AI 推理及訓(xùn)練加速器而言， 英偉達(dá)應(yīng)該有超過 95%以上的份額。
英偉達(dá)的 4nm 芯片 H100， 芯片面積 雖然 812mm2，最大耗電量達(dá) 700W, 但其在浮點(diǎn)半精度，單精度，雙精 度稀疏及理論峰值運(yùn)算都明顯優(yōu)于同業(yè)，為了讓 H100 的 DGX 人工智能服 務(wù)器系統(tǒng)發(fā)揮效能。
還要另外配備非常昂貴的 320-640GB HBM (高頻寬內(nèi) 存) 給 AI GPU 使用，為了控制使用價格昂貴的 HBM 讓總成本不要失控。
英偉達(dá)決定在 2023 年初推自家的設(shè)計的 ARM CPU （Gr-a-ce）配合其高速 NV-l-i-nk 通訊網(wǎng)絡(luò)（500GB/秒傳輸速率）, 可以讓 CPU/GPU 共同分享 DDR4/5/HBM 存儲器達(dá)到快取一致性(Ca-c-he Co-h-e-r-e-n-cy)。
我們認(rèn)為未來哪 家公司能率先推出 AI服務(wù)器達(dá)到 Ca-c-he Co-h-e-r-e-n-cy ，這就是未來 AI服務(wù) 器競爭者的決勝點(diǎn)之一。
英特爾要自推 AI GPU 搶份額: 英特爾今年要推出的 AI GPU加速器 Po-n-te Ve-c-c-h-io （1000 億晶體管, 47 芯片, ts-mc 5nm x16, 8 核心=128 核心 (co-m-p-u-te ti-le), in-t-el 7nm x2 640mm2 (ba-se ti-le), ts-mc 7nm x2 (li-nk)）x4 再搭配 2 顆 Sa-p-p-h-i-re Ra-p-i-ds CPU的人工智能服務(wù)器系統(tǒng)
也需要龐大的 DDR5 DR-AM 及 HBM DR-AM。不同于 Nv-i-d-ia 的 NV-l-i-nk, AMD 的 In-f-i-n-i-ty Fa-b-r-ic 這兩者都是獨(dú)家技術(shù)封閉架構(gòu)，無法適用于 CPU 及 GPU 以外其他 芯片的連結(jié)，In-t-el 支持的 CXL 可消除 CPU與設(shè)備、CPU與存儲器之間的 傳輸瓶頸。
創(chuàng)建一個可以支持 AI, sm-a-rt I/O、sm-a-rt NIC, CPU, 存儲器模組 的接口，以服務(wù)下一代的數(shù)據(jù)中心?？上壳?CXL 是建立在 PC-IE Gen 5.0 的實體及電子層的架構(gòu)上。
目前 PC-IE Gen 5/CXL 最高只能提供 64GB/s 的雙向傳輸速率, 跟 Nv-l-i-nk 的 500GB/s， In-f-i-n-i-ty Fa-b-r-ic 的 400GB/s 有 6-8 倍的差距，可能要等到 PC-IE Gen 6/CXL 的 128GB/s 技術(shù) 問世才能進(jìn)一步縮短與 Nv-i-d-ia 及 AMD 之間的差距。
但從 2019 年 3 月 13 日開始，英特爾攜手阿里巴巴、思科、戴爾，EMC、IBM, 臉書 Me-ta、谷 歌、惠普、華為以及微軟宣布成立 Co-m-p-u-te Ex-p-r-e-ss Li-nk(CXL) 開放合作 聯(lián)盟。
目前從 Nv-l-i-nk, In-f-i-n-i-ty Fa-b-r-ic re-t-i-m-er 的設(shè)計進(jìn)度來看，要能夠領(lǐng) 先英特爾達(dá)到 Ca-c-he Co-h-e-r-e-n-cy 似乎還是有很大的難度。
Wi-Fi 7 芯片將補(bǔ)足 5G 傳輸過慢的缺陷
晶圓代工 12“成熟產(chǎn)能逐季疏解：歸因于之前大部分 12” 成熟制程工藝 28-65nm 產(chǎn)能被小尺寸顯示驅(qū)動觸控，射頻收發(fā)器，攝像頭感測芯片，影 像信號處理器，MCU微處理器等所用。
全球 Wi-Fi 5, Wi-Fi 6 SoC 出貨始終 處于嚴(yán)重供不應(yīng)求，但 2022 年因消費(fèi)性智能手機(jī)，筆電，TV 需求轉(zhuǎn)弱，。
我們預(yù)期 12“成熟制程產(chǎn)能將逐季釋放到 Wi-Fi 5, Wi-Fi 6，Wi-Fi 7 的芯片 生產(chǎn)，這將利好于 Wi-Fi 芯片 SoC 及 RF 射頻前端市場未來五年的加速放 量；
新應(yīng)用加速 Wi-Fi 7 迭代更新：元宇宙的 VR/AR, 4K/8K 超高清視頻，低延 遲游戲機(jī)，補(bǔ)足 5G 旗艦手機(jī)傳輸過慢的缺陷，將驅(qū)動 3 倍帶寬 Wi-Fi 7 終 端及路由器芯片的迭代更新。
尤其利好于高通的 XR 芯片＋Wi-Fi 6/7, 晶晨 的 STB/TV 芯片＋Wi-Fi 6/7, 高速游戲機(jī)＋博通, 瑞昱, 高通，聯(lián)發(fā)科的獨(dú)立 Wi-Fi 6/7 芯片；
Wi-Fi 7 將驅(qū)動 Wi-Fi芯片市場結(jié)構(gòu)性放量：我們評估 Wi-Fi 7 的帶寬比 Wi-Fi 6 增 3 倍加上摩爾定律微縮趨緩，這將帶動 Wi-Fi 7 芯片在單價及芯片面積 上大于 Wi-Fi 6 近 50-100 個點(diǎn)以上，這將形成一支大量消耗 6/7nm 芯片產(chǎn) 能的需求怪獸；
智能手機(jī)及商用/工業(yè)用/家用 Wi-Fi 芯片市場國產(chǎn)替代偏低，未來潛力龐大： 除了物聯(lián)網(wǎng) Wi-Fi 已有國內(nèi)芯片公司相繼投入外，國內(nèi)智能手機(jī)，商用/工 業(yè)用/家用接入網(wǎng)及網(wǎng)關(guān)路由器 Wi-Fi 芯片市場國產(chǎn)替代偏低（明顯低于 5%）。
以 2025 年全球 45 億顆 Wi-Fi 主芯片市場及射頻放大器前端從整合 到獨(dú)立的增量市場來看，未來國產(chǎn)替代潛力龐大。
尤其利好于國內(nèi)及臺灣 地區(qū) Wi-Fi 芯片產(chǎn)業(yè)鏈公司如樂鑫科技，創(chuàng)耀科技，博通集成，翱捷科技， 晶晨股份，兆易創(chuàng)新，立積（射頻前端), 唯捷創(chuàng)芯(射頻前端)，及穩(wěn)懋/宏 捷科（Wi-Fi RF 晶圓代工）。
全球半導(dǎo)體芯片市場 2023 年增長將明顯趨緩
我們認(rèn)為半導(dǎo)體下行周期有分兩大類，一種是像 1997 年亞洲金融風(fēng)暴， 2001 年 Y2K 后電腦更新停滯， 2008 年全球衍生性商品金融風(fēng)暴的大規(guī)模 的需求衰退。
另一種是像 2012，2015，2019 年的需求增長減緩，配合半 導(dǎo)體產(chǎn)能陸續(xù)開出而造成的供過于求及芯片價格下跌調(diào)整。
雖然通脹嚴(yán)重到讓各國政府央行接連升息，但半導(dǎo)體廠盡力將設(shè)備漲價， 折舊，材料，人工，電力成本的提高來轉(zhuǎn)嫁給需求更多產(chǎn)能的強(qiáng)應(yīng)用客戶；
加上摩爾定律微縮大幅趨緩，芯片面積越來越大，良率越來越差，我們預(yù) 期未來 20-30 年全球芯片制造成本及晶圓代工平均單價將逐年攀升 4-5 個 點(diǎn)或以上。
我們將不再像過去 30 年因摩爾定律微縮加速而看到明顯的芯片 成本及平均芯片價格下降。我們因此測算未來 10 年（2021-2031）全球邏 輯芯片營收將有 10-11 個點(diǎn)的復(fù)合增長率 CA-GR，高于過去 10 年復(fù)合增 長率的 5.9%。
成熟制程晶圓代工／封測趨緩可期，先進(jìn)制程相對穩(wěn)定
歸因于海外及國內(nèi)芯片設(shè)計客戶因擔(dān)心晶圓代工漲價而提前大幅建立庫存 將庫存月數(shù)從過去的低于平均，2022 年一季度的 3.6/6.5 個月，到 2022 年二季度預(yù)期將超過 4.0/7.0 個月
加上智能手機(jī)／筆電／電視／成熟型消 費(fèi)性電子等產(chǎn)品的出貨量增長明顯減弱，但受惠于許多強(qiáng)應(yīng)用產(chǎn)品組合的 迭代更新（電動自駕車，服務(wù)器，VR/AR， 新能源及工業(yè)用。
Wi-Fi 6/7） 及反應(yīng)設(shè)備，材料，電力，人工成本的漲價，我們估計 2023/2024 年全球 晶圓代工營收同比增長 10%/12%，明顯低于 2021/2022 年的 29%／28%。
其中臺積電及英特爾代工營收同比增長超過平均，其他如聯(lián)電，力積電， 中芯國際，華虹，世界先進(jìn)，Gl-o-b-a-l-f-o-u-n-d-r-i-es 營收同比增長低于市場平均 。
受惠于英特爾，高通，英偉達(dá)的 5nm/4nm/3nm 加單／轉(zhuǎn)單，我們預(yù)期臺積電 2023/2024 年平均單價將年增長 5-10%，其他晶圓代工平均單價持平， 行業(yè)整體平均產(chǎn)能利用率從二季度的 100%，逐季下滑到 1H23 年上半年 的 90%左右。
因為成熟制程，尤其是 12“晶圓產(chǎn)能利用率下滑，我們評估 全球晶圓代工資本開支將從 2021/2022 年的 55%／38% 同比增長趨緩到 2023／2024 年低于 10%的同比增長，或不排除步入同比衰退。
歸因于智能手機(jī)／筆電／電視／成熟型消費(fèi)性電子等產(chǎn)品的出貨量增長明 顯轉(zhuǎn)弱， 加 上 臺 積 電 及 英 特 爾 積 極 布 局 搶 入 服 務(wù) 器 高 速 運(yùn) 算 GPU/CPU/FP-GA 的小芯片大載板封測業(yè)務(wù)及成熟制程芯片封測沒有漲價 空間。
我們預(yù)測 2023／2024 年全球封測營收增長 8%／8%，低于 2021/2022 年的 25%／10%。
半導(dǎo)體設(shè)計：把握弱應(yīng)用向強(qiáng)應(yīng)用轉(zhuǎn)換的投資機(jī)遇，智能化+缺芯潮驅(qū)動模擬芯片持續(xù)量價齊升
需求端：汽車電動+自駕、工業(yè)自動化及 5G 通訊建設(shè)推動 22 年全球模擬 芯片繼續(xù)量價齊升。IC In-s-i-g-h-ts 預(yù)計 2022 年模擬芯片總銷售額將增長 12% 至 832 億美元，出貨量同增 10-11%。
從需求端看，模擬芯片行業(yè)持續(xù)成 長主要受下游不斷增長的汽車電子、通信、工控、消費(fèi)等需求驅(qū)動，預(yù)計 未來 5 年模擬芯片市場增長的主要推動力將來自電源管理 IC、汽車/通信等 專用模擬芯片和信號轉(zhuǎn)換器組件的強(qiáng)勁銷售。
供給端：海外巨頭 TI 的模擬芯片逐漸向 12 英寸產(chǎn)線轉(zhuǎn)移，預(yù)計 2022- 2024 年全球模擬芯片產(chǎn)能 CA-GR 達(dá)到 8%。
2019 年，TI 約 47%的模擬產(chǎn) 品收入來自 12 英寸產(chǎn)線，根據(jù) TI 的測算，12 英寸模擬芯片的晶圓成本較 8 英寸節(jié)約 40%成本，TI 加大 12 英寸產(chǎn)線布局。
根據(jù) IHS Ma-r-k-it 預(yù)估， 2022-2024 年全球模擬芯片產(chǎn)能 CA-GR 達(dá)到 8%。國內(nèi)市場，隨著國際模 擬芯片大廠的戰(zhàn)略重心在向工業(yè)、汽車領(lǐng)域傾斜，逐步退出中低端消費(fèi)電 子市場。
這為國內(nèi)聚焦消費(fèi)電子領(lǐng)域的模擬芯片企業(yè)提供了生存空間，我 們預(yù)計整體國產(chǎn)化率有望由 2020 年的 12%提升至 2025 年的 20%左右。
模擬庫存仍在增加，但環(huán)比增速開始放緩。雖然從 3Q21 開始國內(nèi)模擬芯 片廠商庫存月數(shù)開始逐步增長，至 1Q22 達(dá)到 4.9 個月，但并未達(dá)到近 5 年以來 6.8 的最高庫存月數(shù)
環(huán)比增速僅為 5%較上一季度的 30%， 有大幅下降。庫存月數(shù)增加，主要還是在于消費(fèi)需求轉(zhuǎn)弱，導(dǎo)致國內(nèi)大多 數(shù)與消費(fèi)強(qiáng)相關(guān)的模擬廠商的庫存開始增加。
強(qiáng)應(yīng)用占比高的思瑞浦表現(xiàn)最優(yōu)。分廠商來看，我們看到 1Q22 只有思瑞 浦、力芯微、芯朋微、圣邦股份和希荻微的庫存月數(shù)低于模擬廠商加權(quán)平 均庫存 4.9 個月，其中表現(xiàn)最優(yōu)的是思瑞浦，庫存僅有 2.4 個月，還不到 平均值的一半。
我們認(rèn)為這主要?dú)w因于公司產(chǎn)品下游應(yīng)用領(lǐng)域主要是泛通 信（55%）、泛工業(yè)（30%）、汽車+安防+醫(yī)療等（5%），消費(fèi)領(lǐng)域占比僅 為 10%，在消費(fèi)需求轉(zhuǎn)弱情況下，這些強(qiáng)應(yīng)用的需求依然強(qiáng)勁。
DR-AM 內(nèi)存價格止跌，長期高景氣不變
需求端：預(yù)計 2022 年全球 DR-AM 市場規(guī)模將首次跨越千億大關(guān)。 Tr-e-n-d-F-o-r-ce 預(yù)計 2022 年全球 DR-AM 市場增長 8%，將突破千億大關(guān)，達(dá)到 1027 億美元。
我們認(rèn)為，未來 5 年全球內(nèi)存器 DR-AM 需求將進(jìn)入黃金 時代，歸因于：首次全面使用 EUV 光刻 1-al-p-ha DR-AM；人工智能 服務(wù)器系統(tǒng)拉動 HBM 高頻寬內(nèi)存需求；
服務(wù)器用 DDR5 面世，核心數(shù) 帶動內(nèi)存通道數(shù)增加，7nm/4nm/20-18An-g-s-t-r-om CPU 也將搭配 HBM； L3/L5 自駕車對存儲器需求；中/低容量特殊利基型 DR-AM 需求超過供 給。
供給端：因為設(shè)備越來越貴，EUV 光刻機(jī)設(shè)備取得困難，加上良率延遲問 題，DDR5 比 DDR4 多消耗 30-50%產(chǎn)能，我們預(yù)期未來 10 年的 DR-AM 位元容量產(chǎn)能復(fù)合增長率將從過去 5 年的 20%，降低到 17%。
未來 10 年 全球 DR-AM 行業(yè)應(yīng)該是長期處于供給不足的狀態(tài)，估計短期供過于求的下 行周期將有 2-3 次，少于 2010-2020 年的 4 次。
另外，Tr-e-n-d-F-o-r-ce 預(yù)計 2022 年全球 DR-AM 內(nèi)存器資本開支將達(dá)到 305 億美元，同比增長為 9%。
預(yù)計 22 年下半年 DR-AM 價格將逐步企穩(wěn)回升。從 DDR4 8Gb 的合約價以 及 DDR4 4Gb 的現(xiàn)價走勢看，受渠道模組商及系統(tǒng)廠商增高庫存水位后降 低購買意愿所致，2021Q3 開始存儲價格開始回落。
但經(jīng)歷近 8 個月的降 庫存過程以及我們預(yù)判未來幾年受產(chǎn)業(yè)缺芯、地緣政治以及疫情等不確定 因素影響，渠道模組商及系統(tǒng)廠商將維持高庫存水位狀態(tài) 。
加上 DDR5 的 迭代更新造成單價提升，預(yù)計 22 年下半年開始存儲價格將有望逐步企穩(wěn)回 升。Tr-e-n-d-F-o-r-ce 也預(yù)計從 3Q22 開始 DR-AM 合約價格將逐步回升。
國內(nèi)存儲廠商業(yè)績與存儲價格走勢一致。受益于去年漲價，21 年國內(nèi)存儲 芯片廠商業(yè)績都有不錯表現(xiàn)，但顯然在 21Q2 增速達(dá)到高點(diǎn)之后，營收增 速開始大幅下降，利潤率走勢也是如此 。
這與存儲價格走勢相關(guān)性較強(qiáng)， 因此我們預(yù)計今年下半年國內(nèi)存儲芯片廠商業(yè)績有望逐步好轉(zhuǎn)。
兆易創(chuàng)新由消費(fèi)弱應(yīng)用向工業(yè)、汽車等強(qiáng)應(yīng)用轉(zhuǎn)變成效顯著。國內(nèi)存儲廠 商的加權(quán)平均庫存月數(shù)，從 4Q21 開始逐步提升至 1Q22 的 4.7 個月，但 仍明顯低于 IC 設(shè)計廠商 6.5 個月的平均庫存。
從公司來看，1Q22 瀾起科 技、聚辰股份和兆易創(chuàng)新的庫存低于存儲行業(yè)平均值，分別為 2.38、4.49 和 4.57 個月，均處于合理的范圍內(nèi)。
其中，瀾起與聚辰均受益于 DDR5 的 新產(chǎn)品放量，兆易創(chuàng)新則與公司由消費(fèi)向工業(yè)、汽車等強(qiáng)應(yīng)用領(lǐng)域轉(zhuǎn)型成 效有關(guān)。
長期看好車用 MCU 行業(yè)長期長大性
MCU 量價齊升，未來 5 年 CA-GR 達(dá)到 9.4%。IC In-s-i-g-h-ts 預(yù)計，2022 年 全球 MCU 的市場規(guī)模有望達(dá)到 215 億美元，同比增長 10%，預(yù)計 21-26 年 MCU 的平均售價的復(fù)合增速將達(dá)到 3.5%。
Yo-le 發(fā)布最新報告也稱， 2021 年 MCU價格漲幅超過預(yù)期，預(yù)計 2022 年將繼續(xù)上漲，且在 2026 年 前不太可能大幅回落。
這主要得益于汽車電動化與智能化驅(qū)動單車用 MCU 數(shù)量增加，如動力系 統(tǒng)、車身控制、AD-AS 以及車載娛樂交互等多個汽車模塊均會增加對 MCU 的需求。
IC In-s-i-g-h-ts 顯示，2021 年全球汽車 MCU 市場規(guī)模達(dá)到 76 億美 元，同比增長 23%，預(yù)計 2022-23 年將繼續(xù)增長 14%和 16% 。
自動 駕駛需求將驅(qū)動車用 MCU 從 8 位元/16 位元向 32 位元轉(zhuǎn)變以增加 MCU 的算力，從而提升單顆 MCU 的價值量，預(yù)計到 2021 年年超過 3/4 的汽車 MCU銷售額來自 32 位，約為 58 億美元。
21 年國內(nèi) MCU 廠商收入高增長，盈利能力逐步提升，但 22 年存在隱憂。 受益于缺芯潮影響以及疫情導(dǎo)致居家辦公促進(jìn)消費(fèi)電子需求增長。
同時， 車用 MCU 缺貨導(dǎo)致國際大廠產(chǎn)能轉(zhuǎn)向車用、工業(yè)用等高端應(yīng)用領(lǐng)域，21 年國內(nèi) MCU 廠商在消費(fèi)領(lǐng)域量價齊升，國產(chǎn)替代加速，合計廠商收入同 比增長 85%。
毛利率與凈利率均達(dá)到歷史高點(diǎn) 47%/20%。但我們認(rèn)為， 隨著 22 年消費(fèi)電子需求轉(zhuǎn)弱，以及部分渠道商囤貨受到整治，消費(fèi)用 MCU 價格有望逐步回落。
國內(nèi) MCU 廠商產(chǎn)品應(yīng)用多為消費(fèi)領(lǐng)域，工業(yè) 用與車用占比較小，因此，我們認(rèn)為預(yù)計去年享受漲價紅利的 MCU 廠商 （特別是消費(fèi)占比較高的廠商），在 2H22 或 2023 年存在業(yè)績下跌的風(fēng)險。
我們再看庫存月數(shù)，同樣從 4Q21 開始國內(nèi) MCU廠商的庫存月數(shù)逐步提升， 至 1Q22 達(dá)到 4.85 個月，同比增 55%，環(huán)比增 18%，表明國內(nèi) MCU廠商 庫存壓力逐步增大。
從不同公司來看，中穎電子和兆易創(chuàng)新分別為 2.6 和 4.6 個月，均低于行業(yè)均值。這主要得益于兆易 MCU 產(chǎn)品大力向工業(yè)、醫(yī) 療以及高端消費(fèi)等強(qiáng)應(yīng)用領(lǐng)域轉(zhuǎn)型（目前工業(yè)占比已超 40%）。
同時公司 車規(guī)級 MCU 也有望在今年下半年推出，也將加快轉(zhuǎn)型；中穎電子 MCU 主 要在需求較為穩(wěn)定的小家電領(lǐng)域，而且中穎工業(yè)用 MCU 多為專用產(chǎn)品， 客戶需求穩(wěn)定、粘性較強(qiáng)，因此，其庫存更低。
重點(diǎn)公司分析
思瑞浦：國內(nèi)模擬信號鏈龍頭，持續(xù)平臺化轉(zhuǎn)型
持續(xù)高研發(fā)鑄就技術(shù)優(yōu)勢：持續(xù)股權(quán)激勵及 23%的高研發(fā)費(fèi)用率 深度綁定人才構(gòu)筑靜電保護(hù)，低噪聲低溫漂參考電壓，低失調(diào) CM-OS 放大器等三大核心通用技術(shù)；
產(chǎn)品優(yōu)勢：每年新增 400 多種新產(chǎn)品，線性，ADC/DAC 轉(zhuǎn)換／接 口等三大模擬產(chǎn)品性能直追國際大廠；
客戶優(yōu)勢：中高端客戶占比高，產(chǎn)品由通訊向工業(yè)，汽車，高端消 費(fèi)等強(qiáng)應(yīng)用領(lǐng)域逐步拓展。
我們看好公司作為國內(nèi)模擬信號鏈行業(yè)的龍頭，受益于汽車電動化和 智能化、工業(yè)自動化升級以及 5G 帶來的物聯(lián)網(wǎng)終端應(yīng)用爆發(fā)增加對模 擬芯片的需求 。
同時，公司大力開發(fā)電源管理芯片與嵌入式產(chǎn)品，持 續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)品品類、中高端客戶持續(xù)突破，疊加全球缺芯帶來的國產(chǎn)替 代機(jī)會，有望持續(xù)高增長。
兆易創(chuàng)新：國產(chǎn)存儲與 MCU雙龍頭，構(gòu)筑 Nor Fl-a-sh+MCU+DR-AM 三 大長大主線
Nor Fl-a-sh 領(lǐng)域：兆易深耕多年，目前市占率 20%，全球第三，憑 借產(chǎn)品線豐富、Fa-b-l-e-ss 模式靈活、把控行業(yè)趨勢能力強(qiáng)等三大核心優(yōu)勢。
受益于國產(chǎn)替代，制程由 65nm 逐步切換至 55nm，中大容量產(chǎn)品 收入占比提升至 60%，突破汽車、工業(yè)等重點(diǎn)客戶，25 年市占率有望 提升 25%以上。
MCU領(lǐng)域，工業(yè)+汽車占比提升：兆易是國內(nèi) MCU 龍頭，22 年出 貨量 4 億顆，國內(nèi)市占率約 15%，32 位主流 MCU產(chǎn)品料號超 400 種。
目前下游工業(yè)應(yīng)用占比超 40%，22 年下半年車規(guī) MCU 量產(chǎn)，預(yù)計全 年工業(yè)+汽車占比將超 50%，受益于行業(yè)缺貨，國內(nèi)廠商加速國產(chǎn)替 代，未來 3-5 年兆易市占率有望提升至超 30%。
自研利基型 DR-AM 打開長期長大空間：21 年量產(chǎn) 19nm-D-DR4 （4Gb），已導(dǎo)入安防、機(jī)頂盒等客戶，預(yù)計 22 年量產(chǎn) 17nm-D-DR3、 DDR4、LP-D-DR4 等 1-8Gb 產(chǎn)品 。
目標(biāo)定位消費(fèi)類、工業(yè)控制類及汽 車類等利基市場，憑借長鑫產(chǎn)能優(yōu)勢、制程優(yōu)勢有望實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。
國內(nèi) IG-BT/SiC 迎來新能源及國產(chǎn)替代發(fā)展良機(jī)，預(yù)測全球 IG-BT 市場規(guī)模 2020~2030 年 CA-GR 達(dá) 13%
新能源行業(yè)（電動汽車、風(fēng)光儲能等）的快速發(fā)展，工控及家電行業(yè)的穩(wěn) 健增長，對 IG-BT 需求旺盛，根據(jù)我們估算，我們預(yù)計 2025 年全球 IG-BT 市場規(guī)模達(dá) 954 億元、2020~2025 年 CA-GR 為 16% 。
中國 IG-BT 市場規(guī) 模達(dá) 458 億元 (48%全球市場占比)、2020~2025 年 CA-GR 達(dá) 21%。2030 年全球 IG-BT 市場規(guī)模達(dá) 1609 億元、2020~2030 年 CA-GR 達(dá) 13%
中國 IG-BT 市場規(guī)模達(dá) 732 億元、2020~2030 年 CA-GR 達(dá) 15%。其中新能源車、 光伏&儲能貢獻(xiàn)了最大增量。
新能源車：IG-BT 最大增量市場，2022 年自給率有望達(dá)到 40%
新能源車市場是 IG-BT 的最大增量市場，預(yù)計 2025 年全球新能源車 IG-BT 市場規(guī)模達(dá) 383億元、2020~2025年 CA-GR 達(dá) 48%，2030年全球新能源 車 IG-BT 市場規(guī)模達(dá) 765 億元，2020~2030 年 CG-AR 達(dá) 31%。
IG-BT 主要應(yīng)用在新能源車的電機(jī)控制系統(tǒng)、熱管理系統(tǒng)、車載充電機(jī)， 此外， IG-BT 也廣泛應(yīng)用在 PTC 加熱器、水泵、油泵、空調(diào)壓縮機(jī)等 輔逆變器中，完成小功率 DC-AC 轉(zhuǎn)換。
我們估算單車 IG-BT 價值量維持 1700 元。IG-BT 一般占新能源車 BOM 成本的 5%。根據(jù) St-r-a-t-e-gy An-a-l-y-t-i-cs，48V 輕混車功率半導(dǎo)體單 車價值量為 90 美元，純電動車功率半導(dǎo)體單車價值量達(dá) 330 美元（折 合人民幣 2100 元）。
一般 A00 乘用車 IG-BT 單車價值量為 800 元， A 級電動車 IG-BT 單車價值量為 2000 元，2019~2021 年新能源車中 A00 車占比為 20%~25%，我們估算新能源車 IG-BT 單車價值量為 1700 元。
目前部分高端車型采用四驅(qū)系統(tǒng)（如理想 one），四驅(qū)系 統(tǒng)采用兩個電控模塊，我們估算四驅(qū)車型 IG-BT 單車價值量達(dá) 3200 元， 預(yù)計未來伴隨四驅(qū)車型滲透率持續(xù)提升，IG-BT 單車價值量持續(xù)提升。
我們假設(shè) 2025 年四驅(qū)車型滲透率達(dá) 15%，對應(yīng) 2025 年新能源車 IG-BT 單車價值量達(dá) 1980 元，四年 CA-GR 為 4%，考慮正常年份下 IG-BT 采購年降的影響，預(yù)計新能源車 IG-BT 單車價值量維持在 1700 元。
光伏&儲能：IG-BT 第二增量市場，國產(chǎn)替代剛剛開始
預(yù)計 2025 年全球光伏&儲能 IG-BT 市場規(guī)模達(dá) 108 億元、2020~2025 年 CA-GR 達(dá) 30%，2030 年全球光伏&儲能 IG-BT 市場規(guī)模達(dá) 280 億元， 2020~2030 年 CG-AR 達(dá) 25%。
光伏的功率半導(dǎo)體單 MW 價值量為 2000~5000 歐元，儲能功率半導(dǎo)體 單 MW 價值量為 2500~3500 歐元，估算 IG-BT 的單價為 3000 歐元 /MW（折合 2100 萬元/GW）。
根據(jù)固德威、錦浪科技的招股說明書， IG-BT 占原材料采購成本的 11%~12%，原材料成本占營業(yè)成本的 93%~94%，過去三年毛利率平均值為 35%，我們推算 IG-BT 價值量占 逆變器市場規(guī)模的 7%。
我們預(yù)計 2025、2030 年光伏&儲能逆變器出貨量達(dá) 542、1650GW， 市場規(guī)模達(dá) 1500、3999 億元，對應(yīng)全球光伏&儲能 IG-BT 市場規(guī)模達(dá) 108、280 億元，2020~2025 年 CA-GR 達(dá) 30%、2020~2030 年 CA-GR 達(dá) 25% 。
行業(yè)增量主要來源于三個方面：新增需求：受益 于全球光伏新增裝機(jī)量高速增長，預(yù)計 2025、2030 年光伏逆變器新 增需求為 400GW、1000GW；
替換需求：逆變器中 IG-BT、電容等 電子元器件受內(nèi)部環(huán)境、器件溫度和電流諧波的影響，使用壽命往往 低于電站運(yùn)營周期（尤其是早期逆變器產(chǎn)品），存在存量市場的替換需 求，預(yù)計 2025、2030 年光伏逆變器替換需求分別為 22、50GW；
儲能需求：儲能是實現(xiàn)可再生能源高占比的必經(jīng)之路，隨著儲能滲透 率提升，預(yù)計 2025、2030 年儲能逆變器滲透率為 30%、60%，新增 需求分別為 120、600GW。
SiC：優(yōu)勢突出，預(yù)計未來六年 CA-GR 超 34%，國內(nèi)企業(yè)奮起直追
SiC MO-S-F-E-TS 優(yōu)勢突出，更適合高壓領(lǐng)域。相對于 Si 基材料，SiC MO-S-F-E-TS 具有低導(dǎo)通損耗、低開關(guān)損耗、高開關(guān)頻率、高功率密度等優(yōu)點(diǎn) 。
更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，適用于新能源車、風(fēng) 電光伏等高壓領(lǐng)域，在 800V 高壓平臺的電動汽車可以充分體現(xiàn)快充、節(jié) 能的優(yōu)勢。
SiC 行業(yè)壁壘更高，競爭格局更優(yōu)，國內(nèi)企業(yè)積極布局。SIC 行業(yè)研發(fā) 周期長、制造難度高、資金投入高。
產(chǎn)業(yè)鏈涵蓋襯底→外延→設(shè)計→制 造→封裝，其中襯底、外延、制造、封裝占晶片加工成本的 50%、25%、 20%、5%，其中 SiC 單晶生長過程幾乎是黑箱操作、難以觀測、難度極高。
英飛凌 1992 年開始進(jìn)行碳化硅材料布局，直至近兩年方開始大規(guī)模建廠擴(kuò)產(chǎn)，2022 年 2 月英飛凌宣布將投資 20 億歐元擴(kuò)充第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能， 預(yù)計項目達(dá)產(chǎn)貢獻(xiàn)增量收入達(dá) 20 億歐元。
SiC 襯底、外延片集中度最 高，Wo-l-f-s-p-e-ed 市占率達(dá) 50%，羅姆、II-VI 市占率達(dá) 35%，三家公司長晶 爐均為自己設(shè)計。
SiC 功率器件的主要玩家包括意法半導(dǎo)體、英飛凌、 Wo-l-f-s-p-e-ed、羅姆、安森美、三菱，2021 年 CR3 達(dá) 76%。
國內(nèi)企業(yè)紛 紛布局 SiC 領(lǐng)域，比亞迪 2020 年是國內(nèi)唯一實現(xiàn) SiC 模塊在電機(jī)驅(qū)動控 制器中大批量裝車。2022 年時代電氣投資 4.6 億元將現(xiàn)有 4 英寸 SiC 芯片 年 1 萬片產(chǎn)能提升至 6 英寸 SiC 芯片年 2.5 萬片。
2021 年斯達(dá)半導(dǎo)募資 5 億元擬投產(chǎn)年產(chǎn) 6 萬片的 6 寸 SiC 芯片，截至 2021 年 9 月斯達(dá)半導(dǎo)已獲 得 3.4 億車規(guī)級 SiC MO-S-F-ET 模塊訂單。2021年 H1 士蘭微 SiC 功率半導(dǎo) 體中試線已成功通線，預(yù)計于 2022 年三季度投產(chǎn)。
供給端：缺貨漲價潮助力國產(chǎn)替代加速
行業(yè)國產(chǎn)化率較低，2019 年僅 12%。從全球 IG-BT 競爭格局來看，行業(yè)較 為集中，根據(jù) Yo-le，2020 年行業(yè) CR3 達(dá) 50%，英飛凌是行業(yè)絕對龍頭、 市占率達(dá) 27%。
分產(chǎn)品類型來看根據(jù) Yo-le，從產(chǎn)量來看，2015 年國內(nèi)自 給率為 10%、2019 年國內(nèi)自給率僅 12%，行業(yè)自給率緩慢提升。考慮海 外產(chǎn)品規(guī)格更高、預(yù)計從市場規(guī)模口徑來看國產(chǎn)化率更低。
展望 2022 年，供需失衡貫穿全年。5 月英飛凌公告財年二季報，公司 積壓訂單達(dá) 370 億歐元（2021 年公司收入為 111 億歐元，預(yù)計 2022 年收 入為 130~140 億歐元）。
且 80%需求集中于 12 個月交付，2 月英飛凌向經(jīng) 銷商向經(jīng)銷商發(fā)布通知函、表示 2022 年供需失衡貫穿全年，或醞釀新一 輪產(chǎn)品提價。
5 月安森美內(nèi)部人士稱 2022 年、2023 年車用 IG-BT 訂單 已滿且不再接單。1 月逆變器龍頭企業(yè)錦浪科技預(yù)計 2022 年四季度前 芯片供給難有大改善。
海外廠商擴(kuò)產(chǎn)普遍謹(jǐn)慎，主要的增量貢獻(xiàn)是英飛 凌投資 16 億歐元在奧地利菲拉赫 12 寸產(chǎn)能，于 2021 年 8 月投產(chǎn)，預(yù)計 通過 4~5 年產(chǎn)能爬坡后貢獻(xiàn)增量收入 20 億歐元，增量有限。
中國企業(yè)快速長大，盈利能力逐步提升
中國功率半導(dǎo)體行業(yè)呈現(xiàn)快速發(fā)展的趨勢，尤其是盈利能力提升顯著。A 股功率半導(dǎo)體行業(yè) 2021 年營收為 439 億元，同比年增 26%，歸母凈利潤 為 81 億元，同比年增 79%。
中國功率半導(dǎo)體行業(yè)盈利能力呈現(xiàn)持續(xù)上升的趨勢，2021 年功率半導(dǎo)體行 業(yè)毛利率為 34%，同比 2020 年增加+2.3pct，凈利率為 19%，同比 2020 年增加+5.5pct 。
下游新能源市場的旺盛需求拉升行業(yè)景氣度， 2022 年 Q1 毛利率為 35%，同比+2.1pct，凈利率為 18%，同比+2.8pct。
得益于缺貨漲價潮，IG-BT 行業(yè)國產(chǎn)化率快速提升。2021 年英飛凌功 率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)收入同增 20%，國內(nèi)上市公司斯達(dá)半導(dǎo)體 IG-BT 收入同增 75%，士蘭微 IG-BT 業(yè)務(wù)收入實現(xiàn)翻倍增長，比亞迪半導(dǎo)功率半導(dǎo)體收入 同增 152%，中車時代功率半導(dǎo)體收入同增 33%；
我們估算 2020、 2021 年國內(nèi)上市公司 IG-BT 收入達(dá) 31、57 億元，同增 59%、88%，國產(chǎn) 化率達(dá)為 17%、25%，提升 5pct、8pct。
海外龍頭毛利率更高且穩(wěn)定性更強(qiáng)，受價格周期影響國內(nèi)部分企業(yè)盈利能 力波動性較大。
從凈利率、毛利率來看，受益于功率半導(dǎo)體行業(yè)缺貨漲價 潮，近兩年各企業(yè)盈利能力明顯提升。海外龍頭英飛凌、安森美毛利率較 高且較為穩(wěn)定，2021 年英飛凌、安森美毛利率達(dá) 39%、40%。
國內(nèi)斯達(dá) 半導(dǎo)毛利率達(dá) 36%、呈現(xiàn)穩(wěn)步提升，新潔能、士蘭微毛利率波動性較大， 宏微科技毛利率顯著低于同業(yè)，但周期性明顯。國內(nèi)企業(yè)費(fèi)率更低。
凈利 率明顯優(yōu)于海外企業(yè)，受益于毛利率提升、規(guī)模效應(yīng)，斯達(dá)半導(dǎo)凈利率持 續(xù)提升、2021 年達(dá) 23%，新潔能、士蘭微凈利率波動性較大。
國產(chǎn)芯片制造加速，為國產(chǎn)設(shè)備及材料廠商提供巨大市場空間，晶圓廠資本開支持續(xù)增長，預(yù)計 2022 年大陸內(nèi)資晶圓廠設(shè)備需求增長 30%
2021 年全年設(shè)備銷售額增長 44%，2022 年晶圓制造設(shè)備預(yù)計增速 18%。 根據(jù) SE-MI，2021 年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額達(dá)到 1026 億美元新高，同比 增長 44%，中國大陸增長 58%達(dá)到 296 億美元。
預(yù)計 2022 年全球半導(dǎo)體 制造設(shè)備市場同比增長 18%擴(kuò)大到 1070 億美元。2022 年全球半導(dǎo)體行業(yè) 資本開支增長 24%，拉動半導(dǎo)體設(shè)備需求。
根據(jù) Ga-r-t-n-er 的估計，2022 年 全球半導(dǎo)體行業(yè)資本開支 1904 億美元同比增長 24%。2022 年預(yù)計三星/ 臺積電資本開支 379 億/400－440 億美元；中國大陸資本開支最高的中芯 國際 2022 年 50 億美元。
國內(nèi)的中芯國際、長江存儲、長鑫存儲、華虹集團(tuán)等廠商在陸續(xù)進(jìn)入加速 擴(kuò)產(chǎn)期，產(chǎn)能持續(xù)增長，為設(shè)備廠商帶來了巨大的訂單機(jī)會。
我們根據(jù)公 開信息統(tǒng)計，目前中國大陸地區(qū)的晶圓代工廠、IDM 廠等的 12 英寸目前 規(guī)劃建成產(chǎn)能約 190 萬片/月，2021 年底已達(dá)產(chǎn)的產(chǎn)能約 70 萬片/月，未 來潛在擴(kuò)產(chǎn)產(chǎn)能為 120 萬片/月。
8 英寸規(guī)劃產(chǎn)能約 137 萬片/月，潛在擴(kuò)產(chǎn) 產(chǎn)能為 42 萬片/月。預(yù)計 12 英寸 2022-2023 每年分別新增產(chǎn)能 33.5/36.5 萬片/月,8 英寸 2022-23 每年分別新增產(chǎn)能 21.5/11 萬片/月。
半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率持續(xù)提升
國內(nèi)在半導(dǎo)體設(shè)備各細(xì)分領(lǐng)域涌現(xiàn)出一批優(yōu)秀公司，但與海外廠商相比技 術(shù)實力與收入體量相差仍比較大。
海外龍頭公司利潤 AM-AT 、La-m-R-e-s-e-a-r-ch 等均為平臺型公司，國內(nèi)廠商中北方華創(chuàng)、中微公司、盛美上海、 萬業(yè)企業(yè)等已陸續(xù)開始或已經(jīng)實現(xiàn)橫向平臺化布局。
國產(chǎn)化率持續(xù)提升，隨著相關(guān)產(chǎn)線建設(shè)，我們認(rèn)為 2022-23 年有望迎來國 產(chǎn)設(shè)備滲透率加速提升的拐點(diǎn)。
從國際招標(biāo)網(wǎng)中我們統(tǒng)計長江存儲 、華力 微、華虹無錫三家國內(nèi)規(guī)模較大的新建晶圓廠從 2016 年至 2021 年期間公 開發(fā)布的相關(guān)招標(biāo)中標(biāo)公告 。
總體而言長江存儲、華虹無錫、華力集成設(shè) 備國產(chǎn)化率（按照設(shè)備臺數(shù)占比）分別約為 16%/15%/13%。
國產(chǎn)廠商的 招標(biāo)數(shù)量的滲透率在逐年提升，以長江存儲為例，從 2018 年的 5%提升到 2021 年接近 20%。
國產(chǎn)半導(dǎo)體材料迎來快速發(fā)展期
隨著大陸產(chǎn)能的快速擴(kuò)張，國產(chǎn)半導(dǎo)體材料迎來快速發(fā)展期。2021 年全球 市場規(guī)模在 642 億美元，較 2020 年同比增長 16%。21 年中國大陸增長 22%。
2020 年底中國大陸內(nèi)資晶圓廠 12 寸產(chǎn)能約 44 萬片/月，2021 年新 增產(chǎn)能約 23 萬片/月，我們認(rèn)為 2021-2023 年中國大陸內(nèi)資晶圓廠產(chǎn)能增速分別為 53%/48%/39%。產(chǎn)能的快速擴(kuò)張有望帶來國產(chǎn)半導(dǎo)體材料的加 速增長。
受益晶圓廠積極擴(kuò)產(chǎn)，硅片需求快速提升，硅片廠商擴(kuò)產(chǎn)節(jié)奏滯后，預(yù)計 2023 年下半年以后全球硅片產(chǎn)量才會有明顯增長。
晶圓廠積極擴(kuò)產(chǎn)， 2020-22 年晶圓廠資本開支持續(xù)增加，硅片需求持續(xù)旺盛。而硅片廠商擴(kuò) 產(chǎn)滯后，2020 年硅片廠商資本開支下滑 12%，2021 年上半年同比下降 23%。
全球前五大硅片廠商中，環(huán)球晶圓投資 1000 億新臺幣，新產(chǎn)線產(chǎn) 品產(chǎn)出時間從 2023 年下半開始逐季增加。根據(jù)信越化學(xué)公告，12 英寸硅 片會根據(jù)訂單量穩(wěn)步擴(kuò)產(chǎn)。
根據(jù) SU-M-CO 估計，硅片廠的建設(shè)周期約為 2- 3 年，全球硅片產(chǎn)量至少要到 2023 年下半年后會有明顯增長。
中國大陸硅片產(chǎn)能投入巨大， 12 英寸建成產(chǎn)能超過 80 萬片/月。根據(jù) IC Mt-ia 和電子材料協(xié)會統(tǒng)計，目前國內(nèi)從事硅材料業(yè)務(wù)的公司主要包括滬硅 產(chǎn)業(yè)、浙江金瑞泓、中環(huán)股份、奕斯偉、超硅等十余家。
根據(jù)公司公告， 目前 12 英寸硅片：上海新昇達(dá)到 30 萬片/月產(chǎn)能，中環(huán)股份 17 萬片/月， 立昂微 15 萬片/月。
國內(nèi) 12 英寸的需求到 2025 年達(dá)到 200 萬片/月，目前 國內(nèi)的硅片規(guī)劃的產(chǎn)能超出需求，我們預(yù)計后面硅片廠會根據(jù)需求安排產(chǎn) 能并且陸續(xù)開始吸收合并。

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